可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。淄博正高電氣有限公司品牌價值不斷提升。聊城反并聯(lián)可控硅模塊配件
可控硅模塊的分類:
1、以關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式來分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
2、以引腳和極性來分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
3、以封裝形式來分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
4、以電流容量來分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
5、以關(guān)斷速度來分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
6、過零觸發(fā),一般是調(diào)功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),必須是過零點才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅參數(shù)介紹
7、非過零觸發(fā),無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸發(fā)。
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可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合,如工業(yè)、通信、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等,根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連,完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動。并可結(jié)束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。
可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點,自上個世紀六十長代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門**的學科。
可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在,在工藝上已經(jīng)非常成熟,品質(zhì)更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發(fā)展。
可控硅模塊規(guī)格的選擇方法:考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流,存在導(dǎo)通角問題,負載電流存在一些波動和不穩(wěn)定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規(guī)格時必須留出一定的裕度。
推薦選擇方法可按照以下公式計算:I>K×I負載×U∕U實際
K :安全系數(shù),阻性負載K= 1.5,感性負載K= 2;
I負載:負載流過的強大電流; U實際:負載上的小電壓;
U強大 模塊能輸出的強大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規(guī)格均為1.0倍);
I:需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 淄博正高電氣有限公司周邊生態(tài)環(huán)境狀況好。
可控整流:如同二極管整流一樣,將交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;
無觸點功率靜態(tài)開關(guān)(固態(tài)開關(guān)):作為功率開關(guān)元件,可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場合。
因此可控硅元件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品的電路中,多作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關(guān)等用途。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、聲控電路、定時控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動門電路、以及玩具裝置、電動工具產(chǎn)品、無線電遙控電路、攝像機等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。 淄博正高電氣有限公司過硬的產(chǎn)品質(zhì)量、質(zhì)量的售后服務(wù)、認真嚴格的企業(yè)管理,贏得客戶的信譽。聊城反并聯(lián)可控硅模塊配件
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雙向可控硅晶閘管使用中,應(yīng)特別注意以下事項:
1.靈敏度
雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通,但是觸發(fā)靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。
2.可控硅過載的保護
可控硅元件優(yōu)點很多,但是它過載能力差,短時間的過流,過壓都會造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件:
(1)外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓,否則控制極將不起作用;
(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來??;
(3)為保證控制極可靠觸發(fā),加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護措施,一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),當在交流側(cè)時額定電流取大些,一般多采用前者,過電壓保護常發(fā)生在存在電感的電路上,或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。
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