晶體振蕩器實際應(yīng)用的環(huán)境需要慎重考慮。例如，大強度的振動或沖擊會給振蕩器帶來問題。除了可能產(chǎn)生物理損壞，振動或沖擊可在某些頻率下引起錯誤的動作。這些外部感應(yīng)的擾動會產(chǎn)生頻率跳動、增加噪聲份量以及間歇性振蕩器失效。對于要求特殊EMI兼容的應(yīng)用，EMI是另一個要優(yōu)先考慮的問題。除了采用合適的PC母板布局技術(shù)，重要的是選擇可提供輻射量較小的時鐘振蕩器。一般來說，具有較慢上升/下降時間的振蕩器呈現(xiàn)較好的EMI特性。石英晶體振蕩器是高精度和高穩(wěn)定度的振蕩器，被普遍應(yīng)用于彩電、計算機、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信系統(tǒng)中用于頻率發(fā)生器、為數(shù)據(jù)處理設(shè)備產(chǎn)生時鐘信號和為特定系統(tǒng)提供基準信號。溫度補償晶體振蕩器：封裝尺寸來自30x30x15mm至11.4x9.6x3.9mm。蘇州1612晶體振蕩器哪家好
晶體振蕩器被普遍應(yīng)用到軍、民用通信電臺，微波通信設(shè)備，程控電話交換機，無線電綜合測試儀，BP機、移動電話發(fā)射臺，較好頻率計數(shù)器、GPS、衛(wèi)星通信、遙控移動設(shè)備等。它有多種封裝，特點是電氣性能規(guī)范多種多樣。它有好幾種不同的類型：電壓控制晶體振蕩器（VCXO）、溫度補償晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO），以及數(shù)字補償晶體振蕩器（MCXO或DTCXO），每種類型都有自己的獨特性能。如果需要使設(shè)備即開即用，您就必須選用VCXO或溫補晶振，如果要求穩(wěn)定度在0.5ppm以上，則需選擇數(shù)字溫補晶振（MCXO）。模擬溫補晶振適用于穩(wěn)定度要求在5ppm～0.5ppm之間的需求。VCXO只適合于穩(wěn)定度要求在5ppm以下的產(chǎn)品。在不需要即開即用的環(huán)境下，如果需要信號穩(wěn)定度超過0.1ppm的，可選用OCXO。寧波低頻晶體振蕩器銷售公司選擇晶體振蕩器的要求：在選用晶體振蕩器時，要考慮到電路需要的晶體振蕩器輸出類型。
石英晶體振蕩器的應(yīng)用：石英鐘走時準、耗電省、經(jīng)久耐用為其較大優(yōu)點。不論是老式石英鐘或是新式多功能石英鐘都是以石英晶體振蕩器為中心電路，其頻率精度決定了電子鐘表的走時精度。石英晶體振蕩器原理的示意如圖3所示，其中V1和V2構(gòu)成CMOS反相器石英晶體Q與振蕩電容C1及微調(diào)電容C2構(gòu)成振蕩系統(tǒng)，這里石英晶體相當于電感。振蕩系統(tǒng)的元件參數(shù)確定了振頻率。一般Q、C1及C2均為外接元件。另外R1為反饋電阻，R2為振蕩的穩(wěn)定電阻，它們都集成在電路內(nèi)部。故無法通過改變C1或C2的數(shù)值來調(diào)整走時精度。但此時我們?nèi)钥捎眉咏右恢浑娙軨有方法，來改變振蕩系統(tǒng)參數(shù)，以調(diào)整走時精度。根據(jù)電子鐘表走時的快慢，調(diào)整電容有兩種接法：若走時偏快，則可在石英晶體兩端并接電容C，。此時系統(tǒng)總電容加大，振蕩頻率變低，走時減慢。若走時偏慢，則可在晶體支路中串接電容C。此時系統(tǒng)的總電容減小，振蕩頻率變高，走時增快。只要經(jīng)過耐心的反復(fù)試驗，就可以調(diào)整走時精度。因此，晶振可用于時鐘信號發(fā)生器。
石英晶體振蕩器技術(shù)指標：1、頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準電壓調(diào)到規(guī)定的終點電壓，晶體振蕩器頻率的較小峰值改變量。說明：基準電壓為+2.5V，規(guī)定終點電壓為+0.5V和+4.5V，壓控晶體振蕩器在+0.5V頻率控制電壓時頻率改變量為-110ppm，在+4.5V頻率控制電壓時頻率改變量為+130ppm，則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm（2.5V±2V）。2、壓控頻率響應(yīng)范圍：當調(diào)制頻率變化時，峰值頻偏與調(diào)制頻率之間的關(guān)系。通常用規(guī)定的調(diào)制頻率比規(guī)定的調(diào)制基準頻率低若干dB表示。說明：VCXO頻率壓控范圍頻率響應(yīng)為0～10kHz。晶體振蕩器的被普遍應(yīng)用到軍、民用通信電臺，微波通信設(shè)備，程控電話交換機。
晶體振蕩器的應(yīng)用：1．通用晶體振蕩器，用于各種電路中，產(chǎn)生振蕩頻率。2．時鐘脈沖用石英晶體諧振器，與其它元件配合產(chǎn)生標準脈沖信號，普遍用于數(shù)字電路中。3．微處理器用石英晶體諧振器。4．CTVVTR用石英晶體諧振器。5．鐘表用石英晶體振蕩器。晶體振蕩器的技術(shù)指標：1.總頻差：在規(guī)定的時間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱頻率的較大頻差。說明：總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率溫度準確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩(wěn)定度和頻率負載穩(wěn)定度共同造成的較大頻差。一般只在對短期頻率穩(wěn)定度關(guān)心，而對其他頻率穩(wěn)定度指標不嚴格要求的場合采用。例如：精密制導(dǎo)雷達。2.頻率溫度穩(wěn)定度：在標稱電源和負載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準溫度或帶隱含基準溫度的較大允許頻偏。選擇晶體振蕩器的要求：外觀檢測。南京低頻晶體振蕩器廠商
選擇晶體振蕩器的要求：根據(jù)客戶的產(chǎn)品需求來對應(yīng)產(chǎn)品參數(shù)，而找出我們的型號。蘇州1612晶體振蕩器哪家好
石英晶體振蕩器技術(shù)指標：頻率老化率：在恒定的環(huán)境條件下測量振蕩器頻率時，振蕩器頻率和時間之間的關(guān)系。這種長期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成的，可用規(guī)定時限后的較大變化率（如±10ppb/天，加電72小時后），或規(guī)定的時限內(nèi)較大的總頻率變化（如：±1ppm/（初年）和±5ppm/（十年））來表示。說明：TCXO的頻率老化率為：±0.2ppm～±2ppm（初年）和±1ppm～±5ppm（十年）（除特殊情況，TCXO很少采用每天頻率老化率的指標，因為即使在實驗室的條件下，溫度變化引起的頻率變化也將較大超過溫度補償晶體振蕩器每天的頻率老化，因此這個指標失去了實際的意義）。OCXO的頻率老化率為：±0.5ppb～±10ppb/天（加電72小時后），±30ppb～±2ppm（初年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。蘇州1612晶體振蕩器哪家好
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