由于晶體單元的振蕩頻率本身是由晶體單元的特性決定的，因此基本上不能改變。因此，在無(wú)線通信等中，可以采用根據(jù)所使用的頻率來(lái)更換晶體單元的方法。然而，通過(guò)調(diào)整外部電容，±0幾個(gè)％是約并應(yīng)用此可能微調(diào)VXO（可變晶體振蕩器），以允許電壓控制將被替換為可變電容二極管的電容的VCXO（壓控晶體振蕩器，VCXO）具有電路，例如。此外，晶體振蕩器和電壓控制振蕩器，一個(gè)數(shù)字電路，由于計(jì)數(shù)器組合電路和相位比較器等的頻率合成器通過(guò)，所以能夠獲得任意的頻率穩(wěn)定的輸出信號(hào)。晶振電路在電腦主板中的應(yīng)用晶振電路在電腦主板上也是比較常見的。杭州低頻晶振銷售
晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大，可達(dá)1000～10000。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關(guān)，而且可以做得精確，因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。計(jì)算機(jī)都有個(gè)計(jì)時(shí)電路，盡管一般使用“時(shí)鐘”這個(gè)詞來(lái)表示這些設(shè)備，但它們實(shí)際上并不是通常意義的時(shí)鐘，把它們稱為計(jì)時(shí)器可能更恰當(dāng)一點(diǎn)。計(jì)算機(jī)的計(jì)時(shí)器通常是一個(gè)精密加工過(guò)的石英晶體，石英晶體在其張力限度內(nèi)以一定的頻率振蕩，這種頻率取決于晶體本身如何切割及其受到張力的大小。有兩個(gè)寄存器與每個(gè)石英晶體相關(guān)聯(lián)，一個(gè)計(jì)數(shù)器和一個(gè)保持寄存器。上海32 768k晶振批發(fā)晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率、負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。
數(shù)字電路都是按節(jié)拍來(lái)進(jìn)行處理的，而晶振就是提供這個(gè)節(jié)拍的，如果沒(méi)有晶振，也就沒(méi)有節(jié)拍，那也就不能處理任何數(shù)據(jù)，CPU主頻是多少，其實(shí)這個(gè)主頻就相當(dāng)于單片機(jī)上面的晶振在單片機(jī)系統(tǒng)里晶振的作用非常大，結(jié)合單片機(jī)內(nèi)部的電路，產(chǎn)生單片機(jī)所必須的時(shí)鐘頻率，單片機(jī)的一切指令的執(zhí)行都是建立在這基礎(chǔ)上的。晶振的提供時(shí)鐘頻率越高，單片機(jī)的運(yùn)行速度也就越快。數(shù)字電路需要各種高頻率開關(guān)信號(hào)使計(jì)數(shù)器正常計(jì)數(shù)，使各種數(shù)字模塊能夠同步等，所以需要有一個(gè)高頻率電子振蕩電路產(chǎn)生振蕩信號(hào)，這個(gè)振蕩電路較重要的一個(gè)元件就是晶振，它生成的振蕩信號(hào)頻率可以達(dá)到幾兆甚至十幾兆，再經(jīng)過(guò)分頻器或倍頻器，得到各種不同的頻率信號(hào)。
晶振的作用:它在電路中的作用，就好像是一個(gè)比較理想的電感和電容并聯(lián)的結(jié)合體，而且Q值相當(dāng)高。也就是說(shuō)它有很強(qiáng)的選頻作用。晶體振蕩器一般有二個(gè)十分接近的皆振點(diǎn)。一個(gè)叫串聯(lián)皆振點(diǎn)：另一個(gè)叫并聯(lián)皆振點(diǎn)。再進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，晶體振蕩器在它標(biāo)稱的頻率點(diǎn)附近時(shí)，也就是說(shuō)在它的串聯(lián)和并聯(lián)二個(gè)皆振點(diǎn)之間工作時(shí)，它的穩(wěn)頻作用十分強(qiáng)大。它在串聯(lián)皆振時(shí)相當(dāng)于一個(gè)較小的純電阻。在并聯(lián)皆振時(shí)又相當(dāng)于一個(gè)比較大的純電阻。人們就是利用它的這些特性組成各類很準(zhǔn)的時(shí)鐘振蕩器。晶振在應(yīng)用具體起到的作用，微控制器的時(shí)鐘源可以分為兩類：基于機(jī)械諧振器件的時(shí)鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振蕩器。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。
溫度頻差（Frequency Stability vs Temp）表示在特定溫度范圍內(nèi)，工作頻率相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)工作頻率的允許偏離，它的單位也是ppm。石英晶體有一種特性，如果在晶片某軸向上施加壓力時(shí)，相應(yīng)施力的方向會(huì)產(chǎn)生一定的電位相反的，在晶體的某些軸向施加電場(chǎng)時(shí)，會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形；晶體的自然諧振頻率，它在高穩(wěn)晶振的設(shè)計(jì)中，是作為使晶振穩(wěn)定工作于標(biāo)稱頻率、確定頻率調(diào)整范圍、設(shè)置頻率微調(diào)裝置等要求時(shí)的設(shè)計(jì)參數(shù)（但不是標(biāo)稱頻率）。當(dāng)晶體元件與外部電容相連接時(shí)（并聯(lián)或串聯(lián)），在負(fù)載諧振頻率時(shí)的電阻即為負(fù)載諧振電阻RL，它總是大于晶體元件本身的諧振電阻。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾（EMI）、機(jī)械震動(dòng)與沖擊、濕度和溫度。合肥高穩(wěn)定性晶振售價(jià)
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選擇振蕩器時(shí)還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。杭州低頻晶振銷售
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