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石英晶體：外形、結(jié)構(gòu)與圖形符號；在石英晶體上按一定方位切下薄片，將薄片兩端拋光并涂上導(dǎo)電的銀層，再從銀層上連出兩個電極并封裝起來，這樣構(gòu)成的元件叫石英晶體諧振器，簡稱石英晶體。石英晶體的外形、結(jié)構(gòu)和圖形。特性：石英晶體有兩個諧振頻率，即fs和fp，fp略大于fs。當(dāng)加到石英晶體兩端信號的頻率不同時，它會呈現(xiàn)出不同的特性，如圖2所示，具體說明如下。當(dāng)f=fs時，石英晶體呈阻性，相當(dāng)于阻值小的電阻。當(dāng)f≥fp時，石英晶體呈容性，相當(dāng)于電容。具有自動增益控制的振蕩電路，是目前獲得振蕩頻率高穩(wěn)定度的比較理想的技術(shù)方案。杭州25兆晶振銷售

晶振在應(yīng)用具體起到的作用，微控制器的時鐘源可以分為兩類：基于機(jī)械諧振器件的時鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振蕩器?；诰д衽c陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會在標(biāo)稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認(rèn)真對待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負(fù)載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進(jìn)行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇并不敏感，但在過驅(qū)動時很容易產(chǎn)生頻率漂移（甚至可能損壞）。嘉興32.768khz晶振公司晶體振蕩器接通電源后，三極管VT導(dǎo)通，有變化Ic電流流過VT，包含著微弱的0～∞各種頻率的信號。

晶振是電子電路中較常用的電子元件之一，一般用字母“X”、“G”或“Z”表示，單位為Hz。晶振主要是由晶體和外面元器件構(gòu)成的。為晶振的實物外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)及電路圖形符號和等效電路。并聯(lián)型晶體振蕩器：三極管VT與R1、R2、R3、R4構(gòu)成放大電路；C3為交流旁路電容，對交流信號相當(dāng)于短路；X1為石英晶體，在電路中相當(dāng)于電感。從交流等效圖可以看出，該電路是一個電容三點式振蕩器，C1、C2、X1構(gòu)成選頻電路，其選頻頻率主要由X1決定，頻率接近fp。

晶振的主要參數(shù)：晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率、負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等，這些參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。因此，在實際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д?，如通信網(wǎng)絡(luò)、無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要精度高的晶振。不過，由于性能越高的晶振價格也越貴，所以購買時選擇符合要求的晶振即可。標(biāo)稱頻率。不同的晶振標(biāo)稱頻率不同，標(biāo)稱頻率大都標(biāo)注在晶振外殼上。負(fù)載特性。其他條件保持不變時，負(fù)載在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標(biāo)稱負(fù)載下的輸出頻率的較大允許頻偏。 晶振中C3為交流旁路電容，對交流信號相當(dāng)于短路。

選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。振常與主板、南橋、聲卡等電路連接使用。無錫晶振廠家直銷

晶振是石英晶體振蕩器的簡稱，其作用是與集成電路或三極管一起構(gòu)成頻率十分穩(wěn)定的振蕩器。杭州25兆晶振銷售

從實際效果上看，對于給定的負(fù)載電容值，F(xiàn)’r與F’L兩個頻率是相同的，這個頻率是晶體的絕大多數(shù)應(yīng)用時所表現(xiàn)的實際頻率，也是制造廠商為滿足用戶對產(chǎn)品符合標(biāo)稱頻率要求的測試指標(biāo)參數(shù)，也就是本文較開頭介紹的晶振標(biāo)稱頻率，晶振的一個非常重要的參數(shù)，即負(fù)載電容CL（Load capacitance），它是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容（不是晶振外接的匹配電容），主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻，與晶體一起決定振蕩器電路的工作頻率，通過調(diào)整負(fù)載電容，就可以將振蕩器的工作頻率微調(diào)到標(biāo)稱值。源晶振將所有與無源晶振及相關(guān)的振蕩電路封裝在一個“盒子”里，不必手動精確匹配外面電路，不同的輸出頻率應(yīng)用時，只需要采購一個相應(yīng)頻率的“盒子”即可，不再使用繁雜的公式計算來計算去，可以節(jié)省很多腦細(xì)胞做其它更多意義的工作。杭州25兆晶振銷售

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