在動態(tài)特性（即頻率響應與時間響應）方面，以光電倍增管和光電二極管（尤其是PIN管與雪崩管）為比較好；在光電特性（即線性）方面，以光電倍增管、光電二極管和光電池為比較好；在靈敏度方面，以光電倍增管、雪崩光電二極管、光敏電阻和光電三極管為比較好。值得指出的是，靈敏度高不一定就是輸出電流大，而輸出電流大的器件有大面積光電池、光敏電阻、雪崩光電二極管和光電三極管；外加偏置電壓比較低的是光電二極管、光電三極管，光電池不需外加偏置；在暗電流方面，光電倍增管和光電二極管較小，光電池不加偏置時無暗電流，加反向偏置后暗電流也比光電倍增管和光電二極管大；長期工作的穩(wěn)定性方面，以光電二極管、光電池為比較好，其次是光電倍增管與光電三極管；在光譜響應方面，以光電倍增管和CdSe光敏電阻為較寬，但光電倍增管響應偏紫外方向，而光敏電阻響應偏紅外方向。光電探測器的工作原理是基于光電效應。飛博光電低失真光電探測器推薦貨源
光電探測器的基本工作機理包括三個過程：(1)光生載流子在光照下產生;(2)載流子擴散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉換為電壓信號。當探測器表面有光照射時，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價帶電子可以躍遷到導帶形成光電流。當光在半導體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減，其原因是光子在半導體中產生了吸收。半導體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過測試半導體的本征吸收光譜除了可以得到半導體的禁帶寬度等信息外，還可以用來分辨直接帶隙半導體和間接帶隙半導體。本征吸收導致材料的吸收系數通常比較高，由于半導體的能帶結構所以半導體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出，當本征吸收開始時，半導體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數，同時導致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。飛博光電低失真光電探測器推薦貨源光生伏特的效應是指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產生電位差的現象。
相干光通信系統的基本結構如下圖所示。在發(fā)送端，采用外調制方式將信號調制到光載波上進行傳輸。當信號光傳輸到達接收端時，首先與一本振光信號進行相干耦合，然后由平衡接收機進行探測。相干光通信根據本振光頻率與信號光頻率不等或相等，可分為外差檢測和零差檢測。前者光信號經光電轉換后獲得的是中頻信號，還需二次解調才能被轉換成基帶信號。后者光信號經光電轉換后被直接轉換成基帶信號，不用二次解調，但它要求本振光頻率與信號光頻率嚴格匹配，并且要求本振光與信號光的相位鎖定。
光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導率發(fā)生改變。光電探測器在國民經濟的各個領域有較廣的用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于導彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。激光就是─種相干光。
當光線照在物體上，使物體的電導率發(fā)生變化，或產生光生電動勢的現象叫內光電效應。利用這種現象可以制成陰極射線管、光電倍增管和攝像管的光陰極等。半導體材料的價帶與導帶間有一個帶隙，其能量間隔為Eg。一般情況下，價帶中的電子不會自發(fā)地躍遷到導帶，所以半導體材料的導電性遠不如導體。但如果通過某種方式給價帶中的電子提供能量，就可以將其激發(fā)到導帶中，形成載流子，增加導電性。光照就是一種激勵方式。當入射光的能量hν≥Eg(Eg為帶隙間隔)時，價帶中的電子就會吸收光子的能量，躍遷到導帶，而在價帶中下一個空穴，形成一對可以導電的電子——空穴對。這里的電子并未逸出形成光電子，但顯然存在著由于光照而產生的電效應。因此,這種光電效應就是一種內光電效應。從理論和實驗結果分析,要使價帶中的電子躍遷到導帶,也存在一個入射光的極限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低頻限(即極限頻率ν0=Egh)。這個關系也可以用長波限表示,即λ0=hcEg。入射光的頻率大于ν0或波長小于λ0時,才會發(fā)生電子的帶間躍遷。當入射光能量較小,不能使電子由價帶躍遷到導帶時,有可能使電子吸收光能后,在一個能帶內的亞能級結構間躍遷。PIN缺點在于I層電阻很大管子的輸出電流小，一般多為零點幾微安至數微安。飛博光電APD光電探測器價格比較
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在光電探測器中利用表面等離子體共振效應可以有效地增強器件的光吸收，擴展器件的光吸收譜，從而產生更多的電子空穴對，提高器件的響應電流，并且共振波長能夠被金屬納米結構的介電環(huán)境，尺寸和形狀所改變，從而調節(jié)吸收波段。規(guī)律性分布的金屬納米結構，如孔陣列或者柵線等，能夠和光發(fā)生相互作用，從而提升器件的光吸收能力。除此之外，從圖中能夠看出在金屬納米粒子的表面存在著大量自由振蕩的電子，并且其具有一定的頻率，當這個頻率與入射光的頻率相等時，那么在金屬納米粒子表面的局部區(qū)域內光子與電子發(fā)生共振，從而極大地增強了器件對光的吸收。后者的激發(fā)條件比較簡單，即金屬納米粒子的大小應小于入射光的波長，且改變其大小能夠調控共振波段，因此可調節(jié)性更好，應用更加靈活，被較廣地用于加強器件的性能。飛博光電低失真光電探測器推薦貨源
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