普陀光交聯(lián)型光刻膠光引發(fā)劑

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)，如混配技術(shù)、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過程相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù)、環(huán)境處理與監(jiān)測技術(shù)等。同時(shí)，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力，以及時(shí)研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來滿足客戶的個(gè)性化需求。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過程是將感光材料、樹脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級(jí)的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合，在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下充分?jǐn)嚢?，使其充分混合形成均相液體，經(jīng)過多次過濾，并通過中間過程控制和檢驗(yàn)，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求，然后做產(chǎn)品檢驗(yàn)，合格后在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下包裝、打標(biāo)、入庫。光刻膠生產(chǎn)工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘高，其研發(fā)和量產(chǎn)對(duì)企業(yè)都具有極高要求。普陀光交聯(lián)型光刻膠光引發(fā)劑

雖然在2007年之后，一些波長更短的準(zhǔn)分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn)，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學(xué)材料吸收，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無法正常工作。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學(xué)材料，比如氟化鈣（螢石）等，成本長期居高不下。再加上浸沒光刻和多重曝光等新技術(shù)的出現(xiàn)，193nm波長ArF光刻系統(tǒng)突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸，所以在45nm 到10nm之間的半導(dǎo)體制程工藝中，ArF光刻技術(shù)仍然得到了很大的應(yīng)用。在與浸沒光刻相對(duì)的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。在浸沒光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時(shí)候發(fā)生了折射，波長變短。這樣，在不改變光源的前提條件下，更短波長的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率。昆山光刻膠單體我國光刻膠行業(yè)起步較晚，生產(chǎn)能力主要集中在 PCB 光刻膠、TN/STN-LCD 光刻膠等中低端產(chǎn)品。

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈上游：主要涉及溶劑、樹脂、光敏劑等原材料供應(yīng)商和光刻機(jī)、顯影機(jī)、檢測與測試等設(shè)備供應(yīng)商。從原材料市場來看，由于中國從事光刻膠原材料研發(fā)及生產(chǎn)的供應(yīng)商較少，中國光刻膠原材料市場主要被日本、韓國和美國廠商所占據(jù)。從設(shè)備市場來看，中國在光刻機(jī)、顯影機(jī)、檢測與測試設(shè)備行業(yè)的起步時(shí)間較晚，且這些設(shè)備具備較高的制造工藝壁壘，導(dǎo)致中國在光刻膠、顯影機(jī)、檢測與測試設(shè)備的國產(chǎn)化程度均低于10%。相信后期國產(chǎn)化程度會(huì)越來越高。

離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻。聚焦離子束光刻用途較多，常以鎵離子修補(bǔ)傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+、H3+、He+，以鏤空式模板，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術(shù)類似，不需要掩膜板，應(yīng)用高能離子束直寫。離子束的散射沒有電子束那么強(qiáng)，因此具有更好的分辨率。液態(tài)金屬離子源為較簡單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金，加熱融化后經(jīng)由外層為液態(tài)金屬表面產(chǎn)生的場使離子發(fā)射，其發(fā)射面積很小（<10 nm），因此利用離子光學(xué)系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細(xì)微離子束，從而進(jìn)行高分辨率的離子束曝光。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。

中國半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模增速超過全球。隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)不斷縮小，光刻工藝對(duì)光刻膠要求越來越高，需求量也越來越大。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元，年復(fù)合增速為5.4%，預(yù)計(jì)未來5年年均增速約8%-10%；中國半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約23億元人民幣，年復(fù)合增速為9.8%，預(yù)計(jì)未來5年年均增速約10%。以前，光刻膠主要依賴進(jìn)口，隨著科技的逐漸發(fā)展，國產(chǎn)化光刻膠趨勢(shì)越來越明顯，相信國內(nèi)光刻膠技術(shù)會(huì)越來越成熟，光刻膠國產(chǎn)化是必然趨勢(shì)。光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在展開，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè)。江蘇光刻膠顯影

國內(nèi)光刻膠市場增速遠(yuǎn)高于全球，國內(nèi)企業(yè)投入加大，未來有望實(shí)現(xiàn)技術(shù)趕超。普陀光交聯(lián)型光刻膠光引發(fā)劑

X射線對(duì)物質(zhì)的化學(xué)作用類似電子束，X射線曝光時(shí)，X射線本身并不能直接引起光刻膠的反應(yīng)，它的能量是消耗的光電子放射過程而產(chǎn)生低能電子束上。正是這些低能電子使光刻膠的分子離化，并激勵(lì)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，使光刻膠分子間的結(jié)合鍵解離，或鍵合成高分子，在某些顯影液中變成易溶或不溶。X射線光刻膠和電子束光刻膠沒有本質(zhì)的區(qū)別  ，因此所有的電子束膠都可以與X射線光刻膠混用，一部分248 nm光學(xué)光刻膠亦可用作X射線光刻膠 ，X射線光刻膠的分辨率十分高，例如早期正性的光刻膠有用含氟的聚甲基丙烯酸酯  ，負(fù)膠有用甲基丙烯酸縮水甘油酯-丙烯酸乙酯共聚體和聚丙烯酸-2,3-二氯-1-丙酯。普陀光交聯(lián)型光刻膠光引發(fā)劑

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