濰坊雙向可控硅模塊

可控硅模塊的設(shè)備與維護(hù)

（1）在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊，幾個(gè)螺釘要順次固定，用力要均勻，重復(fù)幾回，直至強(qiáng)健，使模塊底板與散熱器外表嚴(yán)密觸摸。

（2）把散熱器和風(fēng)機(jī)按需求安裝好后，筆直固定于機(jī)箱合適方位。

（3）用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，然后套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上，并堅(jiān)持超卓的平面壓力觸摸，阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。  

（4）為延伸商品運(yùn)用壽數(shù)，主張每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次，替換一次導(dǎo)熱硅脂，鏟除外表塵土，緊固各壓線螺釘。 淄博正高電氣有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。濰坊雙向可控硅模塊

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

該智能模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、**等各類電氣操控、電源等，依據(jù)還可經(jīng)過(guò)模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接，結(jié)束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功用，并可結(jié)束過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺持平維護(hù)功用。

可控硅模塊的操控辦法

經(jīng)過(guò)輸入模塊操控接口一個(gè)可調(diào)的電壓或許電流信號(hào)，經(jīng)過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行滑潤(rùn)調(diào)度，結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或悉數(shù)導(dǎo)通的進(jìn)程。

電壓或電流信號(hào)可取自各種操控外表、核算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種辦法；操控信號(hào)選用0～5V，0～10V，4～20mA三種對(duì)比常用的操控辦法。

可控硅模塊的接線方法

可控硅模塊在電力工業(yè)中占有重要地位。很多人知道可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)和使用方法，但不知道如何連接可控硅模塊。我們來(lái)談?wù)効煽毓枘K的連接方法。

單個(gè)晶閘管反向并聯(lián)。記得增加RC保護(hù)電路?？刂平涣麟?，單向晶閘管一定要反向并聯(lián)，因此2和3應(yīng)短接使用。

可控硅的介紹：

這是一種由三個(gè)晶閘管引起的共正晶閘管模塊，主要用于三相半波整流電路。

或者三相全控橋可以由一個(gè)普通的負(fù)三相半波整流器構(gòu)成。

調(diào)速器：紅色，藍(lán)色，黑色，3根電線，紅色電池正極，黑色電池負(fù)極，藍(lán)色連接電機(jī)負(fù)極，電機(jī)正極帶一根線到電池正極。

可控硅模塊在應(yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在：

可控整流器：如二極管整流器，交流整流器整流為直流，在交流電壓不變的情況下，可有效控制直流輸出電壓，實(shí)現(xiàn)交流/直流的轉(zhuǎn)換。

無(wú)觸點(diǎn)電源靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）：晶閘管模塊作為電源開關(guān)元件，可在開關(guān)頻率較高的場(chǎng)合替代接觸器和繼電器。

因此，可控硅模塊普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中，如可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)等。晶閘管模塊廣泛應(yīng)用于家用電器的工業(yè)控制領(lǐng)域，如調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、語(yǔ)音控制電路、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動(dòng)門電路、玩具裝置等。電動(dòng)工具產(chǎn)品、無(wú)線電遙控電路、攝像機(jī)等領(lǐng)域都大量的使用了可控硅模塊。 淄博正高電氣有限公司真誠(chéng)希望與您攜手、共創(chuàng)輝煌。

過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過(guò)電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來(lái)講講過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過(guò)電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對(duì)過(guò)電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)udrm值時(shí)，可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)urrm值時(shí)，可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此，需要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和過(guò)電壓的方法。

過(guò)電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過(guò)電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。

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可控硅模塊特點(diǎn)：

1 對(duì)耐壓級(jí)別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。

2 對(duì)電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。同時(shí)，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對(duì)通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對(duì)維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。

5 對(duì)電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會(huì)存在寄生電容。 濰坊雙向可控硅模塊

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