鞍山單相整流調(diào)壓模塊品牌

    特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝3、全壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4、350A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，400A以上模塊既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷5、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便典型應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制2、各種整流電源3、工業(yè)加熱控制4、調(diào)光5、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)6、電機(jī)軟起動(dòng)7、靜止無(wú)功補(bǔ)償8、電焊機(jī)9、變頻器10、UPS電源11、如果產(chǎn)品裝機(jī)配型不適用，可退換貨給您滿意貼心的服務(wù)，是我們一貫的宗旨！有10多年功率半導(dǎo)體元器件制造經(jīng)驗(yàn)，是專(zhuān)業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、封裝、測(cè)試、銷(xiāo)售、技術(shù)服務(wù)為一體的****，多年來(lái)一直從事冶金自動(dòng)化和鐵路電氣化領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化工作。我公司的電力半導(dǎo)體器件有：全系列功率模塊(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)，軟恢復(fù)快速整流管(FRD)，旋轉(zhuǎn)整流管(ZX)。大功率組合整流元件，普通晶閘管(KP)，快速晶閘管(KK)，雙向晶閘管(KS)，逆導(dǎo)晶閘管(KN)，可關(guān)斷晶閘管(GTO)，電力晶體管(GTR)發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵(lì)磁整流組件，各種功率單元。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源。正高電氣愿與各界朋友攜手共進(jìn)，共創(chuàng)未來(lái)！鞍山單相整流調(diào)壓模塊品牌

    晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù)；4、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷；7、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號(hào)說(shuō)明：三、技術(shù)參數(shù)：型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式：五、產(chǎn)品應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制；2、各種整流電源；3、工業(yè)加熱控制；4、調(diào)光；5、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)；6、電機(jī)軟起動(dòng)；7、靜止無(wú)功補(bǔ)嘗；8、電焊機(jī)；9、變頻器；10、UPS電源；11、電池充放電。說(shuō)明：，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值，表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;，在50HZ頻率下，I2t(10ms)=(A2S);d.當(dāng)使用在電流為60HZ情況下，Itsm()=(10ms),I2t()=。鞍山單相整流調(diào)壓模塊品牌正高電氣企業(yè)文化：服務(wù)至上，追求超越，群策群力，共赴超越。

    它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來(lái)方便地改變負(fù)載的交流工作電壓，從而應(yīng)用于精確地調(diào)溫、調(diào)光等阻性負(fù)載及部分感性負(fù)載場(chǎng)合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強(qiáng)型的區(qū)別在感性負(fù)載的場(chǎng)合，當(dāng)LSR由通態(tài)關(guān)斷時(shí)，由于電流、電壓的相位不一致，將產(chǎn)生一個(gè)很大的電壓上升率dv/dt（換向dv/dt）加在雙向可控硅兩端，如此值超過(guò)雙向可控硅的換向dv/dt指標(biāo)(典型值為10V/μs)則將導(dǎo)致延時(shí)關(guān)斷，甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態(tài)，只受靜態(tài)電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響，由兩只單向可控硅反并聯(lián)構(gòu)成的增強(qiáng)型LSR比由一只雙向可控硅構(gòu)成的普通型LSR的換向dv/dt有了很大提高，因此在感性或容性負(fù)載場(chǎng)合宜選取增強(qiáng)型LSR。㈣繼電器負(fù)載輸出端電流等級(jí)及型號(hào)如下表：電流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增強(qiáng)型15A增強(qiáng)型35A型號(hào)LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1電流增強(qiáng)型50A增強(qiáng)型70A增強(qiáng)型90A。

    硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí)，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過(guò)電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過(guò)后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示。標(biāo)稱(chēng)電壓：指壓敏電阻流過(guò)1mA直流電流時(shí)，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標(biāo)稱(chēng)電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來(lái)表示。因?yàn)檎５膲好綦娮枇＝鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù)，標(biāo)稱(chēng)電壓值不僅會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一電流時(shí)，標(biāo)稱(chēng)電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種，為用戶提供了更多的選擇空間。

    750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門(mén)極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門(mén)極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時(shí)間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬(wàn)用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞。測(cè)試內(nèi)容主要分三項(xiàng)：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬(wàn)用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見(jiàn)圖3(a)），電阻值應(yīng)為5～10Ω。若阻值為零，證明內(nèi)部二極管短路；電阻為無(wú)窮大，說(shuō)明二極管開(kāi)路。2．測(cè)量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表，使RCT正向擊穿，由直流電壓表上讀出V（BO）值。3．檢查觸發(fā)能力實(shí)例：使用500型萬(wàn)用表和ZC25-3型兆歐表測(cè)量一只S3900MF型逆導(dǎo)晶閘管。依次選擇R×1k、R×100、R×10和R×1檔測(cè)量A-K極間反向電阻，同時(shí)用讀取電壓法求出出內(nèi)部二極管的反向?qū)妷篤TR（實(shí)際是二極管正向電壓VF）。再用兆歐表和萬(wàn)用表500VDC檔測(cè)得V（BO）值。全部數(shù)據(jù)整理成表1。由此證明被測(cè)RCT質(zhì)量良好。注意事項(xiàng)：（1）S3900MF的VTR<，宜選R×1檔測(cè)量。（2）若再用讀取電流法求出ITR值，還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片，但應(yīng)遠(yuǎn)離發(fā)熱元件。正高電氣優(yōu)良的研發(fā)與生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)，專(zhuān)業(yè)的技術(shù)支撐。濱州反并聯(lián)晶閘管模塊價(jià)格

正高電氣是多層次的模式與管理模式。鞍山單相整流調(diào)壓模塊品牌

    并通過(guò)所述第二門(mén)極壓接式組件對(duì)所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力，所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片依次設(shè)置于所述銅底板上。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，任一所述接頭包括：螺栓和螺母，所述螺栓與螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過(guò)硅凝膠對(duì)位于其上的導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過(guò)硅凝膠對(duì)位于其上的第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述壓塊和第二壓塊上還設(shè)置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述外殼上還設(shè)置有門(mén)極銅排安裝座。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過(guò)設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地。鞍山單相整流調(diào)壓模塊品牌

淄博正高電氣有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開(kāi)創(chuàng)新天地，繪畫(huà)新藍(lán)圖，在山東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶不容易，失去每一個(gè)用戶很簡(jiǎn)單”的理念，市場(chǎng)是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開(kāi)創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來(lái)淄博正高電氣供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái)，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī)，也不足以驕傲，過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢(mèng)想！