河北三相交流調壓模塊組件

來源: 發(fā)布時間:2024-07-03

    由于晶閘管在導通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,所以元件在關斷過程中,正向電壓下降到零時,內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產(chǎn)生的感應電勢L(di/dt)值仍很大,這個電勢和電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復阻斷的元件上,可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓,稱為關斷過電壓,其數(shù)值可達工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產(chǎn)生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。比較好采用無感電阻,以取得較好的保護效果。各型號模塊對應的電阻和電容值根據(jù)表10選取。(2)壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量。正高電氣始終堅持以人為本,恪守質量為金,同建雄績偉業(yè)。河北三相交流調壓模塊組件

河北三相交流調壓模塊組件,晶閘管模塊

    電力電子開關技術領域,尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術:電力電子開關是指利用電子電路以及電力電子器件實現(xiàn)電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅動器件,如晶閘管、晶體管、場效應管、可控硅、繼電器等。其中,現(xiàn)有的晶閘管*能夠實現(xiàn)單路控制,不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此,針對上述問題,有必要提出進一步的解決方案。技術實現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,以克服現(xiàn)有技術中存在的不足。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊,其包括:外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元;所述晶閘管單元包括:壓塊、門極壓接式組件、導電片、第二導電片、瓷板,所述壓塊設置于所述門極壓接式組件上,并通過所述門極壓接式組件對所述導電片、第二導電片、瓷板施加壓合作用力,所述導電片、第二導電片、瓷板依次設置于所述銅底板上;所述第二晶閘管單元包括:第二壓塊、第二門極壓接式組件、第三導電片、鉬片、銀片、鋁片,所述第二壓塊設置于所述第二門極壓接式組件上。河北三相交流調壓模塊組件正高電氣材料竭誠為您服務,期待與您的合作!

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晶閘管模塊的類型

晶閘管模塊通常被稱之為功率半導體模塊,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。

根據(jù)封裝工藝的不同,晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。

晶閘管模塊可分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX);普通整流模塊(MDC);普通晶閘管、整流混合模塊(MFC);快速晶閘管、整流混合模塊(MKC\MZC);非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(通常稱為電焊機**模塊MTG\MDG);三相整流橋輸出晶閘管模塊(MDS);單相(三相)整流橋模塊(MDQ);單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)。

    它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,以具有自關斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域,顯示出強大的生命力??申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結構及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同,但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導通后只能達到臨界飽和,所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關斷增益,βoff,它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當黑表筆接G極。正高電氣是多層次的模式與管理模式。

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    VDRM)的計算:由公式:Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM;VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT(AV)的計算:由于該線路相當于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式:Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT(AV)=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍,但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項:l電力半導體模塊屬于溫度敏感性器件,使用時必須安裝于散熱器上。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后,在模塊底板上均勻涂上(采用滾柱來回滾動涂抹)導熱硅脂,導熱硅脂剛好能夠覆蓋整個底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊,檢查模塊底板整個區(qū)域是否完全沾潤。l手冊中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器、強通風冷(風速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負載下得出的。若使用條件發(fā)生變化(如感性負載)額定電流就會下降。l散熱器與模塊接觸面應平整,散熱器的平面度≤(1),確保良好的熱傳導,電極與銅排連接時。正高電氣以質量為生命”保障產(chǎn)品品質。河北三相交流調壓模塊組件

正高電氣企業(yè)文化:服務至上,追求超越,群策群力,共赴超越。河北三相交流調壓模塊組件

    按規(guī)定應采用風冷的模塊而采用自冷時,則電流的額定值應降低到原有值的30~40[%],反之如果改為采用水冷時,則電流的額定值可以增大30~40[%]。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風機,我們確定了不同型號模塊在其額定電流工作狀態(tài)下,環(huán)境溫度為40℃時所需的散熱器長度、風機規(guī)格、數(shù)量及散熱器基礎參數(shù)等,請參考說明書。另外,在表內(nèi)出具了每個型號的模塊在峰值壓降、比較大標稱電流和阻性負載條件下的功耗值,以便于用戶自己確定散熱器尺寸時做參考。在實際應用中,應注意以下幾點:(1)軸流風機風速應≥6m/s。(2)若模塊達不到滿負荷工作,可酌減散熱器長度。(3)在設備開機前,應檢查模塊所有螺釘是否牢固,若有松動,應擰緊螺釘,以使模塊底板和散熱器表面以及模塊電極和接線端子之間都能夠緊密接觸,達到比較好散熱效果。(4)采用自然冷卻形式時,必須保證散熱器周圍的空氣能夠自然對流。(5)因水冷散熱效果好,有水冷條件的,應優(yōu)先水冷散熱形式。河北三相交流調壓模塊組件

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