在動態(tài)特性（即頻率響應與時間響應）方面，以光電倍增管和光電二極管（尤其是PIN管與雪崩管）為比較好；在光電特性（即線性）方面，以光電倍增管、光電二極管和光電池為比較好；在靈敏度方面，以光電倍增管、雪崩光電二極管、光敏電阻和光電三極管為比較好。值得指出的是，靈敏度高不一定就是輸出電流大，而輸出電流大的器件有大面積光電池、光敏電阻、雪崩光電二極管和光電三極管；外加偏置電壓比較低的是光電二極管、光電三極管，光電池不需外加偏置；在暗電流方面，光電倍增管和光電二極管較小，光電池不加偏置時無暗電流，加反向偏置后暗電流也比光電倍增管和光電二極管大；長期工作的穩(wěn)定性方面，以光電二極管、光電池為比較好，其次是光電倍增管與光電三極管；在光譜響應方面，以光電倍增管和CdSe光敏電阻為較寬，但光電倍增管響應偏紫外方向，而光敏電阻響應偏紅外方向。當光在半導體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減。PIN光電探測器一般多少錢
光電探測器必須和光信號的調制形式、信號頻率及波形相匹配，以保證得到?jīng)]有頻率失真的輸出波形和良好的時間響應。這種情況主要是選擇響應時間短或上限頻率高的器件，但在電路上也要注意匹配好動態(tài)參數(shù)；光電探測器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配，以保證有足夠大的轉換系數(shù)、線性范圍、信噪比及快速的動態(tài)響應等；為使器件能長期穩(wěn)定可靠地工作，必須注意選擇好器件的規(guī)格和使用的環(huán)境條件，并且要使器件在額定條件下才能使用。廣東50GHZ PIN光電探測器標準光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導率發(fā)生改變。
1873年，英國W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導體的發(fā)展，各種新的光電導材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。工作原理和特性光電導效應是內光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠將價帶中的電子激發(fā)到導帶，從而產生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數(shù)，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導體的響應長波限λc為λc=hc/Eg=1.24/Eg(μm)式中c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。
雪崩光電二級管（APD）是得用光生載流子在高電場區(qū)內的雪崩效應而獲得光電流增益，具有靈敏度高、響應快等優(yōu)點，通常用于激光測距、激光雷達、弱光檢測（非線性）。APD雪崩倍增的過程是：當光電二極管的p-n結加相當大的反向偏壓時，在耗盡層內將產生一個很高的電場，它足以使在強電場區(qū)漂移的光生載流子獲得充分的動能，通過與晶格原子碰撞將產生新的電子-空穴對。新的電子-空穴對在強電場作用下，分別向相反的方向運動，在運動過程中又可能與原子碰撞再一次產生新的電子-空穴對。如此反復，形成雪崩式的載流子倍增加。這個過程就是APD的工作基礎。APD一般在略低于反向南穿電壓值的反偏壓下工作。在無光照時，p-n結不會發(fā)生雪崩倍增效應。但結區(qū)一旦有光照射，激發(fā)出的光生載流子就被臨界強電場加速而導致雪崩倍增。若反向偏壓大于反向擊穿電壓時，光電流的增益可達（十的六次方）即發(fā)生“自持雪崩倍增”。由于這時出現(xiàn)的散粒噪聲可增大到放大器的噪聲水平，以致使器件無法使用。利用外光電效應制成的光子型探測器是真空電子器件，如光電管、光電倍增管和紅外變像管等。
光電三級管與光電二極管比較，光電三級管輸出電流較大，一般在毫安級，但光照特性較差，多用于要求輸出電流較大的場合。光電三極管有pnp和npn型兩種結構，常用材料有硅和鍺。例如用硅材料制作的npn型結有3DU型，pnp型有3CU型。采用硅npn型光電三極管，其暗電流比鍺光電三極管小，且受溫度變化影響小，所以得到位廣泛應用。下面以3DU型光電三極管為例說明它的結構、工作原理與主要特性。3DU型光電三極管是以p型硅為基極的三極管。3DU管的結構和普通晶體管類似，只是在材料的摻雜情況、結面積的大小和基極引線的設置上和普通晶體管不同。因為光電三極管要響應光輻射，受光面即集電結（bc結）面積比一般晶體管大。另外，它是利用光控制集電極電流的，所以在基極上既可設置引線進行電控制，也可以不設，完全同光一控制。它的工作原理是工作時各電極所加的電壓與普通晶體管相同，即要保證集電結反偏置，發(fā)射正偏聽偏置。由于集電結是反偏壓，在結區(qū)有很強的內建電場，對3DU管來講，內建電場方向是由c到b的。和光電二極管工作原理相同。APD雪崩二極管其主要缺點是噪聲較大。廣東50GHZ PIN光電探測器標準
光電探測器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配。PIN光電探測器一般多少錢
當金屬表面在特定的光輻照作用下，金屬會吸收光子并發(fā)射電子，發(fā)射出來的電子叫做光電子。光的波長需小于某一臨界值時方能發(fā)射電子，其臨界值即極限頻率和極限波長。臨界值取決于金屬材料，而發(fā)射電子的能量取決于光的波長而非光的強度，這一點無法用光的波動性解釋。還有一點與光的波動性相矛盾，即光電效應的瞬時性，按波動性理論，如果入射光較弱，照射的時間要長一些，金屬中的電子才能積累住足夠的能量，飛出金屬表面?？墒聦嵤?，只要光的頻率高于金屬的極限頻率，光的亮度無論強弱，電子的產生都幾乎是瞬時的，不超過十的負九次方秒。正確的解釋是光必定是由與波長有關的嚴格規(guī)定的能量單位(即光子或光量子)所組成。這種解釋為愛因斯坦所提出。光電效應由德國物理學家赫茲于1887年發(fā)現(xiàn)，對發(fā)展量子理論及波粒二象性起了根本性的作用。根據(jù)愛因斯坦的光電子效應，光子是運動著的粒子流，每種光子的能量為hv(v為光波頻率，h為普朗克常數(shù))，由此可見不同頻率的光子具有不同的能量，光波頻率越高，光子能量越大。假設光子的全部能量交給光子，電子能量將會增加，增加的能量一部分用于克服正離子的束縛，另一部分轉換成電子能量。PIN光電探測器一般多少錢
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