山東可控硅模塊廠家

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-10-29

可控硅模塊的設(shè)備與維護(hù)

(1)在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個(gè)螺釘要順次固定,用力要均勻,重復(fù)幾回,直至強(qiáng)健,使模塊底板與散熱器外表嚴(yán)密觸摸。

(2)把散熱器和風(fēng)機(jī)按需求安裝好后,筆直固定于機(jī)箱合適方位。

(3)用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,浸錫,然后套上絕緣熱縮管,用熱風(fēng)加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上,并堅(jiān)持超卓的平面壓力觸摸,阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。  

(4)為延伸商品運(yùn)用壽數(shù),主張每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次,替換一次導(dǎo)熱硅脂,鏟除外表塵土,緊固各壓線螺釘。 淄博正高電氣有限公司產(chǎn)品適用范圍廣,產(chǎn)品規(guī)格齊全,歡迎咨詢。山東可控硅模塊廠家

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可控硅模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到商品的運(yùn)用壽數(shù)和短時(shí)過載才華,溫度越低模塊的輸出電流越大,所以在運(yùn)用中有必要裝備散熱器和風(fēng)機(jī),主張選用帶有過熱維護(hù)功用的商品,有水冷散熱條件的優(yōu)先挑選水冷散熱。咱們經(jīng)過嚴(yán)肅測算,斷定了不一樣類型的商品所大概裝備的散熱器類型,推薦選用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī),用戶自備時(shí)按以下準(zhǔn)則挑選:

1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s ;

2、有必要能確保模塊正常作業(yè)時(shí)散熱底板溫度不大于80℃;

3、模塊負(fù)載較輕時(shí),可減小散熱器的大小或選用天然冷卻;

4、選用天然辦法冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能結(jié)束對流并恰當(dāng)增大散熱器面積;

5、悉數(shù)緊固模塊的螺釘有必要擰緊,壓線端子聯(lián)接強(qiáng)健,以削減次生熱量的發(fā)生,模塊底板和散熱器之間有必要要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊,以抵達(dá)良好散熱作用。 江蘇大功率可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司愿和各界朋友真誠合作一同開拓。

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任何的東西都有其使用的壽命,可控硅也不例外,可控硅模塊使用時(shí)間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法:

1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì),溫度計(jì)測點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高,溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。

2 可控硅模塊溫升按下式計(jì)算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測定:被測可控硅模塊溫升的測定,通常與減速機(jī)的承載能力及傳動效率測定同時(shí)進(jìn)行,也可單獨(dú)進(jìn)行,被測減速機(jī)在符合規(guī)定時(shí),讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度

實(shí)際上,可控硅模塊元件的結(jié)溫不容易直接測量,因此不能用它作為是否超溫的判據(jù)。通過控制模塊底板的溫度(即殼溫Tc)來控制結(jié)溫是一種有效的方法。由于PN結(jié)的結(jié)溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度,知道了殼溫也就知道了結(jié)溫,而相當(dāng)高殼溫Tc是限定的,由產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給出。借助溫控開關(guān)可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度(溫度傳感元件應(yīng)置于模塊底板溫度相當(dāng)高的位置)。從溫控天關(guān)測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個(gè)或兩個(gè)溫度控制電路,分別控制風(fēng)機(jī)的開啟或主回路的通斷(停機(jī)),就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結(jié)溫下正常工作。

  需要指出的是,溫控開關(guān)測量到的溫度是模塊底板表面的溫度,易受環(huán)境、空氣對流的影響,與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc,還有一定的差別(大約低幾度到十幾度),因此其實(shí)際控制溫度應(yīng)低于規(guī)定的Tc值。用戶可以根據(jù)實(shí)際情況和經(jīng)驗(yàn)決定控制的溫度。 淄博正高電氣有限公司與廣大客戶攜手共創(chuàng)碧水藍(lán)天。

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可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象,其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí),其線圈中的電流通路被切斷,其變化率極大,因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓,這個(gè)電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端,然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止,在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上,并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間,這種脈沖具有很高的幅度,很寬的頻率,因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。淄博正高電氣有限公司堅(jiān)持“顧客至上,合作共贏”。江蘇大功率可控硅模塊配件

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相信大家對于可控硅模塊并不陌生了,現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展,可控硅模塊的使用范圍越來越廣,但是你對可控硅模塊的了解有多少呢,它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎?下面為大家講解。


可控硅模塊的主要參數(shù)有:


(1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。


(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值。


(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值。 山東可控硅模塊廠家

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與可控硅模塊相關(guān)的擴(kuò)展資料:

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可控硅模塊通常被稱之為 功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。