大同MJYD晶閘管模塊

晶閘管智能模塊在手動(dòng)控制時(shí)，對(duì)所用電位器有何要求?

電位器的功率 ≥0.5W ，阻值范圍從5.1—100K均可。

晶閘管智能模塊的散熱應(yīng)注意些什么?

晶閘管智能模塊芯片結(jié)溫不能超過(guò) 125 度，當(dāng)模塊工作穩(wěn)定時(shí)，散熱器溫度勿超過(guò)80度（即模塊的殼溫），否則燒壞模塊。

當(dāng)用戶測(cè)試模塊輸出不正常時(shí)，自行考慮哪幾方面?

（1）模塊是否帶負(fù)載測(cè)試。

（2） 12V 電源是否符合模塊工作要求。

（3）如果是微機(jī)或儀表控制，看控制端是否有放電回路，因 2 、3 腳有一電容可能存貯電荷，使未加信號(hào)時(shí)導(dǎo)通，需在2、 3 腳間接一個(gè)500K電阻。

（4）若用戶測(cè)試不平衡，首先看其負(fù)載是否平衡，測(cè)試時(shí)數(shù)字表紅、黑表筆是否應(yīng) AB 、BC 、CA 相。

（5）接線是否正確，尤其單相交流模塊，兩邊對(duì)應(yīng)要加零線。

（6）若用戶帶感性、容性負(fù)載或負(fù)載不確定的情況下，模塊工作不正常，建議用戶在純阻性負(fù)載下測(cè)試。

（7）對(duì)于控制信號(hào)不確定的情況下，選用電位器調(diào)節(jié)來(lái)檢查模塊是否正常。

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智能調(diào)壓模塊控制的說(shuō)明

     智能調(diào)壓模塊通過(guò)調(diào)節(jié)雙向可控硅的導(dǎo)通角，就可以控制一個(gè)周期內(nèi)通過(guò)的波形形狀，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)壓的目的，主要有兩個(gè)方法實(shí)現(xiàn)：

  1、過(guò)零觸發(fā)不改變電壓的波形(既不改變可控硅的導(dǎo)通角)而只改變單位時(shí)間內(nèi)電壓全波通過(guò)的次數(shù)，達(dá)到調(diào)功調(diào)壓的目的。

  2、采用即時(shí)觸發(fā)晶閘管，可以控制雙向可控硅的導(dǎo)通角，MOC3021能即時(shí)觸發(fā)大功率晶閘管，符合題目要求控制導(dǎo)通角的要求，一般采用MOC3021來(lái)驅(qū)動(dòng)BTA16大功率雙向可控硅。

  通過(guò)上述，大家對(duì)智能調(diào)壓模塊控制方面的知識(shí)有了一定的了解，對(duì)以后的工作能所幫助。 聊城晶閘管模塊生產(chǎn)廠家?jiàn)W凱電氣以創(chuàng)百年企業(yè)、樹(shù)百年品牌為使命，傾力為客戶創(chuàng)造更大利益！

晶閘管模塊的使用注意事項(xiàng)：

    晶閘管模塊|晶閘管智能模塊|晶閘管集成模塊|晶閘管應(yīng)用事項(xiàng)

   選用晶閘管模塊的額定電壓時(shí)，應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。

  1、選用晶閘管模塊的額定電流時(shí)，除了考慮通過(guò)元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。

  2、使用晶閘管模塊之前，應(yīng)該用萬(wàn)用表檢查晶閘管模塊是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換。

  3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

  4、電流為5A以上的晶閘管模塊要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與晶閘管模塊管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

  5、按規(guī)定對(duì)主電路中的晶閘管模塊采用過(guò)壓及過(guò)流保護(hù)裝置。

  6、要防止晶閘管模塊控制極的正向過(guò)載和反向擊穿。

可控硅模塊的控制方式：

通過(guò)輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法；控制信號(hào)采用0～5V，0～10V，4～20mA三種比較常用的控制形式。

滿足可控硅模塊工作的必要條件：

（1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。

①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。

②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A，標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A。

（2）可控硅模塊控制信號(hào)：0～10V或4～20mA控制信號(hào)，用于對(duì)輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào)，正極接CON10V或CON20mA，負(fù)極接GND1。

（3）可控硅模塊供電電源和負(fù)載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子；負(fù)載為用電器，接可控硅模塊的輸出端子。 奧凱電氣過(guò)硬的產(chǎn)品質(zhì)量、質(zhì)量的售后服務(wù)、認(rèn)真嚴(yán)格的企業(yè)管理，贏得客戶的信譽(yù)。

可控硅模塊與雙極型晶體管的主要區(qū)別與分辨：

  大家都知道可控硅模塊與雙極型晶體管有密切的關(guān)系，可控硅模塊用途的多樣性讓人看的眼花繚亂，甚至難以相信，為什么可控硅模塊會(huì)有如此出眾的表現(xiàn)呢？下面我們首先來(lái)介紹一下可控規(guī)模，再來(lái)了解它與雙極型晶體管的密切關(guān)系：

  讓我們看看可控硅模塊的專業(yè)介紹，可控硅模塊在發(fā)現(xiàn)與制備的時(shí)候，已經(jīng)經(jīng)歷了非常漫長(zhǎng)的時(shí)間，在它不斷走向成熟的時(shí)候，可控硅模塊的更多用途也在被不斷發(fā)掘出來(lái)。

  就像它無(wú)盡的潛力，在壓力與動(dòng)力并存的情況下，爆發(fā)開(kāi)來(lái)。接下來(lái)，仍然會(huì)有更多的關(guān)于可控硅模塊的發(fā)現(xiàn)。

  可控硅模塊與雙極型晶體管有密切的關(guān)系：二者的傳導(dǎo)過(guò)程皆牽涉到電子和空穴，但可控硅模塊的開(kāi)關(guān)機(jī)制和雙極晶體管是不同的，且因?yàn)槠骷Y(jié)構(gòu)不同，可控硅器件有較寬廣范圍的電流、電壓控制能力。

  雙極晶體管由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的具有電流放大作用的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。 奧凱電氣以客戶至上為理念，為客戶提供咨詢服務(wù)。萊蕪3MTAC模塊生產(chǎn)廠家

奧凱電氣從國(guó)內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。大同MJYD晶閘管模塊

晶閘管智能模塊的過(guò)流保護(hù)：

  加熱爐在實(shí)際工作中因加熱絲溫度上升，會(huì)導(dǎo)致加熱絲變形，如果加熱絲沒(méi)有采取良好的固定措施，會(huì)慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會(huì)使電流增大，電流過(guò)大后會(huì)超過(guò)模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過(guò)大，必須采取過(guò)流保護(hù)措施，一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來(lái)限制蕞大電流，熔斷器額定電流值一般取負(fù)載的額定電流或略大于負(fù)載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過(guò)大將起不到保護(hù)作用。

  晶閘管智能模塊工作時(shí)由導(dǎo)通到截止時(shí)或因雷擊及其他原因都會(huì)產(chǎn)生能量較大，持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓，此電壓直接作用與晶閘管上會(huì)使晶閘管超過(guò)額定電壓而擊穿，為了保護(hù)晶閘管，常采用壓敏電阻吸收與阻容吸收的方法來(lái)吸收過(guò)電壓，有效避免晶閘管被擊穿。 大同MJYD晶閘管模塊

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