山東反并聯(lián)可控硅模塊報價

來源: 發(fā)布時間:2024-03-12

雙向可控硅的檢測

用萬用表電阻R×1檔,用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳正反向電阻,結果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時,該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽極A1和控制極G,另一空腳即為第二陽極A2。確定A、G極后,再仔細測量A1、G極間正反向電阻,讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為陽極A1,紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定了的第二陽極A2,紅表筆接陽極A1,此時萬用表指針應不發(fā)生偏轉,阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接,給G極加上正向觸發(fā)電壓,A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開A2、G極短接線,萬用表讀數(shù)應保持10歐姆左右?;Q紅黑表筆接線,紅表筆接第二陽極A2,黑表筆接陽極A1。同樣萬用表指針應不發(fā)生偏轉,阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接,給G極加上負向的觸發(fā)電壓,A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線,萬用表讀數(shù)應不變,保持10歐姆左右。符合以上規(guī)律,說明被測雙向可控硅管未損壞且三個引腳極性判斷正確。

檢測較大功率可控硅管是地,需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池,以提高觸發(fā)電壓。 淄博正高電氣有限公司與廣大客戶攜手共創(chuàng)碧水藍天。山東反并聯(lián)可控硅模塊報價

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導通角與模塊輸出電流的關系:山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關系,模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流。在小導通角(輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽螅娏鞯挠行е岛苄。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。?,但是輸出電流的有效值很大,半導體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。因此,山東可控硅模塊應選擇在強大導通角的65%以上工作,及控制電壓應在5V以上。泰安小功率可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司周邊生態(tài)環(huán)境狀況好。

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接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右,如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大,表明控制極與陰極之間的PN結已經(jīng)損壞。反向阻值應很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞,工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動,黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉,阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,陰極接紅表筆時,萬用表指針發(fā)生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。

可控硅模塊的操控端口與操控線

可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法,別離對應于5芯、9芯、15芯的操控線。選用電壓信號的商品只用**腳端口,其他為空腳,選用電流信號的9腳為信號輸入,操控線的屏蔽層銅線應焊接到直流電源地線上,聯(lián)接時注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業(yè)或能夠燒壞模塊。

可控硅模塊操控端口插座和操控線插座上都有編號,請一一對應,不要接反。以上六個端口為模塊根柢端口,其它端口為分外端口,只在具有多功用商品中運用,一般調(diào)壓商品其他腳為空腳。 淄博正高電氣有限公司誠信、盡責、堅韌。

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過電壓會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感,當正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導并導致電路故障;當施加的反向電壓超過urrm值時,可控硅模塊會立即損壞。因此,需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化,使系統(tǒng)轉換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對可控硅模塊非常危險。


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可控硅模塊規(guī)格的選擇方法:考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流,存在導通角問題,負載電流存在一些波動和不穩(wěn)定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規(guī)格時必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計算:I>K×I負載×U∕U實際

K :安全系數(shù),阻性負載K= 1.5,感性負載K= 2;

I負載:負載流過的強大電流; U實際:負載上的小電壓;

U強大 模塊能輸出的強大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規(guī)格均為1.0倍);

I:需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 山東反并聯(lián)可控硅模塊報價

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