【真空蒸鍍的歷史】:1857年Michael FaradayZui早提出基本原理,而后、1930年代由于油擴(kuò)散式真空泵實用化、蒸鍍主要用于制作鏡片防反射膜。第二次世界大戰(zhàn)時,其他的光學(xué)機(jī)器對材料的需求提高,真空蒸鍍也因此快速發(fā)展。 【真空蒸鍍的原理】:在真空狀態(tài)下,加熱蒸發(fā)容器中的靶材,使其原子或分子逸出,沉積在目標(biāo)物體表面,形成固態(tài)薄膜。依蒸鍍材料、基板的種類可分為:抵抗加熱、電子束、高周波 誘導(dǎo)、雷射等加熱方式。蒸鍍材料有鋁、亞鉛、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產(chǎn)生光學(xué)特性薄膜的材料,主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2 等氧化物與氟化物。蒸鍍除金屬外,樹脂與玻璃也可以使用、近年來連紙也變成可蒸鍍。 【蒸發(fā)鍍膜的優(yōu)缺點】: 優(yōu)點:設(shè)備簡單、容易操作;成膜的速率快,效率高。 缺點:薄膜的厚度均勻性不易控制,蒸發(fā)容器有污染的隱患,工藝重復(fù)性不好,附著力不高。 真空鍍膜設(shè)備主要用途?安徽真空鍍膜設(shè)備熱電偶
【真空鍍膜之真空的概念】: “真空”是指在給定空間內(nèi)低于一個大氣壓力的氣體狀態(tài),也就是該空間內(nèi)氣體分子密度低于該地區(qū)大氣壓的氣體分子密度。不同的真空狀態(tài),就意味著該空間具有不同的分子密度。在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)(STP:即0℃,101325Pa,也就是1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓,760Torr)下,氣體的分子密度為2.68E24/m3,而在真空度為1.33E&4 Pa(1E&6Torr)時,氣體的分子密度只有3.24E16/m3。完全沒有氣體的空間狀態(tài)為Jue對真空。Jue對真空實際上是不存在的。安徽真空鍍膜設(shè)備熱電偶真空鍍膜設(shè)備日常怎么維護(hù)?
【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之灰點臟】: 現(xiàn)象:鏡片膜層表面或內(nèi)部有一些電子(不是膜料點),有些可擦除,有些不能擦除。并且會有點狀脫膜產(chǎn)生。 原因: 1. 真空室臟 2. 鏡圈或碟片臟 3. 鏡片上傘時就有灰塵點,上傘時沒有檢查挑選。 4. 鍍制完成后的環(huán)境污染是膜外灰點的主要成因,特別是當(dāng)鏡片熱的時候,更容易吸附灰塵,而且難以擦除。 改善思路:杜絕灰塵源 1. 工作環(huán)境改造成潔凈車間,嚴(yán)格按潔凈車間規(guī)范實施。 2. 盡可能做好環(huán)境衛(wèi)生。盡量利用潔凈工作臺。 3. 真空室周期打掃,保持清潔。
【真空鍍膜真空蒸發(fā)鍍膜原理】: 真空蒸發(fā)法的原理是:在真空條件下,用蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)材料,使之蒸發(fā)或升華進(jìn)入氣相,氣相粒子流直接射向基片上沉積或結(jié)晶形成固態(tài)薄膜;由于環(huán)境是真空,因此,無論是金屬還是非金屬,在這種情況下蒸發(fā)要比常壓下容易得多。真空蒸發(fā)鍍膜是發(fā)展較早的鍍膜技術(shù),其特點是:設(shè)備相對簡單,沉積速率快,膜層純度高,制膜材料及被鍍件材料范圍很廣,鍍膜過程可以實現(xiàn)連續(xù)化,應(yīng)用相當(dāng)guang泛。按蒸發(fā)源的不同,主要分為:電阻加熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)和激光蒸發(fā)等。 真空鍍膜設(shè)備哪個牌子的好?
【近些年來出現(xiàn)的新的鍍膜方法】: 除蒸發(fā)法和濺射法外,人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點,取長補(bǔ)短,發(fā)展出一些新的方法,如:等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點,特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面,具有其它手段無可比擬的優(yōu)點。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實際的鍍膜機(jī)照片。該等離子體束在電磁場的作用下被引導(dǎo)到靶上,在靶的表面形成高密度等離子體。同時靶連接有DC/RF偏壓電源,從而實現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設(shè)計是實現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵,而這種廣闊的可控性使得特定的應(yīng)用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比,由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同,HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵,從而能對靶的材料實現(xiàn)全mian積均勻。 真空鍍膜設(shè)備詳細(xì)鍍膜方法。山東真空鍍膜設(shè)備生產(chǎn)
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【離子鍍膜法之活性反應(yīng)蒸鍍法】: 活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE):利用電子束加熱使膜材氣化;依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮?dú)狻⒁胰驳确磻?yīng)氣體離化。這種方法的特點是:基板溫升小,要對基板加熱,蒸鍍效率高,能獲得三氧化鋁( AL2O3)、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜;可用于鍍機(jī)械制品、電子器件、裝飾品。 【離子鍍膜法之空心陰極離子鍍(HCD)】: 空心陰極離子鍍(HCD):利用等離子電子束加熱使膜材氣化;依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點是:基板溫升小,要對基板加熱,離化率高,電子束斑較大,能鍍金屬膜、介質(zhì)膜、化合物膜;可用于鍍裝飾鍍層、機(jī)械制品。 安徽真空鍍膜設(shè)備熱電偶
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