常用的ESD保護(hù)器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性，能夠瞬間進(jìn)入低阻態(tài)，故具有良好的電流泄放能力，可以作為ESD防護(hù)器件。在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見的器件。在VDD相對于VSS發(fā)生Positive ESD Pulse時，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護(hù)內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對于VSS發(fā)生Negative ESD Pulse時，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向?qū)妷汉苄?，此模式下器件的功耗很小，因此其抗ESD能力非常強(qiáng)。ESD保護(hù)器件本身必須具有ESD抑制能力；西安ESD保護(hù)器件銷售企業(yè)
需要應(yīng)對ESD保護(hù)器件的地方便是在電氣設(shè)備可能與人體或物體接觸的所有點(diǎn)處，都需要采用ESD對策。包括USB2.0、USB3.0、輸出終端、LAN，或是用戶連接或斷開連接器的其他點(diǎn)，以及需要觸摸電子產(chǎn)品的操作按鈕的情況，或者設(shè)備在生產(chǎn)過程中會接觸到電路板，以及使用連接器將電路板彼此連接的情況。作為ESD保護(hù)器件對策安裝在這些點(diǎn)的部件便稱為“ESD保護(hù)器件”。電子設(shè)備制造商需要制定適當(dāng)?shù)腅SD對策，以滿足每個電子設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)，并且已經(jīng)針對各種目的和產(chǎn)品制定了各種測試和標(biāo)準(zhǔn)。目前有四種針對IC電路和電子組件等各種器件的通用性測試方法，包括IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，HBM(HumanBody Model，人體模型)、MM(MachineModel，機(jī)器模型)和CDM(ChargedDevice Model，充電器件模型)。在適用的測試條件下，這些測試中的每一個項(xiàng)目都會根據(jù)這些標(biāo)準(zhǔn)在適用的組件和設(shè)備上進(jìn)行。家用ESD保護(hù)器件現(xiàn)價ESD保護(hù)器件種類包括Zener二極管、壓敏電阻(varistors），SCR和TVS等。
ESD保護(hù)器件原理：電路保護(hù)元件存在幾種技術(shù)，當(dāng)選擇電路保護(hù)元件時，若設(shè)計(jì)師選擇不當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)器件將只能提供錯誤的安全概念。電路保護(hù)元件的選擇應(yīng)根據(jù)所要保護(hù)的布線情況、可用 的電路板空間以及被保護(hù)電路的電特性來決定。此外，了解保護(hù)元件的特性知識也非常必要，需要考慮的重要因素之一是器件的箝位電壓。所謂箝位電壓是在ESD 器件里跨在瞬變電壓消除器(TVS)上的電壓，它是被保護(hù)IC的應(yīng)變電壓。因?yàn)槔孟冗M(jìn)工藝技術(shù)制造的IC電路里氧化層比較薄，柵極氧化層更易受到損害。這意味著較高的箝位電壓將在被保護(hù)IC器件上產(chǎn)生較高的應(yīng)變電壓，并且增加了失效的概率。
ESD保護(hù)元件的作用是轉(zhuǎn)移來自敏感元件的ESD應(yīng)力，使電流流過保護(hù)元件而非敏感元件，同時維持敏感元件上的低電壓；ESD保護(hù)元件還應(yīng)具有低泄漏和低電容特性，不會降低電路功能；不會對高速信號造成損害，在多重應(yīng)力作用下保護(hù)元件的功能不會下降。瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）、片式壓敏電阻MLV是常用ESD保護(hù)元件。在選擇ESD靜電保護(hù)元件時，仍應(yīng)該細(xì)致地做好實(shí)際的對比，以及運(yùn)用IEC61000-4-2測試來做驗(yàn)證。目前行業(yè)慣例是根據(jù)8us上升時間和20us持續(xù)時間的脈沖公布箝位電壓的，而真正的ESD脈沖應(yīng)該是1ns上升時間和60ns的持續(xù)時間。ESD形式與帶電體的幾何形狀、電壓和帶電體的材質(zhì)有關(guān)。
ESD 保護(hù)器件與保護(hù)電路：由于IC上ESD 保護(hù)電路能力有限，為保證整個系統(tǒng)有較好的ESD 防護(hù)能力，外部ESD 保護(hù)器件是必不可少的。比較常見的有硅基ESD,聚合物PESD和壓敏MOV。硅基ESD：VB擊穿電壓可以低到3.5V；VC鉗位電壓可以低到3.8V；IPP抗浪涌能力可以達(dá)100A；Cp電容可以低到0.2PF；反應(yīng)速度小于1nS;封裝尺寸可以小到0201尺寸；封裝樣式可以多到20多個引腳；壽命和IC 一樣長。聚合物PESD：VB擊穿電壓5V；VC鉗位電壓常規(guī)40V；無IPP抗浪涌能力；Cp電容可以低到0.02PF；反應(yīng)速度小于20nS;封裝尺寸可以小到0201尺寸；封裝樣式不能多樣化，一般是2個腳的二極管。壽命短，自身容易氧化。VC鉗位電壓常規(guī)40V；無IPP抗浪涌能力；Cp電容可以低到0.02PF；反應(yīng)速度小于25nS;封裝尺寸可以小到0402尺寸；封裝樣式不能多樣化，一般是2個腳的二極管。壽命短，自身容易氧化。電子產(chǎn)品輕薄化的發(fā)展趨勢使其對ESD 防護(hù)要求越來越高，MOV 漸漸有些力不從心，硅基ESD二極管則開始嶄露頭角。ESD保護(hù)器件的ESD是什么意思？家用ESD保護(hù)器件現(xiàn)價
ESD保護(hù)器件具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性。西安ESD保護(hù)器件銷售企業(yè)
當(dāng)ESD保護(hù)器件安裝在外部接口和IC之間以保護(hù)IC時，IC的輸入將通過ESD保護(hù)器件接地，使ESD能夠逃逸到地面。在正常驅(qū)動電壓(幾伏)下，IC與地隔離，因此不會損害數(shù)據(jù)通信。當(dāng)向其施加幾千伏電壓時便將IC電路接地，并且當(dāng)施加幾伏電壓時將其與地隔離，這是ESD保護(hù)器件的必要功能。ESD靜電保護(hù)元器件特點(diǎn)特性：低電容，較低可達(dá)到零點(diǎn)幾皮法；快速響應(yīng)時間：通常小于1.0PS；體積小，小型化器件，節(jié)約PCB空間；工作電壓可以根據(jù)IC的工作電壓設(shè)計(jì)，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等；靈活度高，可以根據(jù)應(yīng)用需求設(shè)計(jì)電容、封裝形式、浪涌承受能力等參數(shù)；封裝形式多樣化。西安ESD保護(hù)器件銷售企業(yè)
上海光宇睿芯微電子有限公司發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大，現(xiàn)有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，各種專業(yè)設(shè)備齊全。致力于創(chuàng)造***的產(chǎn)品與服務(wù)，以誠信、敬業(yè)、進(jìn)取為宗旨，以建光宇產(chǎn)品為目標(biāo)，努力打造成為同行業(yè)中具有影響力的企業(yè)。公司以用心服務(wù)為重點(diǎn)價值，希望通過我們的專業(yè)水平和不懈努力，將上海光宇睿芯微電子有限公司座落于上海浦東張江高科技園區(qū)內(nèi)，是專業(yè)從事半導(dǎo)體過電壓保護(hù)器件、功率MOSFT頁件、集成電照的設(shè)計(jì)與銷售的****，是國內(nèi)掌握半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件和集成電路設(shè)計(jì)的供應(yīng)商之一。公司產(chǎn)品品種多，覆蓋范圍廣，已廣泛應(yīng)用于通訊系統(tǒng)的接口保護(hù)、手機(jī)接口保護(hù)、掌上數(shù)碼產(chǎn)品接口保護(hù)、電源系統(tǒng)的過壓保護(hù)、鋰電池的BMS和電機(jī)驅(qū)動。 等業(yè)務(wù)進(jìn)行到底。上海光宇睿芯微電子有限公司主營業(yè)務(wù)涵蓋MOSFET場效應(yīng)管，ESD保護(hù)器件，穩(wěn)壓管價格，傳感器，堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。