濱州小功率可控硅模塊

正高可控硅擁有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復性好，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前，正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點，應用于各行業(yè)，**省內(nèi)外地區(qū)。 

可控硅模塊的分類   

可控硅模板從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。 淄博正高電氣有限公司歡迎朋友們指導和業(yè)務(wù)洽談。濱州小功率可控硅模塊

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優(yōu)勢，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎，下面正高來詳細的說下可控硅模塊。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductormodule）。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復性好，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。 浙江雙向可控硅模塊配件地理位置優(yōu)越，交通十分便利。

您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？

可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓，只有當正向觸發(fā)電壓時，可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應使陽極電流達到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流，即高于電流IL?？煽毓鑼ê蟮碾妷航岛苄?。

接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：

1.將正極電壓降低至數(shù)值，或添加反向陽極電壓。

2.增加負載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導通狀態(tài)，希望能幫助您

可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發(fā)出去，就會引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關(guān)損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中相當主要的是導通損耗。為了確保器件長期可靠地工作，設(shè)計時散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要，千萬不可大意！散熱器的常用散熱方式有：自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等?？紤]散熱問題的總原則是：控制模塊中管芯的結(jié)溫Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給定的額定結(jié)溫淄博正高電氣有限公司產(chǎn)品適用范圍廣，產(chǎn)品規(guī)格齊全，歡迎咨詢。

可控硅模塊的應用領(lǐng)域

可控硅模塊應用于溫度控制、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合，如工業(yè)、通信、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等，根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動。并可結(jié)束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。

可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門**的學科。

可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評及厚愛。萊蕪高壓可控硅模塊品牌

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可控硅模塊又叫晶閘管，自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。現(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電極：首層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。濱州小功率可控硅模塊

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