抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過程中，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性 。在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力 。在濕法刻蝕中，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學(xué)刻蝕液中，進行很多次的濕法腐蝕。只有光刻膠具有很強的抗蝕性，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形，更好體現(xiàn)器件性能。在干法刻蝕中，例如集成電路工藝中在進行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時，需要有較好的保護電路圖形的能力，否則光刻膠會因為在注入環(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度。此時注入的離子將不會起到其在電路制造工藝中應(yīng)起到的作用，器件的電路性能受阻。光刻膠只是一種形象的說法，因為光刻膠從外觀上呈現(xiàn)為膠狀液體。普陀i線光刻膠
浸沒光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級。與此同時，這兩項技術(shù)對光刻膠也提出了新的要求。在浸沒工藝中；光刻膠首先不能與浸沒液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次，光刻膠的折射率必須大于透鏡，液體和頂部涂層。因此光刻膠中主體樹脂的折射率一般要求達到1.9以上；接著，光刻膠不能在浸沒液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過程中發(fā)生形變，影響加工精度；當浸沒工藝目標分辨率接近10nm時，將對于光刻膠多個性能指標的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn)。浸沒 ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一。江浙滬i線光刻膠溶劑光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，受到光照后特性會發(fā)生改變，主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域。
X射線對物質(zhì)的化學(xué)作用類似電子束，X射線曝光時，X射線本身并不能直接引起光刻膠的反應(yīng)，它的能量是消耗的光電子放射過程而產(chǎn)生低能電子束上。正是這些低能電子使光刻膠的分子離化，并激勵產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，使光刻膠分子間的結(jié)合鍵解離，或鍵合成高分子，在某些顯影液中變成易溶或不溶。X射線光刻膠和電子束光刻膠沒有本質(zhì)的區(qū)別 ，因此所有的電子束膠都可以與X射線光刻膠混用，一部分248 nm光學(xué)光刻膠亦可用作X射線光刻膠 ，X射線光刻膠的分辨率十分高，例如早期正性的光刻膠有用含氟的聚甲基丙烯酸酯 ，負膠有用甲基丙烯酸縮水甘油酯-丙烯酸乙酯共聚體和聚丙烯酸-2,3-二氯-1-丙酯。
光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。全球市場上不同種類光刻膠的市場結(jié)構(gòu)較為均衡。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示，受益于半導(dǎo)體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢，自 2011年至今，光刻膠中國本土供應(yīng)規(guī)模年華增長率達到11%，高于全球平均 5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元，全球占比約 10%，發(fā)展空間巨大。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低。在選擇光刻膠時需要考慮化學(xué)性質(zhì)、照射時間、敏感度和穩(wěn)定性等因素，以確保所選的光刻膠能夠滿足制造要求。
光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘、曝光、曝光后烘烤、顯影、堅膜烘烤、顯影檢查等工序。在光刻過程中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光、顯影與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造中重要的工藝。隨著半導(dǎo)體制程不斷縮小，光刻工藝對光刻膠要求逐步提高，需求量也隨之增加。從全球市場來看，專注電子材料市場研究的TECHCET預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體制造光刻膠市場規(guī)模將同比增長11%，達到19億美元。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。江蘇光交聯(lián)型光刻膠單體
國內(nèi)光刻膠市場增速遠高于全球，國內(nèi)企業(yè)投入加大，未來有望實現(xiàn)技術(shù)趕超。普陀i線光刻膠
美國能源部布魯克海文國家實驗室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，將有機聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結(jié)合起來，創(chuàng)造了雜化有機-無機光刻膠。他們在將涂有PMMA薄膜的襯底放到ALD反應(yīng)室中之后，引入了鋁前驅(qū)物蒸汽。這個蒸汽通過PMMA基質(zhì)內(nèi)部的微小分子孔擴散，與聚合物鏈內(nèi)部的化學(xué)物質(zhì)結(jié)合到一起。然后，他們引入了另一種前驅(qū)物（例如水），與前驅(qū)物反應(yīng)形成PMMA基體內(nèi)部的氧化鋁。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠遠高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅。普陀i線光刻膠
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