在規(guī)定的環(huán)境條件下，由于元件(主要是石英諧振器)老化而引起的輸出頻率隨時間的系統(tǒng)漂移過程。通常用某一時間間隔內的頻差來量度。對于高穩(wěn)定晶振，由于輸出頻率在較長的工作時間內呈近似線性的單方向漂移，往往用老化率(單位時間內的相對頻率變化)來量度。用萬用表(R×10k擋)測晶振兩端的電阻值，若為無窮大，說明晶振無短路或漏電；再將試電筆插入市電插孔內，用手指捏住晶振的任一引腳，將另一引腳碰觸試電筆頂端的金屬部分，若試電筆氖泡發(fā)紅，說明晶振是好的；若氖泡不亮，則說明晶振損壞。晶振的保存方式，要先考慮其周圍的潮濕度，做好防擠壓措施。蘇州貼片晶振廠家
我們都知道石英晶振它是被動的一種組件，主要是由IC提供一定的激勵功率才會正常工作的。所以呢，這個激勵功率是分廠重要的一部分。激勵功率太低了，晶振就不容易產(chǎn)生信號，也就不容易起振。但是激勵功率太高的話，就會形成過激勵，這樣容易造成石英芯片的破損，從而產(chǎn)生停振的現(xiàn)象。解決晶振不起振至少要對以下三個要素：對振蕩頻率（頻率匹配）、振蕩裕度（負阻抗）和激勵功率的三項進行測試。較好使用有源晶振，有源晶振都是內置電路，所以不存在電路匹配問題，極大避免了晶振不起振問題的發(fā)生。這是解決晶振不起振問題的方法之一！杭州石英晶振廠家電話應該確保晶振外殼和引腳不被意外連通而導致短路。
石英晶振提供了兩種共振模式，由 C1 與 L1 構成的串聯(lián)共振，與由 C0、C1 與 L1 構成的并聯(lián)共振。對于一般的 MHz 級石英晶體而言，串聯(lián)共振頻率一般會比并聯(lián)共振頻率低若干 KHz。 頻率在 30 MHz 以下的石英晶體，通常工作時的頻率處于串聯(lián)共振頻率與并聯(lián)共振頻率之間，此時石英晶體呈現(xiàn)電感性阻抗。因為，外部電路上的電容會把電路的振蕩頻率拉低一些。在設計石英晶體振蕩電路時，也應令電路上的雜散電容與外加電容合計値與晶體廠商使用的負載電容值相同，振蕩頻率才會準確符合廠商的規(guī)格。
負載電容是指晶振的兩條引線連接的集成電路（IC）內部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負載電容不同，振蕩器的振蕩頻率不同。但標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。一般來說，有低負載電容（串聯(lián)諧振晶體）和高負載電容（并聯(lián)諧振晶體）之分。因此，標稱頻率相同的晶體互換時還必須要求負載電容一致，不能輕易互換，否則會造成電路工作不正常。溫度穩(wěn)定度是指其他條件保持不變時，在規(guī)定溫度范圍內晶振輸出頻率的較大變化量相對于溫度范圍內輸出頻率極值之和的允許頻偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）。長時間對焊盤加熱可能會超過晶振工作溫度范圍。
保護晶振需要注意的事項：1、晶振的保存方式，首先要考慮其周圍的潮濕度，做好防擠壓措施，放在干燥通風的地方，使其晶體避免受潮導致其他電氣參數(shù)發(fā)生變化。2、其次對于易碎的晶振器件要做好防震措施，不宜放在較高的貨架上，在使用的過程，也不宜使晶振跌落，一般來說,從高空跌落的晶振不應再次使用。3、對于需要剪腳的晶振，應該注意機械應力的影響。4、在晶振焊錫過程中，其焊錫的溫度不宜過高,焊錫時間也不宜過長，防止晶體因此發(fā)生內變，而產(chǎn)生不穩(wěn)定。在通常工作條件下，普通的晶振頻率的精度可達百萬分之五十。寧波插件晶振報價
晶振頻率穩(wěn)定性，頻率穩(wěn)定度表示晶振的輸出頻率因溫度變化、電壓變化。蘇州貼片晶振廠家
晶振（Oscillator）是不需要電容的，晶體（Crystal）才需要電容。晶振的實際頻率和標稱頻率之間的關系：Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2)；而 CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs為雜散電容，Cg和Cd為我們外部加的兩個電容，通常大家取值相等，它們對串聯(lián)起來加上雜散電容即為晶振的負載電容CL。具體公式不用細想，我們可以從中得知負載電容的減小可以使實際頻率Fx變大，我們可以改變的只有Cg和Cd，通過初步的計算發(fā)現(xiàn)CL改變1pF，F(xiàn)x可以改變幾百Hz。原有電路使用的是33pF的兩個電容，則并聯(lián)起來是16.5pF，我們的貼片電容只有27pF、33pF、39pF。所以我們選用了27pF和39pF并聯(lián)，則電容為15.95pF。電容焊好后，測量比原來大了200多赫茲，落在了設計范圍內。蘇州貼片晶振廠家