【真空鍍膜設(shè)備之渦輪分子泵】： 渦輪分子泵：渦輪分子泵是利用高速旋轉(zhuǎn)的動(dòng)葉輪將動(dòng)量傳給氣體分子，使氣體產(chǎn)生定向流動(dòng)而抽氣的真空泵。主要用于高真空或超高真空，屬于干泵，極限真空10&7~10&8Torr，烘烤后可到10&10Torr，抽速可從50L/S~3500L/S。分子泵是靠高速轉(zhuǎn)動(dòng)的渦輪轉(zhuǎn)子攜帶氣體分子而獲得高真空、超高真空的一種機(jī)械真空泵。泵的轉(zhuǎn)速為10000轉(zhuǎn)/分到50000轉(zhuǎn)/分，這種泵的抽速范圍很寬，但不能直接對(duì)大氣排氣，需要配置前級(jí)泵。分子泵抽速與被抽氣體的種類有關(guān)，如對(duì)氫的抽速比對(duì)空氣的抽速大20%。 紅外真空鍍膜設(shè)備制造商。廣西永康真空鍍膜設(shè)備
【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜外自霧】： 現(xiàn)象：鍍膜完成后，表面有一些淡淡的白霧，用丙tong或混合液擦拭，會(huì)有越擦越嚴(yán)重的現(xiàn)象。用氧化鈰粉擦拭，可以擦掉或減輕。 可能成因有： 1. 膜結(jié)構(gòu)問(wèn)題，外層膜的柱狀結(jié)構(gòu)松散，外層膜太粗糙 2. 蒸發(fā)角過(guò)大，膜結(jié)構(gòu)粗糙 3. 溫差：鏡片出罩時(shí)內(nèi)外溫差過(guò)大 4. 潮氣：鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣 5. 真空室內(nèi)POLYCOLD解凍時(shí)水汽過(guò)重 6. 蒸鍍中充氧不完全，膜結(jié)構(gòu)不均勻。 7. 膜與膜之間的應(yīng)力 改善思路：膜外白霧成因很多但各有特征，盡量對(duì)癥下藥。主要思路，一是把膜做的致密光滑些不容易吸附，二是改善環(huán)境減少吸附的對(duì)象。 改善對(duì)策： 1. 改善膜系，外層加二氧化硅，使膜表面光滑，不易吸附。 2. 降低出罩時(shí)的鏡片溫度 3. 改善充氧（加大），改善膜結(jié)構(gòu) 4. 適當(dāng)降低蒸發(fā)速率，改善柱狀結(jié)構(gòu) 5. 離子輔助鍍膜，改善膜結(jié)構(gòu) 6. 加上Polycold解凍時(shí)的小充氣閥 7. 從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角 8. 改善基片表面粗糙度 9. 注意Polycold解凍時(shí)的真空度。 重慶塑料真空鍍膜設(shè)備光學(xué)真空鍍膜設(shè)備制造商。
【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜內(nèi)白霧】： 白霧形成在膜內(nèi)，無(wú)法用擦拭方法去除。 可能成因： 1. 基片臟 2. 鏡片表面腐蝕污染 3. 膜料與膜料之間、膜料與基片之間的匹配 4. 氧化物充氧不夠 5. 第yi層氧化鋯膜料，可能對(duì)某些基片產(chǎn)生白暈現(xiàn)象 6. 基片進(jìn)罩前（洗凈后）受潮氣污染 7. 洗凈或擦拭不良，洗凈痕跡，擦拭痕跡 8. 真空室臟、水汽過(guò)重 9. 環(huán)境濕度大 改善對(duì)策：基片本身的問(wèn)題可能時(shí)主要的鍍膜室盡量彌補(bǔ)，鍍膜本身Zui大的可能室膜料匹配問(wèn)題。 1. 改進(jìn)膜系，第yi層不用氧化鋯 2. 盡量減少真空室開(kāi)門(mén)時(shí)間 3. 真空室在更換護(hù)板、清潔后，Zui好能空罩抽真空烘烤一下，更換的護(hù)板等真空室部件必須干燥、干凈 4. 改善環(huán)境 5. 妥善保護(hù)進(jìn)罩前在傘片上的鏡片，免受污染 6. 改善洗凈、擦拭效果 7. 改善膜匹配（考慮第yi層用Al2O3） 8. 改善膜充氧和蒸發(fā)速率（降低） 9. 加快前工程的流程。前工程對(duì)已加工光面的保護(hù)加強(qiáng)。 10. 拋光加工完成的光面，必須立即清潔干凈，不能有拋光粉或其他雜質(zhì)附著干結(jié)。
【真空鍍膜二極濺射與磁控濺射對(duì)比】： 靶材利用率（TU）：是指發(fā)生濺射的靶材質(zhì)量占原靶材質(zhì)量的比率。 公式表示：靶材利用率={原靶材質(zhì)量（Kg）—濺射后靶材質(zhì)量}/原靶材質(zhì)量 注：①：磁控濺射靶材利用率稍低，電壓要求低，電流會(huì)高，濺射率提高，增加生產(chǎn)效率，降低成本。 ②：靶材使用壽命結(jié)素之前必須及時(shí)更換新靶材，防止靶材周圍物質(zhì)發(fā)生濺射（金屬箔片、連接片、陰極） 兩種濺射技術(shù)的區(qū)別： ①：靶材利用率不同 ②：濺射腔室和陰極設(shè)計(jì)要求不同 ③：放電電流和放電電壓不同 ④：濺射率不同：磁控濺射有更短的沉積時(shí)間，更高的沉積量和更短沉積周期。磁控濺射真空鍍膜設(shè)備是什么？
【光學(xué)鍍膜的目的】：
&反射率的提高或透射率的降低
&反射率的降低或透射率的提高
&分光作用：中性分光、變色分光、偏極光分光
&光譜帶通、帶止及長(zhǎng)波通或短波通之濾光作用
&相位改變
&液晶顯示功能之影顯
&色光顯示、色光反射、偽chao及有價(jià)證券之防止
&光波的引導(dǎo)、光開(kāi)關(guān)及集體光路
a. 在膜層中，波的干涉結(jié)果，如R%, T%都是與膜質(zhì)本身和兩邊界邊的折射率率有關(guān)系，相位變化也是如此。
b. 由于干涉作用造成的反射率有時(shí)升高，有時(shí)反而降低，都要視磨蹭的折射率高于或低于基板折射率而定。若Nf>Ns,則反射率會(huì)提高（Ns為基底），若Nf 國(guó)產(chǎn)真空鍍膜設(shè)備哪家好？廣西永康真空鍍膜設(shè)備 【光譜分光不良的補(bǔ)救（補(bǔ)色）之其他情況】：
分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測(cè)試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補(bǔ)救。但對(duì)于高反膜、帶通濾光膜等可以通過(guò)加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過(guò)后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確，補(bǔ)救成功率比較高。
中斷的原因形式之其他情況：
對(duì)于用錯(cuò)程序，錯(cuò)誤操作（預(yù)熔未關(guān)閉擋板等）人為中斷需要補(bǔ)救的；以及反光膜、濾光膜鍍后需要補(bǔ)救的情況處理方案：
模擬：將實(shí)測(cè)分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值。通過(guò)計(jì)算機(jī)模擬（一般是Zui后一層的膜厚確認(rèn)），找到與實(shí)現(xiàn)測(cè)試值結(jié)果相應(yīng)的膜系數(shù)據(jù)。
優(yōu)化：根據(jù)模擬得到的膜系數(shù)據(jù)，輸入產(chǎn)品要求的優(yōu)化目標(biāo)值，通過(guò)加層、優(yōu)化后續(xù)膜層的方法，重新優(yōu)化設(shè)計(jì)一個(gè)補(bǔ)救膜系。
試鍍：確認(rèn)、完善補(bǔ)救膜系效果
補(bǔ)救鍍：完成補(bǔ)救工作
廣西永康真空鍍膜設(shè)備 成都國(guó)泰真空設(shè)備有限公司位于成都海峽兩岸科技產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)園科林西路618號(hào)，交通便利，環(huán)境優(yōu)美，是一家生產(chǎn)型企業(yè)。國(guó)泰真空是一家有限責(zé)任公司企業(yè)，一直“以人為本，服務(wù)于社會(huì)”的經(jīng)營(yíng)理念;“誠(chéng)守信譽(yù)，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，具有光學(xué)鍍膜設(shè)備，真空鍍膜設(shè)備，光學(xué)真空鍍膜機(jī)，紅外鍍膜設(shè)備等多項(xiàng)業(yè)務(wù)。國(guó)泰真空自成立以來(lái)，一直堅(jiān)持走正規(guī)化、專業(yè)化路線，得到了廣大客戶及社會(huì)各界的普遍認(rèn)可與大力支持。