整流器為三相集成觸發(fā)控制板采用日本技術(shù)，具有多重保護(hù)措施，是一切新穎抗干擾強(qiáng)沖觸發(fā)電路，性能非常先進(jìn)；控制電路的觸發(fā)器和調(diào)節(jié)器集成化、數(shù)字化，并采用計算機(jī)優(yōu)化設(shè)計的大板結(jié)構(gòu)，可靠性高檢測調(diào)試方便。
具有自動計時功能，可以更好的實現(xiàn)列鍍層厚度、硬度、耐磨性等質(zhì)量上的控制，可根據(jù)用戶的工藝要求增加不同的功能。設(shè)備設(shè)有過電壓、欠壓、過電流、水壓降低、元件溫度過高、缺相等保護(hù)環(huán)節(jié)及相應(yīng)故障報警的功能；可設(shè)置多套工藝方案，如電流、電壓、脈沖、時間、安培小時計等，并可調(diào)用修改執(zhí)行。
奧凱電氣從國內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。浙江橋式整流器
高頻電鍍整流器功能詳細(xì)介紹
1、穩(wěn)定電路設(shè)計，可靠性強(qiáng)、跟隨性好、穩(wěn)定性高；非常適合電鍍電源長期連續(xù)運行的需要。
2、變壓器選用了納米晶變壓器、整機(jī)損耗小,效率高。
3、IGBT驅(qū)動采用了自行開發(fā)的高性能驅(qū)動電路，驅(qū)動功率大，保證了 IGBT能夠正常工作。
4、整機(jī)設(shè)計合理，體積小、重量輕。
5、相比可控硅整流電源，節(jié)電20%?30%；比普通高頻開關(guān)電源節(jié)電6%?10%。
6、可接遠(yuǎn)程PLC集中控制，釆用全電腦控制。
7、主要器件釆用進(jìn)口材料，穩(wěn)定耐用。 浙江橋式整流器奧凱電氣生產(chǎn)的設(shè)備產(chǎn)品質(zhì)量上乘。
整流器的結(jié)構(gòu):
通常用雙三極管來描述可控硅的四層結(jié)構(gòu)，看成一NPN和PNP晶體管的互聯(lián). 若兩晶體管的共基極電流放大系數(shù)分別為α1和α2(均為工作狀態(tài)的函數(shù))，導(dǎo)通的必要條件是α1+α2?1.阻斷狀態(tài)下， 兩晶體管的電流放大系數(shù)均很小;若在正向阻斷狀態(tài)下，于控制極注入一正向電流，則NPN管的電流放大系數(shù)α1迅速增大，并導(dǎo)致α2的增大，從而滿足導(dǎo)通條件.
應(yīng)用
可控硅是一種極為重要的功率電子器件，可以以極小的控制功率控制兆瓦級的電力，常用于整流、開關(guān)、變頻、逆變等電路中. 高功率可控硅采用甚大面積的硅片，需封裝在帶散熱器的管殼中.
高頻整流器用在交流發(fā)電機(jī)電源系統(tǒng)中，其作用一是將交流發(fā)電機(jī)產(chǎn)生的交流電變?yōu)橹绷麟?，以實現(xiàn)向用電設(shè)備供電和向蓄電池充電；二是限制蓄電池電流倒流回發(fā)電機(jī)，保護(hù)發(fā)電機(jī)不被逆電流燒壞。硅二極管具有單向?qū)щ姷奶匦?，即在硅二極管兩端加上一定的電壓（電源正極接二極管正極，電源負(fù)極接二極管的負(fù)極）時，二極管就導(dǎo)通，有電流流過，反之，二極管不導(dǎo)通，無電流通過。
這樣，電流只能從一個方向通過。人們利用二極管的這個特性，制成整流器。
奧凱電氣的行業(yè)影響力逐年提升。大功率整流電源要求整流器的電流容量大、擊穿電壓高、散熱性能好，但這種器件的結(jié)面積大、結(jié)電容大，因而工作頻率很低，一般在幾十千赫以下。硅材料的禁帶寬度較大，導(dǎo)熱性能良好，適于制作大功率整流器件。在耐高壓的整流裝置中常采用高壓硅堆，它由多個整流器件的管芯串聯(lián)組成，其反向耐壓由管芯的耐壓及串聯(lián)管芯數(shù)決定，比較高耐壓可達(dá)幾百千伏。如果高頻整流電路用于很高頻率下，當(dāng)交流電壓的周期與整流器通態(tài)到關(guān)態(tài)的恢復(fù)時間相當(dāng)時，整流器對高頻電壓不再起整流作用。
奧凱電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓。浙江橋式整流器
奧凱電氣不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。浙江橋式整流器
整流器是一個整流裝置，簡單的說就是將交流（AC）轉(zhuǎn)化為直流（DC）的裝置。它有兩個主要功能：
一，將交流電（AC）變成直流電(DC)，經(jīng)濾波后供給負(fù)載，或者供給逆變器；
二，給蓄電池提供充電電壓。因此，它同時又起到一個充電器的作用。
三極管的hFE參數(shù)與貯存時間ts相關(guān)，一般hFE大的三極管ts也較大，過去人們對ts的認(rèn)識以及ts的測量儀器均較為欠缺，人們更依賴hFE參數(shù)來選擇三極管。
在開關(guān)狀態(tài)下，hFE的選擇通常有以下認(rèn)識：、hFE應(yīng)盡可能高，以便用**少的基極電流得到比較大的工作電流，同時給出盡可能低的飽和電壓，這樣就可以同時在輸出和驅(qū)動電路中降低損耗。
但是，如果考慮到開關(guān)速度和電流容限，則hFE的比較大值就受到限制；第二、中國的廠家曾經(jīng)傾向于選用hFE較小的器件，例如hFE為10到15，甚至8到10的三極管就一度很受歡迎(后來，由于基極回路流行采用電容觸發(fā)線路，hFE的數(shù)值有所上升)，hFE的數(shù)值小則飽和深度小，從而有利于降低晶體管的發(fā)熱。
實際上，晶體管的飽和深度受到Ib、hFE兩個因素的影響，因而通過磁環(huán)及繞組參數(shù)、基極電阻Rb的調(diào)整，也可以降低飽和深度。 浙江橋式整流器
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