【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜內(nèi)白霧】： 白霧形成在膜內(nèi)，無法用擦拭方法去除。 可能成因： 1. 基片臟 2. 鏡片表面腐蝕污染 3. 膜料與膜料之間、膜料與基片之間的匹配 4. 氧化物充氧不夠 5. 第yi層氧化鋯膜料，可能對(duì)某些基片產(chǎn)生白暈現(xiàn)象 6. 基片進(jìn)罩前（洗凈后）受潮氣污染 7. 洗凈或擦拭不良，洗凈痕跡，擦拭痕跡 8. 真空室臟、水汽過重 9. 環(huán)境濕度大 改善對(duì)策：基片本身的問題可能時(shí)主要的鍍膜室盡量彌補(bǔ)，鍍膜本身Zui大的可能室膜料匹配問題。 1. 改進(jìn)膜系，第yi層不用氧化鋯 2. 盡量減少真空室開門時(shí)間 3. 真空室在更換護(hù)板、清潔后，Zui好能空罩抽真空烘烤一下，更換的護(hù)板等真空室部件必須干燥、干凈 4. 改善環(huán)境 5. 妥善保護(hù)進(jìn)罩前在傘片上的鏡片，免受污染 6. 改善洗凈、擦拭效果 7. 改善膜匹配（考慮第yi層用Al2O3） 8. 改善膜充氧和蒸發(fā)速率（降低） 9. 加快前工程的流程。前工程對(duì)已加工光面的保護(hù)加強(qiáng)。 10. 拋光加工完成的光面，必須立即清潔干凈，不能有拋光粉或其他雜質(zhì)附著干結(jié)。 真空鍍膜設(shè)備使用時(shí)，需要注意哪些問題?重慶真空鍍膜設(shè)備的設(shè)計(jì)思路
【真空鍍膜電阻加熱蒸發(fā)法】： 電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點(diǎn)金屬，做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料，讓電流通過，對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)，或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單、造價(jià)便宜、使用可靠，可用于熔點(diǎn)不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜，尤其適用于對(duì)膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱方式的缺點(diǎn)是：加熱所能達(dá)到的Zui高溫度有限，加熱器的壽命也較短。近年來，為了提高加熱器的壽命，國(guó)內(nèi)外已采用壽命較長(zhǎng)的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。 云南真空鍍膜設(shè)備廠真空鍍膜設(shè)備抽真空步驟。
【真空鍍膜濺射種類】： 1、反應(yīng)濺射：氧化物，氮化物作為沉積物質(zhì) 現(xiàn)象：①：靶材分子分裂，其于工藝氣體離子發(fā)生反應(yīng)，形成化合物 ②：膜層性能改變 ③：靶材有可能中毒 2、二極濺射：二極濺射是一種經(jīng)典的標(biāo)準(zhǔn)濺射技術(shù)，其中等離子體和電子均只沿著電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)。 特征：①：無磁場(chǎng) ②：濺射率低 ③：放電電壓高（＞500V） ④：鍍膜底物受熱溫度極易升高（＞500°C） 用途：主要用于金屬靶材、絕緣靶材、磁性靶材等的濺射鍍。 3、磁控濺射：暗區(qū)無等離子體產(chǎn)生，在磁控濺射下，電子呈螺旋形運(yùn)動(dòng)，不會(huì)直接沖向陽極。而是在電場(chǎng)力和磁場(chǎng)力的綜合作用在腔室內(nèi)做螺旋運(yùn)動(dòng)。同時(shí)獲的能量而和工藝氣體以及濺射出的靶材原子進(jìn)行能量交換，使氣體及靶材原子離子化，dada提高氣體等離子體密度，從而提高了濺射速率（可提高10—20倍）和濺射均勻性。
【濺射鍍膜定義】： 定義：所謂濺射，就是這充滿腔室的工藝氣體在高電壓的作用下，形成氣體等離子體（輝光放電），其中的陽離子在電場(chǎng)力作用下高速向靶材沖擊，陽離子和靶材進(jìn)行能量交換，使靶材原子獲得足夠的能量從靶材表面逸出（其中逸出的還可能包含靶材離子）。這一整個(gè)的動(dòng)力學(xué)過程，就叫做濺射。入射離子轟擊靶面時(shí)，將其部分能量傳輸給表層晶格原子，引起靶材中原子的運(yùn)動(dòng)。有的原子獲得能量后從晶格處移位，并克服了表面勢(shì)壘直接發(fā)生濺射；有的不能脫離晶格的束縛，只能在原位做振動(dòng)并波及周圍原子，結(jié)果使靶的溫度升高；而有的原子獲得足夠大的能量后產(chǎn)生一次反沖，將其臨近的原子碰撞移位，反沖繼續(xù)下去產(chǎn)生高次反沖，這一過程稱為級(jí)聯(lián)碰撞。級(jí)聯(lián)碰撞的結(jié)果是部分原子達(dá)到表面，克服勢(shì)壘逸出，這就形成了級(jí)聯(lián)濺射，這就是濺射機(jī)理。當(dāng)級(jí)聯(lián)碰撞范圍內(nèi)反沖原子密度不高時(shí)，動(dòng)態(tài)反沖原子彼此間的碰撞可以忽略，這就是線性級(jí)聯(lián)碰撞。 關(guān)于真空鍍膜設(shè)備，你知道多少？
【真空鍍膜真空的基本概念】： 真空的劃分： 粗真空 760Torr~10E&3Torr 高真空 10E&4Torr~10E&8Torr 超高真空 10E&9~10E&12 Torr 極高真空 <10E&12Torr 流導(dǎo)（導(dǎo)通量）：表示真空管道通過氣體的能力，單位為升/秒（L/S）。一般情況下，管道越短，直徑越大，表面越光滑，越直的管道流導(dǎo)也越大。 流量：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)流過任意截面的氣體量，單位為Torr·L/s或Pa·L/s。 抽氣速率：在一定的壓強(qiáng)和溫度下，單位時(shí)間內(nèi)由泵進(jìn)氣口處抽走的氣體稱為抽氣速率，簡(jiǎn)稱抽速。單位一般為L(zhǎng)/S或m3/hr或CFM。 極限真空：真空容器經(jīng)充分抽氣后，穩(wěn)定在某一真空度，此真空度稱為極限真空。真空鍍膜設(shè)備品牌推薦。浙江手機(jī)真空鍍膜設(shè)備
真空鍍膜設(shè)備真空四個(gè)階段。重慶真空鍍膜設(shè)備的設(shè)計(jì)思路
【磁控濺射鍍膜的歷史】： 磁控濺射技術(shù)作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍地應(yīng)用于許多方面，特別是在微電子、光學(xué)薄膜和材料表面處理等領(lǐng)域。1852年Grove首ci描述濺射這種物理現(xiàn)象,20世紀(jì)40年代濺射技術(shù)作為一種沉積鍍膜方法開始得到應(yīng)用和發(fā)展。60年代后隨著半導(dǎo)體工業(yè)的迅速崛起,這種技術(shù)在集成電路生產(chǎn)工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和guang泛的應(yīng)用。磁控濺射技術(shù)出現(xiàn)和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域得到極大地?cái)U(kuò)展,逐步成為制造許多產(chǎn)品的一種常用手段。 【磁控濺射原理】: 電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場(chǎng)作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場(chǎng)影響，被束縛在靶面的等離子體區(qū)域，二次電子在磁場(chǎng)作用下繞靶面做圓周運(yùn)動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)過程中不斷和氬原子發(fā)生撞擊，電離出大量氬離子轟擊靶材。 【磁控濺射優(yōu)缺點(diǎn)】： 優(yōu)點(diǎn)：工藝重復(fù)性好，薄膜純度高，膜厚均勻，附著力好。 缺點(diǎn)：設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，靶材利用率低。 重慶真空鍍膜設(shè)備的設(shè)計(jì)思路
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