只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。
這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內(nèi)可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐撦d上脈沖直流電壓的平均值UL,實現(xiàn)了可控整流。 淄博正高電氣有限公司不斷完善自我,滿足客戶需求。泰安雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家
可控硅元件在電氣設(shè)備中發(fā)揮重大作用,但可控硅使用中必須要注意運行環(huán)境和相關(guān)指標,防止可控硅損壞而影響到設(shè)備的正常使用。對此,在選用可控硅的額定電壓時,應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小,并留出一定的余量。
1、選用可控硅的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。
2、使用可控硅之前,應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,應立即更換。
3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。
5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。
6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。
河南反并聯(lián)可控硅模塊價格淄博正高電氣有限公司以質(zhì)量求生存,以信譽求發(fā)展!可控硅模塊選購注意事項:
(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號、結(jié)構(gòu)(螺栓、凹臺、凸臺)、配置散熱器型號。
(2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。
(3)選擇電流電壓時要留有適當?shù)挠嗔浚?
可控硅模塊使用注意事項:
(1)線路中須有過壓過流保護措施,串并聯(lián)使用時必須有均流措施。
(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞: 門陰極間電阻,應有十幾或幾十Ω,否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻,應大于1MΩ,(整流管正向除外),電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良,電阻近零時表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,應立即更換。
(3)嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。
(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。
(5)按規(guī)定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護裝置。
(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過載和反向擊穿。
可控硅模塊主要優(yōu)點如下:
(1)采用進口方形可控硅支撐板,降低了可控硅模塊的電壓,功耗低,效率高,節(jié)能效果好。
(2)采用進口插入元件,保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。
(3)(DCB)陶瓷銅板采用獨特的處理和特殊的焊接工藝,保證了晶閘管組件的焊接層無空腔,導熱性好。
(4)導熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。
(5)觸發(fā)控制電路、主電路和導熱基板相互隔離,導熱基板不帶電,介電強度≥2500V,保證安全。
(6)通過輸入0-10V直流控制信號,可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。
(7)可采用手動控制、儀表控制或微機控制。
(8)適用于電阻和電感負載。 淄博正高電氣有限公司敢于承擔、克難攻堅。
可控硅元件控制大電感負載時會有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象,其原因是當可控硅元件控制一個連接電感性負載的電路斷開或閉合時,其線圈中的電流通路被切斷,其變化率極大,因此在電感上產(chǎn)生一個高電壓,這個電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點的兩端,然后感應電壓一次次放電直到感應電壓低于放電所必須的電壓為止,在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上,并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間,這種脈沖具有很高的幅度,很寬的頻率,因而具有感性負載的開關(guān)點是一個很強的噪聲源。淄博正高電氣有限公司愿與各界朋友攜手共進,共創(chuàng)未來!泰安雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家
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單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1),二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。
單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無觸點開關(guān)。 泰安雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家
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