KrF光刻膠其他助劑

2008年起，日本大阪府立大學(xué)的Okamura課題組利用聚對(duì)羥基苯乙烯衍生物來(lái)構(gòu)造非化學(xué)放大型光刻膠。他們制備了對(duì)羥基苯乙烯單元和含有光敏基團(tuán)的對(duì)磺酰胺苯乙烯單元的共聚物，作為光刻膠的主體材料。光照下，光敏劑產(chǎn)生自由基，使對(duì)羥基苯乙烯鏈之間發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，可作為EUV負(fù)性光刻膠使用。隨后，他們又在對(duì)羥基苯乙烯高分子上修飾烯烴或炔烴基團(tuán)，體系中加入多巰基化合物作為交聯(lián)劑，以及光照下可以產(chǎn)生自由基的引發(fā)劑，構(gòu)建了光引發(fā)硫醇-烯烴加成反應(yīng)體系，該體系同樣可以作為EUV負(fù)性光刻膠使用。值得指出的是，上述工作使用的對(duì)羥基苯乙烯衍生物的分子量均比較小，有助于提高光刻膠的分辨率。由于均為自由基反應(yīng)，光刻過(guò)程的產(chǎn)氣量也明顯小于一般的光刻膠體系。光刻膠發(fā)展至今已有百年歷史，現(xiàn)已用于集成電路、顯示、PCB 等領(lǐng)域，是光刻工藝的重要材料。KrF光刻膠其他助劑

通常光刻膠等微電子化學(xué)品不僅品質(zhì)要求高，而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需。如果沒(méi)有規(guī)模效益，供應(yīng)商就無(wú)法承擔(dān)滿足多樣化需求帶來(lái)的開(kāi)銷。因此，品種規(guī)模構(gòu)成了進(jìn)入該行業(yè)的重要壁壘。同時(shí)，一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求，且生產(chǎn)環(huán)境需要進(jìn)行無(wú)塵或微塵處理。制備微電子化學(xué)品還需要全封閉、自動(dòng)化的工藝流程，以避免污染，提高質(zhì)量。因此，光刻膠等微電子化學(xué)品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設(shè)備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過(guò)程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒(méi)有強(qiáng)大的資金實(shí)力，企業(yè)就難以在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學(xué)品行業(yè)具備較高的資金壁壘。江蘇光刻膠顯示面板材料光刻膠生產(chǎn)工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘高，其研發(fā)和量產(chǎn)對(duì)企業(yè)都具有極高要求。

在EUV圖形曝光工序中，光致產(chǎn)酸劑產(chǎn)生光酸，這些光酸一方面可以與光刻膠主體材料的離去基團(tuán)反應(yīng)，另一方面也可使光敏劑前體變?yōu)楣饷魟?。EUV曝光結(jié)束后，曝光區(qū)域富集了大量的光敏劑。再進(jìn)行UV整片曝光，此時(shí)，只有富集了光敏劑的區(qū)域可以吸收UV光，光敏劑作為天線，使膠膜中的光致產(chǎn)酸劑繼續(xù)產(chǎn)生光酸；與之相對(duì)地，EUV曝光過(guò)程中未曝光區(qū)域由于有對(duì)UV光透明的光敏劑前體，對(duì)UV光同樣沒(méi)有吸收的光致產(chǎn)酸劑無(wú)法形成光酸，進(jìn)而無(wú)法發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。接著，需像其他的化學(xué)放大光刻膠一樣，進(jìn)行后烘、顯影即可得到光刻圖形。

肉桂酸酯類的光刻膠：這類光刻膠在紫外光的照射下，肉桂酸上的不飽和鍵會(huì)打開(kāi)，產(chǎn)生自由基，形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。主要品種有聚乙烯醇肉桂酸酯光刻膠、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯光刻膠和肉桂叉二酯光刻膠等。前者膠是早期被用于光刻膠制備的光敏高分子化合物，對(duì)二氧化硅、鋁、氧化鉻等材料都有良好的附著力，耐氫氟酸、磷酸腐蝕；中者膠在曝光下幾乎不受氧的影響，無(wú)須氮?dú)獗Ｗo(hù)，分辨率1 μm左右，靈敏度較前者膠高1倍，黏附性好，抗蝕能力強(qiáng)，圖形清晰、線條整齊，耐熱性好，顯影后可在190℃堅(jiān)膜0.5 h不變質(zhì)，感光范圍在250~475 nm，特別對(duì)436 nm十分敏感，屬線型高分子聚合物；第三種膠能溶于酮類、烷烴等溶劑，不溶于水、乙醇等。有較好的黏附性和感光性 ，分辨率也很高，感光速度快。我國(guó)光刻膠行業(yè)起步較晚，生產(chǎn)能力主要集中在 PCB 光刻膠、TN/STN-LCD 光刻膠等中低端產(chǎn)品。

在平板顯示行業(yè)：主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。在光刻和蝕刻生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，光刻膠涂覆于晶體薄膜表面，經(jīng)曝光、顯影和蝕刻等工序?qū)⒐庹郑ㄑ谀ぐ妫┥系膱D形轉(zhuǎn)移到薄膜上，形成與掩膜版對(duì)應(yīng)的幾何圖形。

在PCB行業(yè)；主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜貼在處理后的敷銅板上，進(jìn)行曝光顯影；濕膜和光成像阻焊油墨則是涂布在敷銅板上，待其干燥后進(jìn)行曝光顯影。干膜與濕膜各有優(yōu)勢(shì)，總體來(lái)說(shuō)濕膜光刻膠分辨率高于干膜，價(jià)格更低廉，正在對(duì)干膜光刻膠的部分市場(chǎng)進(jìn)行替代。 光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在展開(kāi)，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè)。江蘇化學(xué)放大型光刻膠顯示面板材料

國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)增速遠(yuǎn)高于全球，國(guó)內(nèi)企業(yè)投入加大，未來(lái)有望實(shí)現(xiàn)技術(shù)趕超。KrF光刻膠其他助劑

從光刻設(shè)備角度來(lái)看，EUV光刻與其他波長(zhǎng)光刻關(guān)鍵的兩點(diǎn)差異是光源強(qiáng)度和散粒噪聲。盡管有多種方式可獲得EUV光，商用EUV光刻機(jī)使用的是激光激發(fā)的等離子體（LPP）發(fā)光，其輸出功率曾長(zhǎng)期是制約EUV光刻技術(shù)商用的瓶頸問(wèn)題；另外，EUV光刻使用的是反射鏡成像系統(tǒng)，而非傳統(tǒng)的透過(guò)折射鏡片組，且效率不高。因此在EUV光刻發(fā)展的早期，通常都要求EUV光刻膠具有較高的靈敏度。同時(shí)，EUV光子能量（約為92eV）遠(yuǎn)高于以前幾代光刻技術(shù)光源的光子能量（是193nm光子能量的14.4倍），也就是說(shuō)，對(duì)于同樣的曝光能量，光子數(shù)目遠(yuǎn)少于前幾代的光刻技術(shù)，這就導(dǎo)致散粒噪聲增加，從而造成線寬/線邊緣粗糙度的升高。而靈敏度過(guò)高并不利于克服散粒噪聲的影響，所以隨著EUV光源功率不斷提升，業(yè)界對(duì)EUV光刻膠的要求從“提高靈敏度”逐漸變?yōu)椤?span>利用一定程度的靈敏度來(lái)降低粗糙度”。KrF光刻膠其他助劑