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    當C5上的電壓上升到氛管的導通電壓時，雙向晶閘管就會被觸發(fā)導通。另一種是用兩個NPN型三極管反向串聯（基極開路）代替雙向觸發(fā)二極管，調壓效果還不錯。再有一種是用RC電路取代雙向觸發(fā)二極管，調壓效果要差一些，在對調壓器性能要求不高的情況下可以使用。雙向晶閘管能不能也采用單結晶體管張弛振蕩器組成的觸發(fā)電路呢？雙向晶閘管的特點是不論給它的控制極加上正的或負的觸發(fā)脈沖都能使它導通，所以，單結晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發(fā)電路。這種觸發(fā)電路調壓效果很好，只是電路比較復雜。由于單結晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電，所以應用橋式整流電路得到全波脈動直流電壓，再經過穩(wěn)壓管VD削波成為梯形波電壓，為張弛振蕩器供電。為什么使用梯形波電壓而不用濾波電容器得到平滑的直流電壓呢？一定要用梯形波電壓，不能使用平滑的直流電壓。這是為了能使觸發(fā)脈沖與交流電源同步。經過全波整流、穩(wěn)壓管削波后得到的梯形波電壓與主電路電壓是同步變化的，即二者同時經過零值，同時上升，同時下降。這樣，當晶閘管上承受的主電壓過零時。正高電氣以快的速度提供好的產品質量和好的價格及完善的售后服務。濟南MTAC75晶閘管智能模塊生產廠家

    檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負）接單結晶體管除發(fā)射極E以外的兩個管腳，讀數應為3～10kΩ。[7]檢測PN結正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數均應為數千歐。對調兩表筆后檢測PN結反向電阻，讀數均應為無窮大。如果測量結果與上述不符，說明被測單結管已損壞。[8]測量單結晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結晶體管的基本應用是組成脈沖產生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結構大為簡化。圖示為單結晶體管弛張振蕩器。單結管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln為自然對數，即以e（）為底的對數。[10]單結晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調光臺燈電路。在交流電的每半周內，晶閘管VS由單結管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導通，調節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時間，即改變了VS的導通角，從而改變了流過燈泡EL的電流，實現了調光的目的。[11]晶體閘流管簡稱為晶閘管，也叫做可控硅。濟南MTAC75晶閘管智能模塊生產廠家正高電氣傾城服務，確保產品質量無后顧之憂。

    并提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發(fā)射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導通。晶閘管在導通后，門極已失去作用。在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態(tài)。可關斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點為，當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關斷。前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發(fā)之后，撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲使之關斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強近關斷。這就需要增加換向電路，不僅使設備的體積重量增大，而且會降低效率，產生波形失真和噪聲?？申P斷晶閘管克服了上述缺點，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點。

    以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值。正高電氣技術力量雄厚，工裝設備和檢測儀器齊備，檢驗與實驗手段完善。

    逆變橋進入工作狀態(tài)，開始起振，若不起振，表現為它激信號反復作掃頻動作，可調節(jié)中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調后，仍然起動不起來。此時應確認一下槽路的諧振頻率是否正確，可以用電容/電感表測量一下電熱電容器的電容量及感應器的電感量，計算出槽路的諧振頻率，當槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的，起動應該是很容易的。再著就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。（W3W4）逆變起振后，可做整定逆變引前然的工作，把DIP開關均打在OFF位置，用示波器觀察電壓互感器100V繞組的波形，調節(jié)主控板上W4微調電位器，使逆變換相引前角在22°左右，此時中頻輸出電壓與直流電壓的比為（若換相重疊角較大，可適當增大逆變換相引前角），此步整定的是**小逆變引前角，一般期望它盡可能的小，當然，過小的逆變換相此前角會使逆變換相失敗，表現為中頻電壓升高時，會出現重復起動。再把DIP-2開關打在ON位置，調節(jié)主控板上W3微調電位器，整定比較大逆變換相引前角。根據不同的中頻輸出電壓的要求，比較大逆變換相引前角亦不同，如中頻裝置三相輸入電壓為380V，額定中頻輸出電壓為750V時。正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。聊城MTAC350晶閘管智能模塊組件

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    限流作用的強弱調節(jié)使靜止的。無接觸的。非機械式的，這就為微電子技術打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結構上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數量級。對于電動機系統的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產生的高次諧波會比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些。磁控軟起動裝置需要有相對較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動晶閘管軟起動產品的問世是當今電力電子器件長足進步的結果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動將引發(fā)軟起動行業(yè)的一場**。晶閘管軟啟動器主要性能優(yōu)于液阻軟起動。與液阻軟起動相比，它體積小，結構緊湊，維護量小，功能齊全，菜單豐富，起動重復性好，保護周全，這些都是液阻軟起動難以望其項背的。濟南MTAC75晶閘管智能模塊生產廠家

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