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晶振在電氣上可以等效成一個電容和一個電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端網(wǎng)絡(luò),電工學(xué)上這個網(wǎng)絡(luò)有兩個諧振點,以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振,較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏?,在這個極窄的頻率范圍內(nèi),晶振等效為一個電感,所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會組成并聯(lián)諧振電路。這個并聯(lián)諧振電路加到一個負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路,由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄,所以即使其他元件的參數(shù)變化很大,這個振蕩器的頻率也不會有很大的變化。石英諧振器簡稱為晶振,它是利用具有壓電效應(yīng)的石英晶體片制成的。寧波手機(jī)石英晶體廠商
石英晶體振蕩器的基本原理:壓電效應(yīng):若在石英晶體的兩個電極上加一電場,晶片就會產(chǎn)生機(jī)械變形。反之,若在晶片的兩側(cè)施加機(jī)械壓力,則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場,這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。如果在晶片的兩極上加交變電壓,晶片就會產(chǎn)生機(jī)械振動,同時晶片的機(jī)械振動又會產(chǎn)生交變電場。在一般情況下,晶片機(jī)械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小,但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時,振幅明顯加大,比其他頻率下的振幅大得多,這種現(xiàn)象稱為壓電諧振,它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。杭州手機(jī)石英晶體供應(yīng)石英晶體諧振器的生產(chǎn)具有較高的技術(shù)含量,對產(chǎn)品品質(zhì)要求非??量?。
注意事項:1、需要倍頻的DSP需要配置好PLL周邊配置電路,主要是隔離和濾波;2、20MHz以下的晶體晶振基本上都是基頻的器件,穩(wěn)定度好,20MHz以上的大多是諧波的(如3次諧波、5次諧波等等),穩(wěn)定度差,因此強(qiáng)烈建議使用低頻的器件,畢竟倍頻用的PLL電路需要的周邊配置主要是電容、電阻、電感,其穩(wěn)定度和價格方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于晶體晶振器件;3、時鐘信號走線長度盡可能短,線寬盡可能大,與其它印制線間距盡可能大,緊靠器件布局布線,必要時可以走內(nèi)層,以及用地線包圍。
有源晶振——有源晶振不需要DSP的內(nèi)部振蕩器,信號質(zhì)量好,比較穩(wěn)定,而且連接方式相對簡單(主要是做好電源濾波,通常使用一個電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò),輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可),不需要復(fù)雜的配置電路。有源晶振通常的用法:一腳懸空,二腳接地,三腳接輸出,四腳接電壓。相對于無源晶體,有源晶振的缺陷是其信號電平是固定的,需要選擇好合適輸出電平,靈活性較差,而且價格高。對于 時序要求敏感的應(yīng)用,個人認(rèn)為還是有源的晶振好,因為可以選用比較精密的晶振,甚至是很高的溫度補(bǔ)償晶振。有些DSP內(nèi)部沒有起振電路,只能使用有源的晶 振,如TI 的6000系列等。有源晶振相比于無源晶體通常體積較大,但現(xiàn)在許多有源晶振是表貼的,體積和晶體相當(dāng),有的甚至比許多晶體還要小。石英晶體諧振器:靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。
晶振工作原理:若在石英晶體的兩個電極上加一電場,晶片就會產(chǎn)生機(jī)械變形。反之,若在晶片的兩側(cè)施加機(jī)械壓力,則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場,這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。如果在晶片的兩極上加交變電壓,晶片就會產(chǎn)生機(jī)械振動,同時晶片的機(jī)械振動又會產(chǎn)生交變電場。在一般情況下,晶片機(jī)械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小,但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時,振幅明顯加大,比其他頻率下的振幅大得多,這種現(xiàn)象稱為壓電諧振,它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。石英晶體:石英,也就是二氧化硅,是很重要的壓電材料之一。寧波手機(jī)石英晶體廠商
石英晶體元器件可大量用于各類大中型計算機(jī)。寧波手機(jī)石英晶體廠商
石英晶體諧振器:1.負(fù)載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為:電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時,負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個,在并聯(lián)負(fù)載電容時,則是兩個頻率中較高的一個。2.動態(tài)電阻:串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。3.負(fù)載諧振電阻:在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示?!L=R1(1+C0/CL)2 11、 激勵電平:晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有:2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等。寧波手機(jī)石英晶體廠商
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