中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要；自從中美貿(mào)易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝，對制造出更先進(jìn)，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?，F(xiàn)在，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會對芯片成品率造成重大影響。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，借助光敏基團(tuán)實現(xiàn)光刻膠所需的性能。嘉定彩色光刻膠集成電路材料
光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘、曝光、曝光后烘烤、顯影、堅膜烘烤、顯影檢查等工序。在光刻過程中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光、顯影與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造中重要的工藝。隨著半導(dǎo)體制程不斷縮小，光刻工藝對光刻膠要求逐步提高，需求量也隨之增加。從全球市場來看，專注電子材料市場研究的TECHCET預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體制造光刻膠市場規(guī)模將同比增長11%，達(dá)到19億美元。浦東ArF光刻膠樹脂目前，我國光刻膠自給率較低，生產(chǎn)也主要集中在中低端產(chǎn)品，國產(chǎn)替代的空間廣闊。
分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機化合物，其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則，能夠避免結(jié)晶，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性。以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，有機配體中包含光敏基團(tuán)，借助光敏基團(tuán)的感光性及其引發(fā)的后續(xù)反應(yīng)實現(xiàn)光刻膠所需的性能。從化學(xué)組成來看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物。
EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來光刻領(lǐng)域的進(jìn)展。由于目前可供利用的光學(xué)材料無法很好支持波長13nm以下的輻射的反射和透射，因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長為13.5nm的紫外光作為光刻光源。EUV（極紫外光）光刻技術(shù)將半導(dǎo)體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推進(jìn)。在 EUV 光刻工藝的 13.5nm 波長尺度上，量子的不確定性效應(yīng)開始顯現(xiàn)，為相應(yīng)光源，光罩和光刻膠的設(shè)計和使用帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。目前 EUV 光刻機只有荷蘭 ASML 有能力制造，許多相應(yīng)的技術(shù)細(xì)節(jié)尚不為外界所知。在即將到來的 EUV 光刻時代，業(yè)界預(yù)期已經(jīng)流行長達(dá) 20 年之久的 KrF、ArF 光刻膠技術(shù)或?qū)⒂瓉砑夹g(shù)變革。光刻膠行業(yè)日系企業(yè)實力雄厚，國內(nèi)廠商有望復(fù)刻成功經(jīng)驗。
此外，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作。90年代后半期，遵從摩爾定律的指引，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下，因而開始要求更高分辨率的光刻技術(shù)。深紫外光由于波長更短，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源。隨著 KrF、ArF等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展，248nm（KrF）、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開始成熟并投入實際使用。然而,由于 DQN 體系光刻膠對深紫外光波段的強烈吸收效應(yīng)，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無法穿透DQN光刻膠，這意味著光刻分辨率會受到嚴(yán)重影響。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系，這種技術(shù)體系被稱為化學(xué)放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR)。在平板顯示行業(yè)；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。嘉定彩色光刻膠集成電路材料
按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。嘉定彩色光刻膠集成電路材料
1）增感劑（光引發(fā)劑）：是光刻膠的關(guān)鍵成分，對光刻膠的感光度、分辨率起著決定性作用。2）感光樹脂（聚合劑）：用于將光刻膠中不同材料聚合在一起，構(gòu)成光刻膠的骨架，決定光刻膠的硬度、柔韌性、附著力等基本屬性。3）溶劑：是光刻膠中比較大成分，目的是使光刻膠處于液態(tài)，但溶劑本身對光刻膠的化學(xué)性質(zhì)幾乎無影響。4）助劑：通常是專有化合物，主要用來改變光刻膠特定化學(xué)性質(zhì)。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、LCD光刻膠和PCB光刻膠，其技術(shù)壁壘依次降低（半導(dǎo)體光刻膠> LCD光刻膠> PCB光刻膠）。從國產(chǎn)化進(jìn)程來看，PCB光刻膠目前國產(chǎn)替代進(jìn)度較快，LCD光刻膠替代進(jìn)度相對較快，而在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國產(chǎn)技術(shù)較國外先進(jìn)技術(shù)差距比較大。嘉定彩色光刻膠集成電路材料
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