江西真空鍍膜設(shè)備生產(chǎn)生產(chǎn)廠家

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-11-11

【近些年來(lái)出現(xiàn)的新的鍍膜方法】: 除蒸發(fā)法和濺射法外,人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn),取長(zhǎng)補(bǔ)短,發(fā)展出一些新的方法,如:等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點(diǎn),特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面,具有其它手段無(wú)可比擬的優(yōu)點(diǎn)。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實(shí)際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個(gè)濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實(shí)際的鍍膜機(jī)照片。該等離子體束在電磁場(chǎng)的作用下被引導(dǎo)到靶上,在靶的表面形成高密度等離子體。同時(shí)靶連接有DC/RF偏壓電源,從而實(shí)現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵,而這種廣闊的可控性使得特定的應(yīng)用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比,由于磁控靶磁場(chǎng)的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同,HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵,從而能對(duì)靶的材料實(shí)現(xiàn)全mian積均勻。 真空鍍膜設(shè)備日常怎么維護(hù)?江西真空鍍膜設(shè)備生產(chǎn)生產(chǎn)廠家

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜料點(diǎn)】: 膜料點(diǎn)不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題,在日企、臺(tái)企把膜料點(diǎn)稱為“斑孔”。顧名思義,膜料點(diǎn)就是蒸鍍中,大顆粒膜料點(diǎn)隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點(diǎn)狀的突起,有時(shí)是個(gè)別點(diǎn),嚴(yán)重時(shí)時(shí)成片的細(xì)點(diǎn),大顆粒點(diǎn)甚至打傷基片表面。 改善對(duì)策: 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對(duì)易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時(shí),防止坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線的平滑。 8. 膜料去潮,將待用膜料用培養(yǎng)皿盛放在真空室干燥。 天津pvd真空鍍膜設(shè)備價(jià)格真空鍍膜設(shè)備的工作原理。

【真空鍍膜二極濺射與磁控濺射對(duì)比】: 靶材利用率(TU):是指發(fā)生濺射的靶材質(zhì)量占原靶材質(zhì)量的比率。 公式表示:靶材利用率={原靶材質(zhì)量(Kg)—濺射后靶材質(zhì)量}/原靶材質(zhì)量 注:①:磁控濺射靶材利用率稍低,電壓要求低,電流會(huì)高,濺射率提高,增加生產(chǎn)效率,降低成本。 ②:靶材使用壽命結(jié)素之前必須及時(shí)更換新靶材,防止靶材周?chē)镔|(zhì)發(fā)生濺射(金屬箔片、連接片、陰極) 兩種濺射技術(shù)的區(qū)別: ①:靶材利用率不同 ②:濺射腔室和陰極設(shè)計(jì)要求不同 ③:放電電流和放電電壓不同 ④:濺射率不同:磁控濺射有更短的沉積時(shí)間,更高的沉積量和更短沉積周期。

【真空鍍膜改善基片與膜的結(jié)合】: 1. 加強(qiáng)去油去污處理,如是超聲波清洗,重點(diǎn)考慮去油,若是手擦,考慮先用碳酸鈣粉擦再清擦; 2. 加強(qiáng)鍍前烘烤; 3. 有條件時(shí),機(jī)組安裝冷凝及(POLYCOLD); 4. 提高真空度; 5. 有條件時(shí),機(jī)組安裝離子源; 6. 膜料的去潮; 7. 保持工作環(huán)境的干燥; 8. 對(duì)于多層膜,在膜系設(shè)計(jì)時(shí),就要考慮第yi層膜與基片的匹配; 9. 采取研磨液復(fù)新去除鏡片表面的腐蝕層; 10. 有時(shí)候適當(dāng)降低蒸發(fā)速率對(duì)膜強(qiáng)度的提高有幫助,對(duì)提高膜表面光滑度有積極意義。 成都國(guó)泰真空鍍膜設(shè)備怎么樣?

【光譜分光不良的補(bǔ)救(補(bǔ)色)之機(jī)器故障和人為中斷】: 分光不良分為二種情況:一是全部膜系鍍制完成后,經(jīng)測(cè)試分光不良,此類(lèi)不良主要按六節(jié)所述方法處理,一般減反膜難以補(bǔ)救。但對(duì)于高反膜、帶通濾光膜等可以通過(guò)加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷(包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷)造成的分光不良,一般都可以通過(guò)后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確,補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之機(jī)器故障和人為中斷: 模擬:根據(jù)已經(jīng)實(shí)鍍的鏡片(測(cè)試比較片)實(shí)測(cè)分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值,再根據(jù)已經(jīng)掌握的膜系信息輸入,采用倒推法逐層優(yōu)化,模擬出實(shí)際鍍制的膜系數(shù)據(jù)。 *測(cè)試比較片是指隨鏡片一起鍍制(在傘片上、與鏡片同折射率),用于測(cè)試鍍后分光曲線的平片。 優(yōu)化:再鎖定通過(guò)模擬得到的膜系數(shù)據(jù),通過(guò)后續(xù)層膜厚優(yōu)化找到實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的Zui佳方案。 試鍍:根據(jù)新優(yōu)化的后續(xù)膜層數(shù)據(jù),試鍍?nèi)舾社R片或測(cè)試片,確認(rèn)補(bǔ)色膜系的可行性。 補(bǔ)色鍍:對(duì)試鍍情況確認(rèn)后實(shí)施補(bǔ)色鍍。補(bǔ)色鍍前,確認(rèn)基片是否潔凈,防止產(chǎn)生其他不良。 真空鍍膜設(shè)備真空度多少?重慶真空鍍膜設(shè)備鍍膜過(guò)程價(jià)格

電子束蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備是什么?江西真空鍍膜設(shè)備生產(chǎn)生產(chǎn)廠家

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜外自霧】: 現(xiàn)象:鍍膜完成后,表面有一些淡淡的白霧,用丙tong或混合液擦拭,會(huì)有越擦越嚴(yán)重的現(xiàn)象。用氧化鈰粉擦拭,可以擦掉或減輕。 可能成因有: 1. 膜結(jié)構(gòu)問(wèn)題,外層膜的柱狀結(jié)構(gòu)松散,外層膜太粗糙 2. 蒸發(fā)角過(guò)大,膜結(jié)構(gòu)粗糙 3. 溫差:鏡片出罩時(shí)內(nèi)外溫差過(guò)大 4. 潮氣:鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣 5. 真空室內(nèi)POLYCOLD解凍時(shí)水汽過(guò)重 6. 蒸鍍中充氧不完全,膜結(jié)構(gòu)不均勻。 7. 膜與膜之間的應(yīng)力 改善思路:膜外白霧成因很多但各有特征,盡量對(duì)癥下藥。主要思路,一是把膜做的致密光滑些不容易吸附,二是改善環(huán)境減少吸附的對(duì)象。 改善對(duì)策: 1. 改善膜系,外層加二氧化硅,使膜表面光滑,不易吸附。 2. 降低出罩時(shí)的鏡片溫度 3. 改善充氧(加大),改善膜結(jié)構(gòu) 4. 適當(dāng)降低蒸發(fā)速率,改善柱狀結(jié)構(gòu) 5. 離子輔助鍍膜,改善膜結(jié)構(gòu) 6. 加上Polycold解凍時(shí)的小充氣閥 7. 從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角 8. 改善基片表面粗糙度 9. 注意Polycold解凍時(shí)的真空度。 江西真空鍍膜設(shè)備生產(chǎn)生產(chǎn)廠家

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