與金屬納米顆粒和納米簇不同，金屬配合物光刻膠中金屬元素含量較低，通常情況下每個光刻膠分子內只有一個或幾個金屬原子。能夠作為納米顆粒和納米簇配體的分子比較少，可修飾位點較少；而金屬原子的配體種類較多，且容易連接活性基團，因此金屬配合物光刻膠的設計更為靈活。但是，由于金屬原子含量低，所以金屬配合物對EUV光的吸收能力、抗刻蝕能力有可能弱于金屬納米顆粒和納米簇光刻膠。目前已有多種金屬元素的配合物被用于光刻膠，如鉍、銻、鋅、碲、鉑、鈀、鈷、鐵和鉻等。半導體光刻膠中g線/i線光刻膠國產化率為10%，而ArF/KrF光刻膠的國產化率為1%。嘉定g線光刻膠其他助劑
為了解決EUV光刻面臨的新問題，適應EUV光刻的新特點，幾大類主體材料相繼應用于EUV光刻的實踐之中，常用的策略如下。1）提高靈敏度：引入對EUV吸收截面大的元素，使用活化能更低的反應基團和量子效率更高的光敏劑，應用化學放大機理；2）提高分辨率：減小化合物的體積（即降低化合物的分子量），增強光刻膠對基底的黏附力和本身的剛性；3）降低粗糙度：減小化合物的體積或納米顆粒的尺寸，減少活性物種在體系內部的擴散，降低光刻膠的靈敏度；4）提高對比度：降低光刻膠主體材料對光的吸收；5）提高抗刻蝕性：引入金屬元素或芳香結構；6）提高成膜性能：引入非對稱、非平面的柔性基團以防止結晶。昆山光刻膠國內光刻膠市場規(guī)模約88億人民幣。
2005年，IBM公司的Naulleau等利用MET@ALS評測了KRS光刻膠的EUV性能，可獲得線寬35nm、占空比1∶1的圖案和線寬28.3nm、占空比1∶4的圖案（圖13。不過，KRS在曝光過程中需要有少量的水參與，因此其曝光設備中需要引入水蒸氣。由于EUV光刻需要在高真空環(huán)境中進行，任何氣體的引入都會導致真空環(huán)境的破壞、光路和掩模版的污染，所以盡管KRS呈現(xiàn)出比MET-1K更高的分辨率，但依然未能廣泛應用于EUV光刻技術中。上述化學放大光刻膠基本沿用了KrF光刻膠的材料，隨著EUV光刻技術的不斷進展，舊材料已不能滿足需求。
三苯基硫鎓鹽是常用的EUV光刻膠光致產酸劑，也具有枝狀結構。佐治亞理工的Henderson課題組借鑒主體材料鍵合光敏材料的思路，制備了一種枝狀單分子樹脂光刻膠TAS-tBoc-Ts。雖然他們原本是想要合成一種化學放大型光刻膠，但根據(jù)是否后烘，TAS-tBoc-Ts既可呈現(xiàn)負膠也可呈現(xiàn)正膠性質。曝光后若不后烘，硫鎓鹽光解形成硫醚結構，生成的光酸不擴散，不會引發(fā)t-Boc的離去；曝光區(qū)域不溶于水性顯影液，未曝光區(qū)域為離子結構，微溶于水性顯影液，因而可作為非化學放大型負性光刻膠。曝光后若后烘，硫鎓鹽光解產生的酸引發(fā)鏈式反應，t-Boc基團離去露出酚羥基；使用堿性顯影液，曝光區(qū)域的溶解速率遠遠大于未曝光區(qū)域，因此又可作為化學放大型正性光刻膠。這個工作雖然用DUV光刻和電子束光刻測試了此類光刻膠的光刻性能，但由于EUV光刻機理與電子束光刻的類似性，本工作也為新型EUV光刻膠的設計開辟了新思路。光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領域，是典型的技術密集行業(yè)。
全息光刻-單晶硅各向異性濕法刻蝕是制作大高度比硅光柵的一種重要且常用的方法，全息光刻用來產生光刻膠光柵圖形，單晶硅各向異性濕法刻蝕將圖形轉移到硅基底中形成硅光柵。這種方法制作的硅光柵質量非常高，側壁可以達到原子級光滑，光柵線條的高度比可以高達160。但由于單晶硅各向異性濕法刻蝕在垂直向下刻蝕的同時存在著橫向鉆蝕，所以要獲得大高度比的硅光柵，光刻膠光柵圖形的占寬比要足夠大，且越大越好。占寬比越大，單晶硅各向異性濕法刻蝕的工藝寬容度越大，成功率越高，光柵質量越好。一旦超過存儲時間或較高的溫度范圍，負膠會發(fā)生交聯(lián)，正膠會發(fā)生感光延遲。華東顯示面板光刻膠曝光
中國光刻膠市場規(guī)模約88億人民幣。嘉定g線光刻膠其他助劑
光刻膠主要由主體材料、光敏材料、其他添加劑和溶劑組成。從化學材料角度來看，光刻膠內重要的成分是主體材料和光敏材料。光敏材料在光照下產生活性物種，促使主體材料結構改變，進而使光照區(qū)域的溶解度發(fā)生轉變，經過顯影和刻蝕，實現(xiàn)圖形從掩模版到基底的轉移。對于某些光刻膠來說，主體材料本身也可以充當光敏材料。依據(jù)主體材料的不同，光刻膠可以分為基于聚合物的高分子型光刻膠，基于小分子的單分子樹脂（分子玻璃）光刻膠，以及含有無機材料成分的有機-無機雜化光刻膠。本文將主要以不同光刻膠的主體材料設計來綜述EUV光刻膠的研發(fā)歷史和現(xiàn)狀。嘉定g線光刻膠其他助劑