吉林常規(guī)IGBT模塊供應

    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖。具體實施方式下面結合附圖所示的各實施方式對本發(fā)明進行詳細說明，但應當說明的是，這些實施方式并非對本發(fā)明的限制，本領域普通技術人員根據(jù)這些實施方式所作的功能、方法、或者結構上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。如圖1所示，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的***接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中，任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接，并在晶閘管單元的控制下對所在電路進行投切控制。所述***晶閘管單元包括：***壓塊7、***門極壓接式組件8、***導電片9、第二導電片10、瓷板11。其中，所述***壓塊7設置于所述***門極壓接式組件8上，并通過所述***門極壓接式組件8對所述***導電片9、第二導電片10、瓷板11施加壓合作用力，所述***導電片9、第二導電片10、瓷板11依次設置于所述銅底板3上。 它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅動器件，實現(xiàn)控制大功率設備。吉林常規(guī)IGBT模塊供應

    智能功率模塊內(nèi)部功能機制編輯IPM內(nèi)置的驅動和保護電路使系統(tǒng)硬件電路簡單、可靠，縮短了系統(tǒng)開發(fā)時間，也提高了故障下的自保護能力。與普通的IGBT模塊相比，IPM在系統(tǒng)性能及可靠性方面都有進一步的提高。保護電路可以實現(xiàn)控制電壓欠壓保護、過熱保護、過流保護和短路保護。如果IPM模塊中有一種保護電路動作，IGBT柵極驅動單元就會關斷門極電流并輸出一個故障信號(FO)。各種保護功能具體如下:(1)控制電壓欠壓保護(UV):IPM使用單一的+15V供電，若供電電壓低于12．5V，且時間超過toff=10ms，發(fā)生欠壓保護，***門極驅動電路，輸出故障信號。(2)過溫保護(OT):在靠近IGBT芯片的絕緣基板上安裝了一個溫度傳感器，當IPM溫度傳感器測出其基板的溫度超過溫度值時，發(fā)生過溫保護，***門極驅動電路，輸出故障信號。(3)過流保護(OC):若流過IGBT的電流值超過過流動作電流，且時間超過toff，則發(fā)生過流保護，***門極驅動電路，輸出故障信號。為避免發(fā)生過大的di/dt，大多數(shù)IPM采用兩級關斷模式。其中，VG為內(nèi)部門極驅動電壓，ISC為短路電流值，IOC為過流電流值，IC為集電極電流，IFO為故障輸出電流。(4)短路保護(SC):若負載發(fā)生短路或控制系統(tǒng)故障導致短路。 廣西進口IGBT模塊貨源充足IGBT模塊是由不同的材料層構成，如金屬，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件。

    不*使設備的體積重量增大，而且會降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已***用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力?？申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關斷增益，βoff，它等于陽極**大可關斷電流IATM與門極**大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。

    IGBT模塊上有一個“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢？答：當PWM波輸出的時候，它是維持電機內(nèi)的電流不斷用的。我在說明變頻器逆變原理的時候，用的一個電阻做負載。電阻做負載，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷，上圖所示的原理沒有問題。但變頻器實際是要驅動電機的，接在電機的定子上面，定子是一組線圈繞成的，就是“電感”。電感有一個特點：它的內(nèi)部的電流不能進行突變。所以當采用PWM波輸出電壓波形時，加在電機上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的，這樣電機內(nèi)的電流就會“斷斷續(xù)續(xù)”的，這就給電機帶來嚴重的后果：由于電感斷流時，會產(chǎn)生反電動勢，這個電動勢加在IGBT上面，對IGBT會有損害。解決的辦法：在IGBT的CE極上并聯(lián)“續(xù)流二極管”。有了這個續(xù)流二極管，電機的電流就是連續(xù)的。具體怎么工作的呢？如下圖，負載上換成了一個電感L。當1/4開通時，電感上會有電流流過。然后PWM波控制1/4關斷，這樣上圖中標箭頭的這個電路中就沒有電流流過。由于電感L接在電路中，電感的特性，電流不能突然中斷，所以電感中此時還有電流流過，同時因為電路上電流中斷了，導致它會產(chǎn)生一個反電動勢，這個反電動勢將通過3的續(xù)流二極管加到正極上，由于正極前面有濾波電容。 這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。

    設計時應注意以下幾點:①IGBT柵極耐壓一般在±20V左右，因此驅動電路輸出端要給柵極加電壓保護，通常的做法是在柵極并聯(lián)穩(wěn)壓二極管或者電阻。前者的缺陷是將增加等效輸入電容Cin，從而影響開關速度，后者的缺陷是將減小輸入阻抗，增大驅動電流，使用時應根據(jù)需要取舍。②盡管IGBT所需驅動功率很小，但由于MOSFET存在輸入電容Cin，開關過程中需要對電容充放電，因此驅動電路的輸出電流應足夠大，這一點設計者往往忽略。假定開通驅動時，在上升時間tr內(nèi)線性地對MOSFET輸入電容Cin充電，則驅動電流為Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin，R為輸入回路電阻。③為可靠關閉IGBT，防止擎住現(xiàn)象，要給柵極加一負偏壓，因此比較好采用雙電源供電。IGBT集成式驅動電路IGBT的分立式驅動電路中分立元件多，結構復雜，保護功能比較完善的分立電路就更加復雜，可靠性和性能都比較差，因此實際應用中大多數(shù)采用集成式驅動電路。日本富士公司的EXB系列集成電路、法國湯姆森公司的UA4002集成電路等應用都很***。IPM驅動電路設計IPM對驅動電路輸出電壓的要求很嚴格，具體為:①驅動電壓范圍為15V±10%?熏電壓低于13．5V將發(fā)生欠壓保護，電壓高于16．5V將可能損壞內(nèi)部部件。②驅動電壓相互隔離。 以拆解的IGBT模塊型號為：FF1400R17IP4為例。模塊外觀及等效電路如圖1所示。中國澳門優(yōu)勢IGBT模塊

儀器測量時，將1000電阻與g極串聯(lián)。吉林常規(guī)IGBT模塊供應

    本實用新型屬于智能功率模塊保護電路技術領域，涉及一種ipm模塊短路檢測電路。背景技術：ipm(intelligentpowermodule)，即智能功率模塊，不僅把功率開關器件和驅動電路集成在一起。而且其內(nèi)部還集成有過電壓，過電流和過熱等故障檢測電路，并可將檢測信號送到cpu。它由高速低功耗的管芯和優(yōu)化的門極驅動電路以及快速保護電路構成。即使發(fā)生負載事故或使用不當，也可以保證ipm自身不受損壞。近年來，ipm模塊已經(jīng)在汽車電子、機車牽引和新能源等各個領域獲得廣泛的應用。隨著ipm模塊在各個領域的進一步應用，對ipm模塊的及其應用的要求也進一步提高，由于大功率ipm模塊通常工作在高壓大電流的條件下，在系統(tǒng)運行的過程中，ipm模塊會出現(xiàn)短路損壞的問題，嚴重影響其應用。因此，ipm模塊的短路檢測是其中的一項關鍵技術。由于ipm模塊的開關速度越來越快，ipm模塊發(fā)生短路時的電流是額定電流的4-6倍，如果不能快速的檢測到短路故障,保護電路不能***時間進行器件保護，這將不可避免的導致ipm模塊發(fā)生損壞，所以對ipm模塊進行短路監(jiān)測的精度要求肯定越來越高，而傳統(tǒng)的ipm模塊退飽和檢測法的劣勢將會越來越明顯，由于設置的基準電壓不準確更有可能導致退飽和短路檢測方法下的誤動作。 吉林常規(guī)IGBT模塊供應