選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。
所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量,其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應(yīng)高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。
可控硅模塊的正向壓降、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路(指門極的控制電路)的各頂要求,不能偏高或偏低,否則會(huì)影響可控硅模塊的正常工作。
上就是可控硅模塊在不同設(shè)備中的種類選擇,希望對(duì)您有所幫助。 淄博正高電氣有限公司以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展!臨沂雙向可控硅模塊
可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。濟(jì)南小功率可控硅模塊生產(chǎn)廠家淄博正高電氣有限公司一切從實(shí)際出發(fā)、注重實(shí)質(zhì)內(nèi)容。
可控硅模塊的設(shè)備與維護(hù)
(1)在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個(gè)螺釘要順次固定,用力要均勻,重復(fù)幾回,直至強(qiáng)健,使模塊底板與散熱器外表嚴(yán)密觸摸。
(2)把散熱器和風(fēng)機(jī)按需求安裝好后,筆直固定于機(jī)箱合適方位。
(3)用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,浸錫,然后套上絕緣熱縮管,用熱風(fēng)加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上,并堅(jiān)持超卓的平面壓力觸摸,阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。
(4)為延伸商品運(yùn)用壽數(shù),主張每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次,替換一次導(dǎo)熱硅脂,鏟除外表塵土,緊固各壓線螺釘。
可控硅模塊的用途
可控硅模塊具有硅整流器件的特性,相當(dāng)于或類似于可控制的單向(或雙向)二極管,利用其可控功能,實(shí)現(xiàn)了弱電流對(duì)強(qiáng)電的控制。此外,晶閘管具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)、重量輕、效率高、控制靈活等優(yōu)點(diǎn)。晶閘管可用于下列過程:
1、可控整流:將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電;
2、逆變器:將直流電轉(zhuǎn)換成交流電;
3、變頻:將一個(gè)頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個(gè)頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電;
4、交流調(diào)壓:將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓;
5、斬波:將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓;
6、無觸點(diǎn)通斷:用無觸點(diǎn)開關(guān)代替交流接觸器實(shí)現(xiàn)開關(guān)控制。 淄博正高電氣有限公司愿和各界朋友真誠(chéng)合作一同開拓。
只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,稱為電角度。
這樣,在U2的每個(gè)正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。 淄博正高電氣有限公司團(tuán)隊(duì)從用戶需求出發(fā)。臨沂雙向可控硅模塊
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單向可控硅模塊有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽(yáng)極A1(T1),二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。
單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。 臨沂雙向可控硅模塊
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