甘肅國(guó)產(chǎn)晶閘管模塊哪里有賣(mài)的

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-12-31

美國(guó)通用電氣公司研發(fā)了世界上***個(gè)以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器(SR),1957年又開(kāi)發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器(SCR)。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì),尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率,令半導(dǎo)體電力電子器件成功從弱電控制領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電控制領(lǐng)域、大功率控制領(lǐng)域。在整流器的應(yīng)用上,晶閘管迅速取代了**整流器(引燃管),實(shí)現(xiàn)整流器的固體化、靜止化和無(wú)觸點(diǎn)化,并獲得巨大的節(jié)能效果。從1960年代開(kāi)始,由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管、光控晶閘管、不對(duì)稱(chēng)晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管,形成一個(gè)龐大的晶閘管家族。晶閘管在應(yīng)用中有效率高、控制特性好、壽命長(zhǎng)、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),其能承受的電壓和電流容量是目前電力電子器件中**高的,而且工作可靠。因晶閘管的上述優(yōu)點(diǎn),國(guó)外對(duì)晶閘管在脈沖功率源領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的研究做了大量的工作,很多脈沖功率能源模塊已經(jīng)使用晶閘管作為主開(kāi)關(guān)。而國(guó)內(nèi)的大功率晶閘管主要應(yīng)用在高壓直流輸電的工頻環(huán)境下,其工頻工作條件下的技術(shù)參數(shù)指標(biāo)不足以準(zhǔn)確反映其在脈沖電源這種高電壓、大電流、高陡度的環(huán)境下的使用情況。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和門(mén)極。甘肅國(guó)產(chǎn)晶閘管模塊哪里有賣(mài)的

晶閘管模塊

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板,采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點(diǎn)三相交流模塊輸出對(duì)稱(chēng)性好等優(yōu)點(diǎn)功耗低,效率高等適用溫度-25℃~+45℃目錄1模塊特點(diǎn)2模塊規(guī)格3注意事項(xiàng)4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點(diǎn)編輯(1)本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控作用。(2)采用進(jìn)口方形芯片,模塊壓降小、功耗低,效率高;采用進(jìn)口貼片元件,保證觸發(fā)控制電路的可靠性;采用(DCB)陶瓷覆銅板,導(dǎo)熱性能好,熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)近10倍;采用高級(jí)導(dǎo)熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優(yōu)良。(3)觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱底板相互隔離,導(dǎo)熱底板不帶電,絕緣強(qiáng)度≥2500V(RMS),保證人身安全。(4)三相交流模塊輸出對(duì)稱(chēng)性好,直流分量小。大規(guī)格模塊具有過(guò)熱、過(guò)流、缺相保護(hù)作用。(5)輸入0~10V直流控制信號(hào)或0~5V直流控制信號(hào)、4~20mA儀表信號(hào),均可實(shí)現(xiàn)對(duì)主電路輸出電壓進(jìn)行平滑調(diào)節(jié);可手動(dòng)、儀表或微機(jī)控制。(6)適用于阻性和感性負(fù)載。中國(guó)澳門(mén)國(guó)產(chǎn)晶閘管模塊賣(mài)價(jià)晶閘管T在工作過(guò)程中,它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路。

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定義/晶閘管編輯晶閘管導(dǎo)通條件為:加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示)。晶閘管(Thyristor)是一種開(kāi)關(guān)元件,能在高電壓、大電流條件下工作,并且其工作過(guò)程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中,是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。1957年,美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上***個(gè)晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化。結(jié)構(gòu)/晶閘管編輯晶閘管它是由一個(gè)P-N-P-N四層(4layers)半導(dǎo)體構(gòu)成的,中間形成了三個(gè)PN結(jié)。分類(lèi)/晶閘管編輯晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導(dǎo)晶閘管(RCT)、門(mén)極關(guān)斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管(TT國(guó)外,TTS國(guó)內(nèi))和光控晶閘管(LTT)等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類(lèi)型。其中,金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種。

α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。晶閘管晶體閘流管(英語(yǔ):Thyristor),簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管,指的是具有四層交錯(cuò)P、N層的半導(dǎo)體裝置。**早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器(SiliconControlledRectifier,SCR),中國(guó)大陸通常簡(jiǎn)稱(chēng)可控硅,又稱(chēng)半導(dǎo)體控制整流器,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件,為***代半導(dǎo)體電力電子器件的**。晶閘管的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ姡磁c一般的二極管相比,可以對(duì)導(dǎo)通電流進(jìn)行控制。晶閘管具有以小電流(電壓)控制大電流(電壓)作用,并體積小、輕、功耗低、效率高、開(kāi)關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn),***用于無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)、可控整流、逆變、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速等方面。發(fā)展歷史/晶閘管編輯半導(dǎo)體的出現(xiàn)成為20世紀(jì)現(xiàn)代物理學(xué)其中一項(xiàng)**重大的突破,標(biāo)志著電子技術(shù)的誕生。而由于不同領(lǐng)域的實(shí)際需要,促使半導(dǎo)體器件自此分別向兩個(gè)分支快速發(fā)展,其中一個(gè)分支即是以集成電路為**的微電子器件,特點(diǎn)為小功率、集成化,作為信息的檢出、傳送和處理的工具;而另一類(lèi)就是電力電子器件,特點(diǎn)為大功率、快速化。1955年。普通晶閘管是一種半可控大功率半導(dǎo)體器件,出現(xiàn)于70年代。

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晶閘管陽(yáng)極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻,處于截止?fàn)顟B(tài)(稱(chēng)為正向阻斷狀態(tài)),簡(jiǎn)稱(chēng)斷態(tài)。當(dāng)陽(yáng)極電壓上升到某一數(shù)值時(shí),晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導(dǎo)通狀態(tài),簡(jiǎn)稱(chēng)通態(tài)。陽(yáng)極這時(shí)的電壓稱(chēng)為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓(UDSM),或稱(chēng)正向轉(zhuǎn)折電壓(UBO)。導(dǎo)通后,元件中流過(guò)較大的電流,其值主要由限流電阻(使用時(shí)由負(fù)載)決定。在減小陽(yáng)極電源電壓或增加負(fù)載電阻時(shí),陽(yáng)極電流隨之減小,當(dāng)陽(yáng)極電流小于維持電流IH時(shí),晶閘管便從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)化為阻斷狀態(tài)。由圖可看出,當(dāng)晶閘管控制極流過(guò)正向電流Ig時(shí),晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓降低,Ig越大,轉(zhuǎn)折電壓越小,當(dāng)Ig足夠大時(shí),晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓很小,一加上正向陽(yáng)極電壓,晶閘管就導(dǎo)通。實(shí)際規(guī)定,當(dāng)晶閘管元件陽(yáng)極與陰極之間加上6V直流電壓時(shí),能使元件導(dǎo)通的控制極**小電流(電壓)稱(chēng)為觸發(fā)電流(電壓)。在晶閘管陽(yáng)極與陰極間加上反向電壓時(shí),開(kāi)始晶閘管處于反向阻斷狀態(tài),只有很小的反向漏電流流過(guò)。當(dāng)反向電壓增大到某一數(shù)值時(shí),反向漏電流急劇增大,這時(shí),所對(duì)應(yīng)的電壓稱(chēng)為反向不重復(fù)峰值電壓(URSM),或稱(chēng)反向轉(zhuǎn)折(擊穿)電壓(UBR)??梢?jiàn),晶閘管的反向伏安特性與二極管反向特性類(lèi)似。晶閘管晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)過(guò)程的物理過(guò)程較為復(fù)雜。根據(jù)晶閘管的工作特性,常見(jiàn)的應(yīng)用就是現(xiàn)場(chǎng)用的不間斷應(yīng)急燈。廣西國(guó)產(chǎn)晶閘管模塊現(xiàn)價(jià)

晶閘管的工作特性可以概括為∶正向阻斷,觸發(fā)導(dǎo)通,反向阻斷。甘肅國(guó)產(chǎn)晶閘管模塊哪里有賣(mài)的

認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱(chēng)做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅。1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),形成三個(gè)PN結(jié),分別稱(chēng):陽(yáng)極,陰極和控制極。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過(guò)程中,它的陽(yáng)極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路。晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。工作過(guò)程加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通,這是晶閘管的閘流特性,即可控特性。若晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門(mén)極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。晶閘管在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí),晶閘管關(guān)斷。晶閘管的種類(lèi)1.雙向晶閘管雙向晶閘管有極外G,其他兩個(gè)極稱(chēng)為主電極Tl和T2。結(jié)構(gòu)是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,必須在陽(yáng)極和陰極之間加上正向電壓,管子才能導(dǎo)通。它無(wú)所謂陽(yáng)極和陰極,不管觸發(fā)信號(hào)的極性如何,雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通。這個(gè)特點(diǎn)是普通晶閘管所沒(méi)有的。2.快速晶閘管人們?cè)谄胀ňчl管的制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施。甘肅國(guó)產(chǎn)晶閘管模塊哪里有賣(mài)的