江浙滬PCB光刻膠光引發(fā)劑

2014年，Gonsalves課題組在側(cè)基連接硫鎓鹽的高分子光刻膠基礎(chǔ)之上，制備了一種側(cè)基含有二茂鐵基團(tuán)高分子光刻膠。其反應(yīng)機(jī)理與不含二茂鐵的光刻膠類(lèi)似，但二茂鐵的引入增強(qiáng)了光刻膠的熱穩(wěn)定性和靈敏度，可實(shí)現(xiàn)25nm線(xiàn)寬的曝光。2015年，課題組報(bào)道了一系列鈀和鉑的配合物，用于正性EUV曝光。配合物中包括極性較大的草酸根配體，也有極性較小的1，1-雙（二苯基膦）甲烷或1，2-二（二苯基膦）乙烷配體。EUV曝光后，草酸根分解形成二氧化碳或一氧化碳，配體只剩下低極性部分，從而可以用低極性的顯影液洗脫；未曝光區(qū)域由于草酸根的存在，無(wú)法溶于顯影液，實(shí)現(xiàn)正性曝光。這一系列配合物中，靈敏度較高的化合物為1，2-二（二苯基膦）乙烷配草酸鈀，可以在50mJ·cm?2的劑量下得到30nm的線(xiàn)寬。光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。江浙滬PCB光刻膠光引發(fā)劑

構(gòu)建負(fù)膠除了可通過(guò)改變小分子本身的溶解性以外，還可以利用可發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的酸敏基團(tuán)實(shí)現(xiàn)分子間的交聯(lián)，從而改變?nèi)芙舛?。Henderson課題組報(bào)道了一系列含有環(huán)氧乙烷基團(tuán)的枝狀單分子樹(shù)脂。環(huán)氧乙烷基團(tuán)在酸的作用下發(fā)生開(kāi)環(huán)反應(yīng)再彼此連接，從而可形成交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使光刻膠膜的溶解性能降低，可作為負(fù)性化學(xué)放大光刻膠。通過(guò)增加體系內(nèi)的芳香結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)一步破壞分子的平面性，可以獲得更好的成膜性和提高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度；同時(shí)，每個(gè)分子上的環(huán)氧基團(tuán)從兩個(gè)增加為四個(gè)后，靈敏度提高了，分辨率也有所提高。嘉定顯示面板光刻膠顯影氧化物型光刻膠：這種類(lèi)型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時(shí)非常有用。

有研究結(jié)果表明，在EUV光照下，某特定光刻膠分子每吸收一個(gè)光子可以產(chǎn)生2.1個(gè)活性物種，這一效率分別是KrF光刻和ArF光刻的6倍和15倍。由于在光刻膠材料中有二次電子的產(chǎn)生，EUV光刻在機(jī)理上與電子束光刻有相近之處。因?yàn)樯逃肊UV光刻機(jī)價(jià)格昂貴，對(duì)光刻膠材料研發(fā)人員開(kāi)放的同步輻射EUV干涉線(xiàn)站機(jī)時(shí)有限，所以近年來(lái)，在EUV光刻膠的研發(fā)過(guò)程中也常利用電子束光刻開(kāi)展相關(guān)機(jī)理、工藝研究和基本性能的評(píng)測(cè)，也有一些尚未實(shí)際應(yīng)用于EUV光刻但已有電子束光刻研究結(jié)果的光刻膠。

根據(jù)不同原子對(duì) EUV 光的吸收截面可知，硅原子和硼原子對(duì)EUV光的吸收較弱，有助于提高光刻膠薄膜的透明度，從而提高光刻膠的對(duì)比度，同時(shí)還可增加光刻膠的抗刻蝕性。HSQ在吸收光子（或電子）后，硅-氫鍵斷裂，與水分子反應(yīng)生成硅醇，兩個(gè)硅醇之間又生成硅-氧-硅鍵，交聯(lián)形成無(wú)法溶解在TMAH顯影液中的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。HSQ廣泛應(yīng)用于電子束光刻中，也可用于EUV光刻。2005年，美國(guó)威斯康星大學(xué)的Nealey等率先將HSQ用于EUV光刻，得到了線(xiàn)寬為26.4nm、LER為5.1nm的光刻線(xiàn)條。隨后，瑞士光源的Solak課題組利用HSQ制備出了20nm的L/S密集線(xiàn)條，并通過(guò)工藝調(diào)整獲得了優(yōu)于PMMA光刻膠的靈敏度。光刻膠通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。

2005年，IBM公司的Naulleau等利用MET@ALS評(píng)測(cè)了KRS光刻膠的EUV性能，可獲得線(xiàn)寬35nm、占空比1∶1的圖案和線(xiàn)寬28.3nm、占空比1∶4的圖案（圖13。不過(guò)，KRS在曝光過(guò)程中需要有少量的水參與，因此其曝光設(shè)備中需要引入水蒸氣。由于EUV光刻需要在高真空環(huán)境中進(jìn)行，任何氣體的引入都會(huì)導(dǎo)致真空環(huán)境的破壞、光路和掩模版的污染，所以盡管KRS呈現(xiàn)出比MET-1K更高的分辨率，但依然未能廣泛應(yīng)用于EUV光刻技術(shù)中。上述化學(xué)放大光刻膠基本沿用了KrF光刻膠的材料，隨著EUV光刻技術(shù)的不斷進(jìn)展，舊材料已不能滿(mǎn)足需求。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域不同，光刻膠可分為 PCB 光刻膠、LCD 光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠，技術(shù)門(mén)檻逐漸遞增。蘇州LCD觸摸屏用光刻膠

中國(guó)半導(dǎo)體光刻膠的快速崛起離不開(kāi)中國(guó)整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。江浙滬PCB光刻膠光引發(fā)劑

考慮到杯芳烴化合物的諸多優(yōu)點(diǎn)，2006年，Ober課題組將其酚羥基用t-Boc基團(tuán)部分保護(hù)，制備了可在EUV光下實(shí)現(xiàn)曝光的化學(xué)放大型光刻膠，獲得了50nm線(xiàn)寬、占空比為1∶2的光刻線(xiàn)條和40nm線(xiàn)寬的“L”形光刻圖形，與非化學(xué)放大型杯芳烴光刻膠相比，靈敏度提高。隨后Ober課題組又發(fā)展了一系列具有杯芳烴結(jié)構(gòu)的單分子樹(shù)脂光刻膠，研究了活性基團(tuán)的數(shù)量、非活性基團(tuán)的種類(lèi)和數(shù)量對(duì)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、成膜性及光刻性能的影響，并開(kāi)發(fā)了其超臨界CO2顯影工藝。此外，日本三菱瓦斯化學(xué)的Echigo等利用乙氧基作為酚羥基的保護(hù)基團(tuán)，制備的杯芳烴化合物可在17.5mJ·cm-2劑量下實(shí)現(xiàn)26nm線(xiàn)寬的EUV光刻圖形。江浙滬PCB光刻膠光引發(fā)劑