臨沂可控硅模塊供應(yīng)商

來源: 發(fā)布時間:2021-11-01

雙向可控硅晶閘管使用中,應(yīng)特別注意以下事項:


1.靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通,但是觸發(fā)靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。

2.可控硅過載的保護

可控硅元件優(yōu)點很多,但是它過載能力差,短時間的過流,過壓都會造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件:

(1)外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓,否則控制極將不起作用;

(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來?。?

(3)為保證控制極可靠觸發(fā),加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護措施,一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),當在交流側(cè)時額定電流取大些,一般多采用前者,過電壓保護常發(fā)生在存在電感的電路上,或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。


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雙向可控硅的檢測

用萬用表電阻R×1檔,用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳正反向電阻,結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時,該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽極A1和控制極G,另一空腳即為第二陽極A2。確定A、G極后,再仔細測量A1、G極間正反向電阻,讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為陽極A1,紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定了的第二陽極A2,紅表筆接陽極A1,此時萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接,給G極加上正向觸發(fā)電壓,A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開A2、G極短接線,萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右。互換紅黑表筆接線,紅表筆接第二陽極A2,黑表筆接陽極A1。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接,給G極加上負向的觸發(fā)電壓,A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線,萬用表讀數(shù)應(yīng)不變,保持10歐姆左右。符合以上規(guī)律,說明被測雙向可控硅管未損壞且三個引腳極性判斷正確。

檢測較大功率可控硅管是地,需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池,以提高觸發(fā)電壓。 臨沂可控硅模塊供應(yīng)商淄博正高電氣有限公司推行現(xiàn)代化管理制度。

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可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久,它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優(yōu)勢,使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎,下面正高來詳細的說下可控硅模塊。


可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機械設(shè)計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,并因此得到長足發(fā)展。

可控硅模塊的分類:

1、以關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式來分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

2、以引腳和極性來分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

3、以封裝形式來分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

4、以電流容量來分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

5、以關(guān)斷速度來分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。

6、過零觸發(fā),一般是調(diào)功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),必須是過零點才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅參數(shù)介紹

7、非過零觸發(fā),無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸發(fā)。

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可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性,相當于或類似于可控制的單向(或雙向)二極管,利用其可控功能,實現(xiàn)了弱電流對強電的控制。此外,晶閘管具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、功能強、重量輕、效率高、控制靈活等優(yōu)點。晶閘管可用于下列過程:

1、可控整流:將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電;

2、逆變器:將直流電轉(zhuǎn)換成交流電;

3、變頻:將一個頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電;

4、交流調(diào)壓:將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓;

5、斬波:將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓;

6、無觸點通斷:用無觸點開關(guān)代替交流接觸器實現(xiàn)開關(guān)控制。 淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命,傾力為客戶創(chuàng)造更大利益!西藏小功率可控硅模塊組件

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可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。