ESD保護(hù)器件分類：ESD（Electro-Static discharge）器件又稱靜電保護(hù)器件，常見(jiàn)的ESD保護(hù)器件主要有壓敏電阻、硅材料的TVS二極管以及陶瓷材料的A-TVS等。壓敏電阻是一種限壓型保護(hù)器件，在遭受ESD時(shí)，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個(gè)相對(duì)固定的電壓值，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)后級(jí)電路的保護(hù)。但是其ESD性能會(huì)隨使用次數(shù)增多而變差，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，材料便宜，成本極低。硅材料的TVS二極管，是利用PN結(jié)反向擊穿雪崩的原理，在經(jīng)歷ESD事件時(shí)，瞬間將能量傳遞出去，對(duì)器件本身并無(wú)影響。但是受工藝影響，成本較高。特別是高速數(shù)據(jù)線上用的TVS，需要的寄生容值越低，成本越高。A-TVS，采用電極間放電的原理，能承受10000次以上ESD測(cè)試。集成電容很低，可以做到0.05Pf，所以特別適合應(yīng)用在高速數(shù)據(jù)線上，而且成本也較低，只要0.001～0.002USD，就能達(dá)到ESD保護(hù)的效果。ESD保護(hù)器件種類包括Zener二極管、壓敏電阻(varistors），SCR和TVS等。嘉興ESD保護(hù)器件哪里有
壓敏電阻是一種限壓型ESD保護(hù)器件。利用壓敏電阻的非線性特性，當(dāng)過(guò)電壓出現(xiàn)在壓敏電阻的兩極間，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個(gè)相對(duì)固定的電壓值，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)后級(jí)電路的保護(hù)。壓敏電阻的主要參數(shù)有：壓敏電壓、通流容量、結(jié)電容、響應(yīng)時(shí)間等。壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間為ns級(jí)，比空氣放電管快，比TVS管稍慢一些，一般情況下用于電子電路的過(guò)電壓保護(hù)其響應(yīng)速度可以滿足要求。壓敏電阻主要可用于直流電源、交流電源、低頻信號(hào)線路、帶饋電的天饋線路。壓敏電阻的失效模式主要是短路，當(dāng)通過(guò)的過(guò)電流太大時(shí)，也可能造成閥片被炸裂而開(kāi)路。杭州ESD保護(hù)器件哪里買ESD保護(hù)器件在測(cè)試時(shí)會(huì)在電路中包括150pF電容器和330Ω的內(nèi)部電阻。
ESD保護(hù)器件主要有滯回和非滯回兩類，都需要滿足以下條件：（1）當(dāng)電路正常工作時(shí)，ESD保護(hù)器件必須處于關(guān)閉狀態(tài)，不影響電路功能和性能。（2）當(dāng)ESD沖擊到來(lái)時(shí)，ESD保護(hù)器件必須快速開(kāi)啟，以泄放沖擊大電流，快速鉗位到安全電壓。（3）當(dāng)ESD沖擊消失后，保護(hù)器件快速關(guān)斷，以防止電路進(jìn)入閂鎖狀態(tài)。ESD保護(hù)器件就像一位優(yōu)越而強(qiáng)健的保鏢，當(dāng)有危險(xiǎn)到來(lái)時(shí)，及時(shí)現(xiàn)身保護(hù)主人，當(dāng)危險(xiǎn)消失后，保鏢也就默默地走到一旁。（4）ESD保護(hù)器件自身能夠承受住外部沖擊。（5）ESD保護(hù)泄放通路的電阻必須足夠小，以使ESD沖擊電流不會(huì)通過(guò)內(nèi)部電路造成損傷。（6）占據(jù)盡可能小的芯片面積、低漏電流、高泄放能力等。
近年，市場(chǎng)對(duì)于防雷及ESD靜電保護(hù)組件的需求，大致可分為兩大發(fā)展方向。一是越來(lái)越低的等效電容，這是由于近年各項(xiàng)傳輸port的加速發(fā)展，帶動(dòng)帶寬越來(lái)越大且速度越來(lái)越快，例如USB 3.0的數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)到5Gbps，比現(xiàn)有的USB 2.0快上十倍；使得客戶端對(duì)于ESD靜電保護(hù)組件的等效電容要求越來(lái)越嚴(yán)苛。對(duì)于保護(hù)組件廠商而言，如何降低等效電容已成為主要產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展方向。另一主要趨勢(shì)則是小型化封裝。面向小型化封裝的趨勢(shì)，防雷擊和ESD靜電保護(hù)組件小型化的趨勢(shì)也越來(lái)越明顯。特別是超極本、平板計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等產(chǎn)品蓬勃發(fā)展，更顯得客戶端對(duì)此需求越來(lái)越殷切。ESD保護(hù)器件具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性。
ESD保護(hù)器件的使用需要注意什么？ESD保護(hù)器件是經(jīng)常見(jiàn)到的，為 USB 4? 選擇 ESD 保護(hù)器件：新的 USB 4? 規(guī)范引入了一些更改，會(huì)影響 ESD 保護(hù)器件的選擇。顯然，ESD 保護(hù)需要在為系統(tǒng)增加低插入損耗（信號(hào)衰減）和低回波損耗（信號(hào)反射）的同時(shí)，提供低鉗位以保護(hù)敏感的高速數(shù)據(jù)線。放置 ESD 保護(hù)器件的較佳位置是直接放置在連接器后的入口處。如果將 USB 4 的 ESD 保護(hù)器件放置在此位置，則此 ESD 保護(hù)器件的額定電壓應(yīng)向后兼容可通過(guò) USBType-C? 連接的所有標(biāo)準(zhǔn)。ESD保護(hù)器件的主要性能參數(shù)有哪些？嘉興ESD保護(hù)器件哪里有
在選擇ESD保護(hù)器件工作電壓后，可以決定其寄生電容(Cin）。嘉興ESD保護(hù)器件哪里有
為了保護(hù)一顆芯片，板級(jí)采用了多種類型的保護(hù)器件來(lái)實(shí)現(xiàn)，這就是大批量、高可靠性產(chǎn)品需要的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)。ESD保護(hù)器件底部連接器設(shè)計(jì)普遍應(yīng)用在移動(dòng)消費(fèi)類產(chǎn)品上，由于是直流回路，可選用高電容器件。因此端口可能會(huì)受到高能量的沖擊，我們可以選用集成了TVS和過(guò)流保護(hù)功能的器件。目前有四種針對(duì)IC電路和電子組件等各種器件的通用性測(cè)試方法，包括IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，HBM(HumanBody Model，人體模型)、MM(MachineModel，機(jī)器模型)和CDM(ChargedDevice Model，充電器件模型)。嘉興ESD保護(hù)器件哪里有
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