1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司**開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強電的電力調(diào)控功能。2(2)晶閘管智能模塊采用進口方形芯片、高級芯片支撐板,模塊壓降小、功耗低,效率高,節(jié)電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,經(jīng)獨特處理方法和特殊焊接工藝,保證焊接層無空洞,導熱性能好。熱循環(huán)負載次數(shù)高于國家標準近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用高級導熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優(yōu)良。6(6)晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導熱底板相互隔離,導熱底板不帶電.絕緣強度≥2500V(RMS),保證人身安全。正高電氣以顧客為本,誠信服務(wù)為經(jīng)營理念。江蘇三相整流調(diào)壓模塊報價
AA)替代國外模塊型號ZX5WSMNBK雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG(AA)60A/400V三社(SanRex)PWB60A;三菱(MITSUBI)TM60SZ-M;TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG(AA)80A/400VSanRexPWB90A;MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG(AA)130A/400VSanRexPWB130A;MITSUBITM130SZ-M;英達PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG(AA)160A/400VMITSUBITM150SZ-M;英達PFT1503NMTG300A/800VMTG(AA)200A/400VSanRexPWB200AA;MITSUBITM200SZ-M英達PFT2003N;注:上表中MTG型為普通壓降模塊;MTG(AA)為低電壓低導通壓降型模塊。l焊機用模塊電流和電壓計算:我公司MTG、MTG(AA)焊機**模塊可以使用在很多不同型號規(guī)格的焊機中,如ZX5普通焊機;WSM直流氬弧焊機;NBKCO2氣體保護焊機。這些焊機目前都采用流行的雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器主回路形式,如下圖:(雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器主回路)2該線路相當于正極性和反極性兩組三相半波整流電路并聯(lián)。每只晶閘管的比較大導通角為120o,負載電流Id同時由兩個晶閘管和兩個變壓器繞組供給,每只管子承擔1/6的Id,任何瞬時,正,負極性組均有一支電路導通工作。2該線路提高了變壓器利用率。濟南行車晶閘管智能模塊正高電氣智造產(chǎn)品,制造品質(zhì)是我們服務(wù)環(huán)境的決心。
即俗稱底板是否帶電。絕緣型的模塊多用在交流焊機中,如應(yīng)用于點焊、電阻焊機中的晶閘管模塊MTX系列;應(yīng)用于CO2氣體保護焊機、WSM普通焊機等MTG系列模塊。各焊機應(yīng)用晶閘管模塊在下表中簡述:整機種類使用模塊常見主回路形式電路特點S可控硅直流氬弧焊機MFG單相全波整流CO2氣保焊機MDG雙反星并聯(lián)(帶平衡電抗器)CO2氣保焊機MTG雙反星并聯(lián)(帶平衡電抗器)逆變焊機變頻器MDCMDQMDS單相或三相整流橋點焊機MTXMTC電子開關(guān)三、CO2焊機**晶閘管MTG模塊:l模塊內(nèi)部電路圖:l焊機**MTG模塊特點簡介:2MTG模塊是由三只共陽極晶閘管封裝在一起的模塊化結(jié)構(gòu)組件。模塊內(nèi)管芯參數(shù)針對焊機特點專門設(shè)計,額定結(jié)溫高、通態(tài)壓降低、通流和過載能力強動態(tài)性能的一致性好、耐疲勞性強,免除螺栓式晶閘管裝機前參數(shù)挑選和配對的難題,提高工效。2焊機目前正朝模塊化方向發(fā)展,而且由于裝配,調(diào)試,維修簡單;整機裝置美觀大方等優(yōu)點;能明顯地提升焊機品位,因此模塊應(yīng)用會越來越。l適用焊機典型主回路形式:適用于雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器電路l焊機額定輸出電流對模塊的選擇:見下表焊機型號適用主回路焊機額定輸出電流MTGMTG。
硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關(guān),溫度越低耐壓越高;另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,能多次使用,當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,其結(jié)構(gòu)為兩個電極,電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),只有很小的漏電流,其值小于100μA。當加上電壓時,引起了電子雪崩,粒界層迅速變成低阻抗,電流迅速增加,泄漏了能量,了過電壓,從而使晶閘管得到保護。浪涌過后,粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標稱電壓:指壓敏電阻流過1mA直流電流時,其兩端的電壓值。通流容量:是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流,每隔5分鐘沖擊1次,共沖擊10次,標稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來表示。因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數(shù),標稱電壓值不僅會隨著放電次數(shù)增多而下降,而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,當大到某一電流時,標稱電壓下降到0,壓敏電阻出現(xiàn)穿孔,甚至炸裂;因此必須限定通流容量?!百|(zhì)量優(yōu)先,用戶至上,以質(zhì)量求發(fā)展,與用戶共創(chuàng)雙贏”是正高電氣新的經(jīng)營觀。
強型120A增強型150A增強型200A增強型300A增強型400A型號LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P400D1H3400Z㈤技術(shù)參數(shù)輸入?yún)?shù)輸入電壓范圍D3:3-36Vdc,D2:18-30Vdc,A3:90-430Vac,D1:4-8Vdc輸入電流5mA-15mA反接保護有LED指示有輸出參數(shù)額定工作電壓4:48~480Vac,3:36-430Vac,2:24-265Vac,1:12-135Vac輸出通態(tài)壓降<2Vac斷態(tài)峰值截止電壓Vp4:≥1100Vpk,3:≥900Vpk,2:≥600Vpk,1:≥400Vpk浪涌電流(電網(wǎng)一周)800%**小負載電流100mA輸出漏電流16A及以下<2mA,16A以上<12mA靜態(tài)電壓上升率dVs/dt100V/μs(普通型)、200V/μs(增強型)換向電壓上升率dVc/dt10V/μs(普通型)、200V/μs(增強型)開啟比較大響應(yīng)時間10ms關(guān)斷比較大延時10ms其它參數(shù)介質(zhì)耐壓(輸入、輸出及外殼間)≥2000Vac絕緣電阻(輸入、輸出及外殼間)>1000MΩ。正高電氣公司依托便利的區(qū)位和人才優(yōu)勢。江蘇三相整流調(diào)壓模塊報價
正高電氣注重于產(chǎn)品的環(huán)保性能,將應(yīng)用美學與環(huán)保健康結(jié)合起來。江蘇三相整流調(diào)壓模塊報價
晶閘管模塊的類型
晶閘管模塊通常被稱之為功率半導體模塊,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。
根據(jù)封裝工藝的不同,晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。
晶閘管模塊可分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX);普通整流模塊(MDC);普通晶閘管、整流混合模塊(MFC);快速晶閘管、整流混合模塊(MKC\MZC);非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(通常稱為電焊機**模塊MTG\MDG);三相整流橋輸出晶閘管模塊(MDS);單相(三相)整流橋模塊(MDQ);單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)。 江蘇三相整流調(diào)壓模塊報價
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