【真空鍍膜改善外層膜表面硬度】: 減反膜一般外層選用MgF2,該層剖面是較為松散的柱狀結(jié)構(gòu),表面硬度不高,容易擦拭出道子。改善外層表面硬度的方法包括: 1. 在膜系設(shè)計(jì)允許的條件下,膜外層加10nm左右的二氧化硅膜層,二氧化硅的表面光滑度優(yōu)于氟化鎂(但二氧化硅表面耐磨度、硬度不如氟化鎂)。鍍膜后離子轟擊幾分鐘,牢固度效果會(huì)更好。(但表面會(huì)變粗) 2. 鏡片取出真空室后,放置在較為干燥潔凈的地方,防止鏡片快速吸潮,表面硬度降低。 成都國(guó)泰真空鍍膜設(shè)備怎么樣?山西真空鍍膜設(shè)備 上海
【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜臟】: 顧名思義,膜層有臟。一般的膜臟發(fā)生在膜內(nèi)或膜外。臟也可以包括:灰塵點(diǎn)、白霧、油斑、指紋印、口水點(diǎn)等。 改善對(duì)策:檢討過(guò)程,杜絕臟污染。 1. 送交洗凈或擦拭的鏡片不要有過(guò)多的不良附著物。 2. 加強(qiáng)鍍前鏡片的洗凈率或擦凈率。 3. 改善上傘后待鍍膜鏡片的擺放環(huán)境,防止污染。 4. 養(yǎng)成上傘作業(yè)員的良好習(xí)慣,防止鏡片污染。 5. 加快真空室護(hù)板更換周期。 6. 充氣管道清潔,防止氣體充入時(shí)污染。 7. 初始排期防渦流(湍流),初始充氣防過(guò)充。 8. 鏡片擺放環(huán)境和搬運(yùn)過(guò)程中避免油污、水汽。 9. 工作環(huán)境改造成潔凈車(chē)間。 10. 將鍍膜機(jī)作業(yè)面板和主機(jī)隔開(kāi),減少主機(jī)產(chǎn)生的有害物質(zhì)污染鏡片。新疆真空鍍膜設(shè)備廠家真空鍍膜設(shè)備主要用途?
【光譜分光不良的補(bǔ)救(補(bǔ)色)之其他情況】: 分光不良分為二種情況:一是全部膜系鍍制完成后,經(jīng)測(cè)試分光不良,此類(lèi)不良主要按六節(jié)所述方法處理,一般減反膜難以補(bǔ)救。但對(duì)于高反膜、帶通濾光膜等可以通過(guò)加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷(包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷)造成的分光不良,一般都可以通過(guò)后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確,補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之其他情況: 對(duì)于用錯(cuò)程序,錯(cuò)誤操作(預(yù)熔未關(guān)閉擋板等)人為中斷需要補(bǔ)救的;以及反光膜、濾光膜鍍后需要補(bǔ)救的情況處理方案: 模擬:將實(shí)測(cè)分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值。通過(guò)計(jì)算機(jī)模擬(一般是Zui后一層的膜厚確認(rèn)),找到與實(shí)現(xiàn)測(cè)試值結(jié)果相應(yīng)的膜系數(shù)據(jù)。 優(yōu)化:根據(jù)模擬得到的膜系數(shù)據(jù),輸入產(chǎn)品要求的優(yōu)化目標(biāo)值,通過(guò)加層、優(yōu)化后續(xù)膜層的方法,重新優(yōu)化設(shè)計(jì)一個(gè)補(bǔ)救膜系。 試鍍:確認(rèn)、完善補(bǔ)救膜系效果 補(bǔ)救鍍:完成補(bǔ)救工作
【光譜分光不良的補(bǔ)救(補(bǔ)色)之停電】: 分光不良分為二種情況:一是全部膜系鍍制完成后,經(jīng)測(cè)試分光不良,此類(lèi)不良主要按六節(jié)所述方法處理,一般減反膜難以補(bǔ)救。但對(duì)于高反膜、帶通濾光膜等可以通過(guò)加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷(包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷)造成的分光不良,一般都可以通過(guò)后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確,補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之停電: 對(duì)于停電這種情況,比較好處理,只要確認(rèn)前面鍍的沒(méi)錯(cuò),程序沒(méi)有用錯(cuò),就可以繼續(xù)原來(lái)的程序,要注意的是:如果某一層鍍了一部分繼續(xù)鍍下去時(shí),交接處要減少一些膜厚(根據(jù)膜料、蒸發(fā)速率決定減少多少,一般時(shí)0.2~1nm左右),如果該層剩下的膜厚不足15~20秒蒸鍍時(shí),要考慮降低蒸發(fā)速率或干脆不讀,通過(guò)后續(xù)層調(diào)整膜厚解決。 真空鍍膜設(shè)備使用時(shí),需要注意哪些問(wèn)題?
【真空鍍膜磁控濺射法】: 濺射鍍膜Zui初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射,它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單,但是直流二極濺射沉積速率低;為了保持自持放電,不能在低氣壓(<0.1 Pa)下進(jìn)行;不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限制了其應(yīng)用。 磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái),在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),解決了二極濺射沉積速率低,等離子體離化率低等問(wèn)題,成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn):可制備成靶的材料廣,幾乎所有金屬,合金和陶瓷材料都可以制成靶材;在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,可沉積配比精確恒定的合金;在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜;通過(guò)精確地控制濺射鍍膜過(guò)程,容易獲得均勻的高精度的膜厚;通過(guò)離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),濺射靶的安裝不受限制,適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì);濺射鍍膜速度快,膜層致密,附著性好等特點(diǎn),很適合于大批量,高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來(lái)磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快,具有代表性的方法有射頻濺射、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。 真空鍍膜設(shè)備升級(jí)改造。山西真空鍍膜設(shè)備 上海
離子真空鍍膜設(shè)備是什么?山西真空鍍膜設(shè)備 上海
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成都國(guó)泰真空設(shè)備有限公司屬于機(jī)械及行業(yè)設(shè)備的高新企業(yè),技術(shù)力量雄厚。是一家有限責(zé)任公司企業(yè),隨著市場(chǎng)的發(fā)展和生產(chǎn)的需求,與多家企業(yè)合作研究,在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上經(jīng)過(guò)不斷改進(jìn),追求新型,在強(qiáng)化內(nèi)部管理,完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時(shí),良好的質(zhì)量、合理的價(jià)格、完善的服務(wù),在業(yè)界受到寬泛好評(píng)。公司始終堅(jiān)持客戶需求優(yōu)先的原則,致力于提供高質(zhì)量的光學(xué)鍍膜設(shè)備,真空鍍膜設(shè)備,光學(xué)真空鍍膜機(jī),紅外鍍膜設(shè)備。國(guó)泰真空順應(yīng)時(shí)代發(fā)展和市場(chǎng)需求,通過(guò)高端技術(shù),力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的光學(xué)鍍膜設(shè)備,真空鍍膜設(shè)備,光學(xué)真空鍍膜機(jī),紅外鍍膜設(shè)備。