光電流指在入射光照射下光電探測(cè)器所產(chǎn)生的光生電流，暗電流可以定義為沒有光入射的情況下探測(cè)器存在的漏電流。其大小影響著光接收機(jī)的靈敏度大小，是探測(cè)器的主要指標(biāo)之一。暗電流主要包括以下幾種：①耗盡區(qū)中邊界的少子擴(kuò)散電流;②載流子的產(chǎn)生-復(fù)合電流，通過在加工中消除硅材料的晶格缺陷，可以有效減小載流子的產(chǎn)生-復(fù)合電流，通常對(duì)于高純度的單晶硅產(chǎn)生-復(fù)合電流可以降低到2*1011A/nm2以下;③表面泄漏電流，在制造工藝結(jié)束時(shí)，對(duì)芯片表面進(jìn)行鈍化處理，可以將表面漏電流降低到1011A/nm2量級(jí)。當(dāng)然，暗電流也受探測(cè)器工作溫度和偏置電壓的影響。探測(cè)器的暗電流與噪聲是分不開的，通常光電探測(cè)器的噪聲主要分為暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲：a暗電流噪聲：對(duì)于一個(gè)光電探測(cè)器來講，可接收的光功率是由探測(cè)器的暗電流大小決定的，所以減小探測(cè)器的暗電流能提高光接收機(jī)的靈敏度;b散粒噪聲：當(dāng)探測(cè)器接收入射光時(shí)，散粒噪聲就產(chǎn)生于光子的產(chǎn)生-復(fù)合過程中。由于光生載流子的數(shù)量變化規(guī)律服從泊松統(tǒng)計(jì)分部，所以光生載流子的產(chǎn)生過程存在散粒噪聲;c熱噪聲：由于導(dǎo)體中電子的隨機(jī)運(yùn)動(dòng)會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)體兩端電壓的波動(dòng)，因此就會(huì)產(chǎn)生熱噪聲。當(dāng)光線照在物體上，使物體的電導(dǎo)率發(fā)生變化，或產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象叫內(nèi)光電效應(yīng)。30G PIN光電探測(cè)器賣價(jià)
光電探測(cè)器是光接收器的主要器件之一，用來將光功率轉(zhuǎn)換為電流。根據(jù)系統(tǒng)的性能目標(biāo)，可以選用PIN或APD（雪崩光電二極管）光電探測(cè)器。誤碼率（BER）是用于指定通信傳輸系統(tǒng)可靠性的主要指標(biāo)，通常與接收機(jī)靈敏度值相關(guān)，該值定義了必須到達(dá)光電探測(cè)器的較小平均光功率，以實(shí)現(xiàn)所需的BER性能。另外，信道的Q值可以從采樣的信號(hào)統(tǒng)計(jì)中計(jì)算出來，并用于估計(jì)系統(tǒng)的誤碼率。光電探測(cè)器在定義基本通信系統(tǒng)的較終靈敏度方面起著重要的作用，因?yàn)樗陨椩肼暫蜔嵩肼暤男问教峁┙y(tǒng)計(jì)擾動(dòng)，并引入了暗電流及定義響應(yīng)率來衡量每單位輸入功率獲得多少電輸出。這些特性取決于入射光的波長(zhǎng)和傳感器的材料特性和物理設(shè)計(jì)。石巖2GHZ APD光電探測(cè)器價(jià)格行情光電探測(cè)器能把光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
雪崩光電二極管（APD）當(dāng)二極管PN結(jié)上加上足夠強(qiáng)的反向電壓的時(shí)候，耗盡區(qū)存在一個(gè)很強(qiáng)的場(chǎng)，足夠使強(qiáng)電場(chǎng)飄移的光生載流子獲得充分的動(dòng)能來通過晶格原子碰撞產(chǎn)生新的載流子，新的載流子再次碰撞形成更多載流子，這樣就實(shí)現(xiàn)了雪崩式的載流子倍增。但這同時(shí)也會(huì)造成噪聲的放大當(dāng)入射光功率腳較小時(shí)，多采用APD，此時(shí)引入的噪聲不大，在入射光功率較大時(shí)，雪崩增益引起的噪聲貢獻(xiàn)占主要優(yōu)勢(shì)，可能帶來光電流的失真，采用APD帶來的好處不大，采用PIN更為合適。
在動(dòng)態(tài)特性（即頻率響應(yīng)與時(shí)間響應(yīng)）方面，以光電倍增管和光電二極管（尤其是PIN管與雪崩管）為比較好；在光電特性（即線性）方面，以光電倍增管、光電二極管和光電池為比較好；在靈敏度方面，以光電倍增管、雪崩光電二極管、光敏電阻和光電三極管為比較好。值得指出的是，靈敏度高不一定就是輸出電流大，而輸出電流大的器件有大面積光電池、光敏電阻、雪崩光電二極管和光電三極管；外加偏置電壓比較低的是光電二極管、光電三極管，光電池不需外加偏置；在暗電流方面，光電倍增管和光電二極管較小，光電池不加偏置時(shí)無暗電流，加反向偏置后暗電流也比光電倍增管和光電二極管大；長(zhǎng)期工作的穩(wěn)定性方面，以光電二極管、光電池為比較好，其次是光電倍增管與光電三極管；在光譜響應(yīng)方面，以光電倍增管和CdSe光敏電阻為較寬，但光電倍增管響應(yīng)偏紫外方向，而光敏電阻響應(yīng)偏紅外方向?？山邮盏墓夤β实拇笮∈怯商綔y(cè)器的暗電流決定的。
在光通信領(lǐng)域，更大的帶寬、更長(zhǎng)的傳輸距離、更高的接收靈敏度，永遠(yuǎn)都是科研者的追求目標(biāo)。盡管波分復(fù)用（WDM）技術(shù)和摻鉺光纖放大器（EDFA）的應(yīng)用已經(jīng)極大的提高了光通信系統(tǒng)的帶寬和傳輸距離，但是近十年來伴隨著視頻會(huì)議等通信技術(shù)的應(yīng)用和互聯(lián)網(wǎng)的普及產(chǎn)生的信息快速式增長(zhǎng)，對(duì)作為整個(gè)通信系統(tǒng)基礎(chǔ)的物理層提出了更高的傳輸性能要求。目前光通信系統(tǒng)采用強(qiáng)度調(diào)制/直接檢測(cè)(IM/DD)即發(fā)送端調(diào)制光載波強(qiáng)度，接收機(jī)對(duì)光載波進(jìn)行包絡(luò)檢測(cè)。盡管這種結(jié)構(gòu)具有簡(jiǎn)單、容易集成等優(yōu)點(diǎn)，但是由于只能采用ASK調(diào)制格式，其單路信道帶寬很有限。因此這種傳統(tǒng)光通信技術(shù)勢(shì)必會(huì)被更先進(jìn)的技術(shù)所代替。然而在通信泡沫破滅的現(xiàn)在，新的光通信技術(shù)的應(yīng)用不可避免的會(huì)帶來對(duì)新型通信設(shè)備的需求，面對(duì)居高不下的光器件價(jià)格，大規(guī)模通信設(shè)備更換所需要的高額成本，是運(yùn)營(yíng)商所不能接受的，因此對(duì)設(shè)備制造商而言，光纖通信新技術(shù)的研發(fā)也面臨著很大的風(fēng)險(xiǎn)。如何在現(xiàn)有的設(shè)備基礎(chǔ)上提高光通信系統(tǒng)的性能成為了切實(shí)的問題。APD雪崩二極管其主要缺點(diǎn)是噪聲較大。30G PIN光電探測(cè)器賣價(jià)
在相干光通信中主要利用了相干調(diào)制和外差檢測(cè)技術(shù)。30G PIN光電探測(cè)器賣價(jià)
私營(yíng)有限責(zé)任公司企業(yè)技術(shù)的發(fā)展必然將引發(fā)現(xiàn)有通信網(wǎng)絡(luò)的擴(kuò)容、重組與兼容，也將促進(jìn)通信網(wǎng)絡(luò)的多元化業(yè)務(wù)發(fā)展，并對(duì)通信設(shè)備制造業(yè)、終端產(chǎn)業(yè)和通信技術(shù)服務(wù)業(yè)等上下游產(chǎn)業(yè)形成有力拉動(dòng)。通信產(chǎn)品行業(yè)穩(wěn)步發(fā)展，用戶規(guī)模和普及率實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步增長(zhǎng)。與此同時(shí)，即時(shí)通信作為基礎(chǔ)的互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用不斷開拓創(chuàng)新，其變化主要集中于產(chǎn)品功能的探索應(yīng)用場(chǎng)景的拓展和內(nèi)容質(zhì)量的提升三個(gè)方面。隨著我國(guó)通信行業(yè)大發(fā)展，程控?cái)?shù)字化與全塑電纜普遍使用，通信建設(shè)任務(wù)大幅增加，原有體制內(nèi)服務(wù)已無法滿足電信建設(shè)需求，相應(yīng)的私營(yíng)有限責(zé)任公司企業(yè)應(yīng)運(yùn)而生。人工智能私營(yíng)有限責(zé)任公司企業(yè)發(fā)展進(jìn)入快車道，近兩年實(shí)現(xiàn)了真正的跨越式發(fā)展。預(yù)計(jì)2018年的主旋律仍將是人工智能技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化落地，將會(huì)有更多的傳統(tǒng)企業(yè)借助AI技術(shù)實(shí)現(xiàn)智能化轉(zhuǎn)型。30G PIN光電探測(cè)器賣價(jià)
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