普陀TFT-LCD正性光刻膠顯示面板材料

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈上游：主要涉及溶劑、樹(shù)脂、光敏劑等原材料供應(yīng)商和光刻機(jī)、顯影機(jī)、檢測(cè)與測(cè)試等設(shè)備供應(yīng)商。從原材料市場(chǎng)來(lái)看，由于中國(guó)從事光刻膠原材料研發(fā)及生產(chǎn)的供應(yīng)商較少，中國(guó)光刻膠原材料市場(chǎng)主要被日本、韓國(guó)和美國(guó)廠商所占據(jù)。從設(shè)備市場(chǎng)來(lái)看，中國(guó)在光刻機(jī)、顯影機(jī)、檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備行業(yè)的起步時(shí)間較晚，且這些設(shè)備具備較高的制造工藝壁壘，導(dǎo)致中國(guó)在光刻膠、顯影機(jī)、檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化程度均低于10%。相信后期國(guó)產(chǎn)化程度會(huì)越來(lái)越高。在集成電路制造領(lǐng)域，如果說(shuō)光刻機(jī)是推動(dòng)制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。普陀TFT-LCD正性光刻膠顯示面板材料

導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動(dòng)態(tài)噴灑法。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過(guò)滴膠頭堆積在硅片的中心，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開(kāi)，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過(guò)程中，光刻膠中的溶劑會(huì)揮發(fā)一部分。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關(guān)鍵，量少了會(huì)導(dǎo)致光刻膠不能充分覆蓋硅片，量大了會(huì)導(dǎo)致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面，影響工藝質(zhì)量。動(dòng)態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來(lái)越大，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足新型的硅片加工需求。相對(duì)靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法而言，動(dòng)態(tài)噴灑法在光刻膠對(duì)硅片進(jìn)行澆注的時(shí)刻就開(kāi)始以低速旋轉(zhuǎn)幫助光刻膠進(jìn)行**初的擴(kuò)散。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展，以高速旋轉(zhuǎn)形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。江蘇LCD觸摸屏用光刻膠集成電路材料氧化物型光刻膠：這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時(shí)非常有用。

從90年代后半期開(kāi)始，光刻光源就開(kāi)始采用248nm的KrF激光；而從2000年代開(kāi)始，光刻就進(jìn)一步轉(zhuǎn)向使用193nm波長(zhǎng)的ArF準(zhǔn)分子激光作為光源。在那之后一直到目前的約20年里，193nm波長(zhǎng)的ArF準(zhǔn)分子激光一直是半導(dǎo)體制程領(lǐng)域性能可靠，使用較多的光刻光源。一般而言，KrF（248nm）光刻膠使用聚對(duì)羥基苯乙烯及其衍生物作為成膜樹(shù)脂，使用磺酸碘鎓鹽和硫鎓鹽作為光致酸劑；而ArF（193nm）光刻膠則多使用聚甲基丙烯酸酯衍生物，環(huán)烯烴-馬來(lái)酸酐共聚物，環(huán)形聚合物等作為成膜樹(shù)脂；由于化學(xué)結(jié)構(gòu)上的原因，Arf(193nm)光刻膠需要比KrF（248nm）光刻膠更加敏感的光致酸劑。

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專業(yè)公司壟斷。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng) 87%的份額，行業(yè)集中度高。其中，日本 JSR、東京應(yīng)化、日本信越與富士電子材料市占率加和達(dá)到72%。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司，如杜邦、JSR 株式會(huì)社、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè)、Fujifilm，以及韓國(guó)東進(jìn)等企業(yè)。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來(lái)看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。亞甲基雙苯醚型光刻膠：這種類型的光刻膠適用于制造精度較低的電路元件。

浸沒(méi)光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長(zhǎng)ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級(jí)。與此同時(shí)，這兩項(xiàng)技術(shù)對(duì)光刻膠也提出了新的要求。在浸沒(méi)工藝中；光刻膠首先不能與浸沒(méi)液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴(kuò)散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次，光刻膠的折射率必須大于透鏡，液體和頂部涂層。因此光刻膠中主體樹(shù)脂的折射率一般要求達(dá)到1.9以上；接著，光刻膠不能在浸沒(méi)液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過(guò)程中發(fā)生形變，影響加工精度；當(dāng)浸沒(méi)工藝目標(biāo)分辨率接近10nm時(shí)，將對(duì)于光刻膠多個(gè)性能指標(biāo)的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn)。浸沒(méi) ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè)，目前主要技術(shù)主要掌握在日、美等國(guó)際大公司手中，全球供應(yīng)市場(chǎng)高度集中。普陀負(fù)性光刻膠顯示面板材料

光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。普陀TFT-LCD正性光刻膠顯示面板材料

受制于國(guó)內(nèi)光刻膠技術(shù)發(fā)展水平，目前我國(guó)前沿光刻膠的自給率仍然保持較低水平。盡管國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)保持良好的增長(zhǎng)趨勢(shì)，但以KrF、ArF光刻膠為主的半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額仍然較小，前沿光刻膠市場(chǎng)長(zhǎng)期為國(guó)外巨頭所壟斷。從技術(shù)水平來(lái)看，目前中國(guó)本土光刻膠的整體技術(shù)水平與國(guó)際先進(jìn)水平存在明顯差距，且主要集中在技術(shù)含量較低的PCB光刻膠領(lǐng)域，而在半導(dǎo)體光刻膠和LCD光刻膠方面自給率較低。具體而言，半導(dǎo)體光刻膠中g(shù)線/i線光刻膠國(guó)產(chǎn)化率為10%，而ArF/KrF光刻膠的國(guó)產(chǎn)化率為1%，對(duì)于前沿的EUV光刻膠目前仍處于研發(fā)階段。普陀TFT-LCD正性光刻膠顯示面板材料