選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。晶振中C3為交流旁路電容，對交流信號相當(dāng)于短路。杭州貼片晶振價格多少
將石英晶體振子置于內(nèi)部的恒溫槽中，而將振蕩電路置于外部的恒溫槽中進(jìn)行溫度補(bǔ)償，實行雙重恒溫槽控制法。利用比例控制的恒溫槽能把晶體的溫度穩(wěn)定度提高到5000倍以上，使振蕩器頻率穩(wěn)定度至少保持在1×10-9。OCXO主要用于移動通信基地站、**、導(dǎo)航、頻率計數(shù)器、頻譜和網(wǎng)絡(luò)分析儀等設(shè)備、儀表中。OCXO是由恒溫槽控制電路和振蕩器電路構(gòu)成的。通常人們是利用熱敏電阻“電橋”構(gòu)成的差動串聯(lián)放大器來實現(xiàn)溫度控制的。具有自動增益控制（AGC）的（Clapp）振蕩電路，是目前獲得振蕩頻率高穩(wěn)定度的比較理想的技術(shù)方案。近幾年中，OCXO的技術(shù)水平有了很大的提高。金華圓柱形直插晶振銷售給晶片加上適當(dāng)?shù)慕蛔冸妷?，晶片就會產(chǎn)生諧振。
串聯(lián)型晶體振蕩器的電路的振蕩過程：接通電源后，三極管VT1、VT2導(dǎo)通，VT2發(fā)射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號，石英晶體X1對其中的f0信號阻抗很小，f0信號經(jīng)X1、RP1反饋到VT1的發(fā)射極，該信號經(jīng)VT1放大后從集電極輸出，又加到VT2放大后從發(fā)射極輸出，然后又通過X1反饋到VT1放大，如此反復(fù)進(jìn)行，VT2輸出的f0信號幅度越來越大，VT1、VT2組成的放大電路放大倍數(shù)越來越小，當(dāng)放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時，輸出f0信號幅度不再變化，電路輸出穩(wěn)定的f0信號。
如果在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會產(chǎn)生機(jī)械振動，機(jī)械形變振動又會產(chǎn)生交變電場，盡管這種交變電場的電壓極其微弱，但其振動頻率是十分穩(wěn)定的。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（與切割后的晶片尺寸有關(guān)，晶體愈薄，切割難度越大，諧振頻率越高）相等時，機(jī)械振動的幅度將急劇增加，這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。通常廠家的晶振元件數(shù)據(jù)手冊給出的標(biāo)稱頻率不是Fr或FL，實際的晶體元件應(yīng)用于振蕩電路中時，它一般還會與負(fù)載電容相聯(lián)接，共同作用使晶體工作于Fr和FL之間的某個頻率，這個頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定，通過改變電路的電抗條件，就可以在有限的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)晶體頻率。振常與主板、南橋、聲卡等電路連接使用。
晶振的振動模式與頻率關(guān)系：基頻1～35MHz；3次泛音10～75MHz；5次泛音 50～150MHz；7次泛音 100～200MHz；9次泛音 150～250MHz。晶體電阻：對于同一頻率，當(dāng)工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。"信號源+電平表"功能由網(wǎng)絡(luò)分析儀完成；Ri、R0：儀器內(nèi)阻：一般為50Ω。R1--濾波器輸入端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。R2--濾波器輸出端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。在濾波器條件的匹配阻抗中有時有并接電容要求，應(yīng)按上圖連接。晶振一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。上海音叉石英晶振供應(yīng)
晶振具有壓電效應(yīng)，即在晶片兩極外加電壓后晶體會產(chǎn)生變形。杭州貼片晶振價格多少
晶振的主要參數(shù)：晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率、負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等，這些參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。因此，在實際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д?，如通信網(wǎng)絡(luò)、無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要精度高的晶振。不過，由于性能越高的晶振價格也越貴，所以購買時選擇符合要求的晶振即可。標(biāo)稱頻率。不同的晶振標(biāo)稱頻率不同，標(biāo)稱頻率大都標(biāo)注在晶振外殼上。負(fù)載特性。其他條件保持不變時，負(fù)載在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標(biāo)稱負(fù)載下的輸出頻率的較大允許頻偏。 杭州貼片晶振價格多少
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