從化學結構可以看到,石墨烯具有垂直于晶面方向的大π鍵,此結構決定了其具有優(yōu)異的電化學性能,在室溫下的導熱系數(shù)可高達5300W·(m·K)-1,能夠比肩比較好的碳納米管導熱材料。常溫下其電子遷移率甚至高于碳納米管和硅晶體,屬于世界上電阻率**小的材料。此外,石墨烯還具有完全敞開雙表面的結構特性,也就是說它類似于不飽和有機分子,能夠進行一系列的有機反應,能夠與聚合物或無機物結合,從而提升材料的機械性和導電導熱性。深入這方面的研究,對石墨烯進行官能團修飾,能夠使其化學活性更加豐富[3-4]。由于石墨烯具有上述的結構特性,越來越多的研究者開始著眼于以石墨烯為基底的合成材料。常州第六元素制備石墨烯的方法簡單易行、環(huán)境友好。過濾氧化石墨烯水處理
化學氣十日沉干jI法制備三維石烯的j制箭烯卡¨似,以甲烷為碳源.氧氣和氬氣為輔助怵,泡沫過渡金屬底l-2h:積基形狀類似的泡沫狀烯,利川劃蝕液將冷卻后帶底的f器烯泡沫中的坫劃腳if'b:.從mj火僻九支撐構架的j維石烯泡沫。(、h{21]等利ff】化學氣相沉I法分)j』J平f1l曲泡沫鎳底f:.制舒r具有三維連通絡納fjlJ的鞋烯泡沫材料。研究發(fā)現(xiàn).石墨烯泡沫完整地制色!淋J的納構.以尢縫連接的力‘式卡勾成r全連通的體.仃低J奠、大扎隙率、高比表面積和優(yōu)異的電荷他能力等特點。Wu等利用該方法也成功制備J,氮摻雜維r烯泡沫..此外.利用這種方法還能獲得各種具有優(yōu)砰特性的維r烯泡沫。。Iiu等以泡沫Ni為呔.通過化學卡¨fjl成功制備rJfj于*胚抗原檢測的大孔維烯泡沫。 江蘇氧化石墨烯改性氧化石墨烯還可以用于無機非金屬復合材料領域。
電子產(chǎn)品**率密度的迅速提高使得如何有效排熱成為能量存儲技術快速發(fā)展的關鍵問題,其中,在熱源和散熱器之間使用的熱界面材料(TIM)是熱管理系統(tǒng)的重要因素。TIM用于將熱管理系統(tǒng)中的兩種固體材料連接起來,填充它們之間因表面粗糙度不理想而產(chǎn)生的空隙和凹槽,從而起到減小界面熱阻、降低集成電路的平均溫度和熱點溫度的作用。目前**普遍的TIM是由填充導熱材料的復合材料組成,但是隨著電子產(chǎn)品微型化、集成化的發(fā)展,隨之而來的對小型、柔初且高效散熱TIM的需求已經(jīng)超出了目前TIM的能力。因此,人們己經(jīng)對具有高熱導率、高機械性能的石墨烯/聚合物復合材料、石墨烯涂層等熱管理材料的開發(fā)進行了***的研宄。
智能手機、平板電腦等便攜式設備的普及為人們的生活帶來了極大的便利。但是,其中的高速處理器等電子組件會產(chǎn)生不良的電磁能量,這不僅會損害電子組件自身的使用壽命、干擾其他組件的功能,還會對人體健康帶來危害。石墨烯薄膜具有優(yōu)異的電學性能及熱學性能,被認為是相當有發(fā)展前景的超薄電磁屏蔽材料。鄭**教授團隊[56]通過蒸發(fā)自組裝法制備了大面積GO薄膜。經(jīng)過石墨化處理后,所得石墨烯薄膜具有出色的性能,其電磁屏蔽性能和面內熱導率分別可達20dB、1100WFengW等人通過疊層熱壓技術成功制備了含有石墨烯納米片(GNP)和Ni納米鏈的復合膜(HAMS)。通過將Ni納米鏈和GNP選擇性地分布在不同的層中,其比較好電導率、屏蔽效果和面內熱導率分別可以達到76.8Sm'51.4dB和8.96WH1-1K-1。石墨薄片層可以經(jīng)機械剝離剝離為氧化石墨烯。
材料應用范圍很廣。氧化石墨烯是一種性能優(yōu)異的新型碳材料,具有較高的比表面積和表面豐富的官能團。氧化石墨烯復合材料包括聚合物類復合材料以及無機物類復合材料更是具有廣泛的應用領域,因此氧化石墨烯的表面改性成為另一個研究重點。石墨烯通??捎裳趸┻€原得到,其主要的制備方法有機械剝離法、化學還原法、溶劑熱還原法、光催化還原法、化學氣相沉積法等。其中,化學還原法由于具有成本低、工藝簡單易控等特點而備受科研工作者的推崇。目前,用于制備還原氧化石墨烯或石墨烯的化學還原劑主要有鈉與硼氫化鈉混合液、硼氫化鈉和硫酸混合液、氫碘酸、氫碘酸與乙酸混合液,鈉-氨,對苯二酚,維生素C-氨基酸,L-對抗壞血酸,鋅粉,鋁粉,鐵,堿,水合肼,二甲基肼,硫化氫以及氫化鈉等。然而,在利用這些還原劑的過程中,高溫、大量有機溶劑以及有毒藥品的使用限制了大規(guī)模生產(chǎn)還原氧化石墨烯。因此,開發(fā)一種簡單易行、反應條件溫和、生產(chǎn)成本低、環(huán)境友好型的還原氧化石墨烯的方法是十分必要的??捎糜谧⑸浜蛿D出成型制件,尤其適用于煤炭、礦井以及石油天然氣運輸?shù)阮I域的管材制件。全國新型氧化石墨烯導熱
石墨烯防腐漿料可與基體材料進行復合,從而賦予該材料導電、導熱、機械增強的性能。過濾氧化石墨烯水處理
在用氧化還原法將石墨剝離為石墨烯的工業(yè)化生產(chǎn)過程中,得到的石墨烯微片富含多種含氧官能團。由于石墨烯片層上的這些缺陷,在一些情況下,石墨烯微片無法滿足某些復合材料在抗靜電或導電、隔熱或導熱等方面的特殊要求。為了修復石墨烯片層上的缺陷,提高石墨烯微片的碳含量和在導電、導熱等方面的性能。通過調控氧化石墨烯的結構,降低氧化程度,降低難分解的芳香族官能團,如內酯、酮羰基、羧基等官能團的含量,從而增加后續(xù)官能團分解的效率和降低分解溫度。調控氧化條件,減少面內大面積反應。該減少缺陷的方案,有助于提升還原效率,減少面內難以修復的孔洞,使碳原子排布更密集,進一步減少修復段的勢壘,將能量用于增加碳原子離域尺寸,提升晶元大線,從而提升還原石墨烯的本征導電性。研發(fā)了深度還原技術,并通過自主開發(fā)的還原設備,將石墨烯微片碳的質量分數(shù)提高到90%以上;且粉末電導率相比還原前提升20倍,達到了4000S/m以上。 過濾氧化石墨烯水處理