池州半導(dǎo)體剝離液銷售電話

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-07-18

    實(shí)施例1~6:按照表1配方將二甲基亞砜、一乙醇胺、四甲基氫氧化銨、硫脲類緩蝕劑、聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑、n-甲基吡咯烷酮和去離子水混合,得到用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。表1:注:含量中不滿100wt%的部分由去離子水補(bǔ)足余量。以cna披露的光刻膠剝離液作為對(duì)照例,與實(shí)施例1~6所得用于疊層晶圓的光刻膠剝離液進(jìn)行比較試驗(yàn),對(duì)面積均為300cm2的疊層晶圓上的光刻膠進(jìn)行剝離并分別測(cè)定剝離周期、金屬鍍層的腐蝕率和過(guò)片量(剝離的面壁數(shù)量)。對(duì)比情況見表2:表2:剝離周期/s金屬腐蝕率/ppm過(guò)片量/片實(shí)施例1130~15015376實(shí)施例2130~15016583實(shí)施例3130~15017279實(shí)施例4130~15015675實(shí)施例5130~15016372實(shí)施例6130~15017681對(duì)照例180~20022664由表2可知,本用于疊層晶圓的光刻膠剝離液通過(guò)加入硫脲類緩蝕劑和聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑,使剝離效率有明顯的提升,對(duì)金屬腐蝕率降低20%以上,而且讓過(guò)片量提高10%以上。以上所述的*是本發(fā)明的一些實(shí)施方式。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。京東方用的哪家的剝離液?池州半導(dǎo)體剝離液銷售電話

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    騰田化學(xué)技術(shù)(上海)技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱:騰田化學(xué)),騰田化學(xué)坐落于上海五角場(chǎng)萬(wàn)達(dá)廣場(chǎng),依托復(fù)旦大學(xué)·東華大學(xué)·華東理工大學(xué)·中科院有機(jī)所·上海石油商品研究所就相關(guān)材料領(lǐng)域建立研發(fā)中心,憑借強(qiáng)大的科研實(shí)力,多年豐富的研發(fā)經(jīng)驗(yàn),共同建立化工材料分析中心與新材料研發(fā)中心;騰田化學(xué)致力于化工行業(yè)材料檢測(cè)、材料分析、配方還原、新領(lǐng)域新材料的研發(fā);加快新項(xiàng)目整體研發(fā)進(jìn)度,縮短研發(fā)周期,推動(dòng)化工產(chǎn)業(yè)自主研發(fā)的進(jìn)程.為企業(yè)提供一站式服務(wù)。騰田化學(xué)作為國(guó)內(nèi)的配方及研發(fā)技術(shù)有限公司,騰田化學(xué)技術(shù)團(tuán)隊(duì)具有豐富研發(fā)經(jīng)驗(yàn),與多所高校及研究所建立研究性合作平臺(tái),擁有前列的技術(shù)研發(fā)平臺(tái)、雄厚的科研技術(shù)力量以及精密的高科技儀器設(shè)備;有標(biāo)準(zhǔn)的圖譜庫(kù);材料庫(kù);完善的數(shù)據(jù)庫(kù);能夠有效的解決某些前列領(lǐng)域特殊產(chǎn)品**能性助劑的定性定量分析及研發(fā)技術(shù)服務(wù),為企業(yè)解決在研發(fā)中遇到的難題,突破多領(lǐng)域技術(shù)瓶頸;并且與化工行業(yè)上百家有規(guī)模企業(yè)建立長(zhǎng)期技術(shù)合作;騰田化學(xué)中心擁有強(qiáng)大的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì):由數(shù)位工程師在新材料前列領(lǐng)域已幫助多家企業(yè)解決實(shí)際生產(chǎn)問(wèn)題,協(xié)助企業(yè)成功自主研發(fā)**產(chǎn)品項(xiàng)目很多項(xiàng)。嘉興銅鈦蝕刻液剝離液推薦貨源哪家公司的剝離液是比較劃算的?

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剝離液是一種通用濕電子化學(xué)品,主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質(zhì),同時(shí)防止對(duì)襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽(yáng)能電池等生產(chǎn)濕法工藝制造的關(guān)鍵性電子化工材料,下游應(yīng)用領(lǐng)域***,但整體應(yīng)用需求較低,因此市場(chǎng)規(guī)模偏小。

剝離液應(yīng)用在太陽(yáng)能電池中,對(duì)于剝離液的潔凈度要求較低,*需達(dá)到G1等級(jí),下游客戶主要要天合、韓華、通威等;應(yīng)用到面板中,通常要達(dá)到G2、G3等級(jí),且高世代線對(duì)于剝離液的要求要高于低世代線,下游客戶有京東方、中星光電;在半導(dǎo)體中的應(yīng)用可分等級(jí),在8英寸及以下的晶圓制造中,對(duì)于剝離液的要求達(dá)到G3、G4水平,大硅片、12英寸晶元等**產(chǎn)品要達(dá)到G5水平。

    2)、伺服變頻電機(jī)(3)、電機(jī)減速箱(4)、印刷品放置箱(6)、表面印刷結(jié)構(gòu)(7)、膠面剝離結(jié)構(gòu)(8),所述主支撐架(1)上方設(shè)置有所述橫向支架(2),所述橫向支架(2)上方設(shè)置有所述伺服變頻電機(jī)(3),所述伺服變頻電機(jī)(3)上方設(shè)置有所述電機(jī)減速箱(4),所述電機(jī)減速箱(4)上方安裝有印刷品傳送帶(5),所述印刷品傳送帶(5)一側(cè)安裝有所述印刷品放置箱(6),所述印刷品放置箱(6)一側(cè)安裝有所述表面印刷結(jié)構(gòu)(7),所述表面印刷結(jié)構(gòu)(7)上方設(shè)置有油墨放置箱(701),所述油墨放置箱(701)下方安裝有油墨加壓器(702),所述油墨加壓器(702)下方安裝有高壓噴頭(703),所述高壓噴頭(703)一側(cè)安裝有防濺射擋板(704),所述防濺射擋板(704)下方安裝有印刷輥(705),所述表面印刷結(jié)構(gòu)(7)一側(cè)安裝有所述膠面剝離結(jié)構(gòu)(8),所述膠面剝離結(jié)構(gòu)(8)上方安裝有收卷調(diào)速器(801),所述收卷調(diào)速器(801)一側(cè)安裝有收卷驅(qū)動(dòng)電機(jī)(802),所述收卷驅(qū)動(dòng)電機(jī)(802)一側(cè)安裝有輥固定架(803),所述輥固定架(803)一側(cè)安裝有膠水盛放箱(804),所述膠水盛放箱(804)下方安裝有點(diǎn)膠頭(805),所述點(diǎn)膠頭(805)下方安裝有卷邊輥(806),所述卷邊輥(806)一側(cè)安裝有膠面收卷輥(807),所述膠面剝離結(jié)構(gòu)(8)一側(cè)安裝有電加熱箱(9),所述電加熱箱。哪家的剝離液的價(jià)格低?

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    這些溶纖劑可以使用1種或組合使用2種以上。本發(fā)明剝離液中的溶纖劑的含量沒有特別限定,例如,推薦~,更推薦~,特別推薦~。本發(fā)明剝離液中,為了抑制對(duì)金屬的浸蝕性,推薦還含有硅酸鹽。硅酸鹽沒有特別限定,例如,可以舉出硅酸鉀、硅酸鈉等。這些之中推薦硅酸鉀。本發(fā)明剝離液中的硅酸鹽的含量沒有特別限定,例如,推薦~,更推薦~,特別推薦~。需要說(shuō)明的是,本發(fā)明剝離液中,推薦*由上述成分構(gòu)成,但只要不阻礙本發(fā)明的效果,可以含有例如聚氧化烯烷基醚系、硅系的消泡劑等其它成分。以上說(shuō)明的本發(fā)明剝離液可以通過(guò)將上述成分溶于水中來(lái)制備。需要說(shuō)明的是,本發(fā)明剝離液的ph若為堿性則沒有特別限定,但通常**將上述成分溶于水就成為堿性,因此沒有特別必要調(diào)整ph。另外,本發(fā)明剝離液可以通過(guò)將上述成分分別分開預(yù)先溶于水,成為抗蝕劑的剝離液套件,將它們混合來(lái)制備。具體來(lái)說(shuō),可以舉出以包含含有鉀鹽的第1液和含有溶纖劑的第2液為特征的抗蝕劑的剝離液套件、其中還包含含有硅酸鹽的第3液的抗蝕劑的剝離液套件、進(jìn)而在其中使上述其它成分適當(dāng)含有于各液中的抗蝕劑的剝離液套件等。通過(guò)使用本發(fā)明剝離液對(duì)施加有抗蝕劑的基材進(jìn)行處理,抗蝕劑被細(xì)小地粉碎。華星光電用的哪家的剝離液?上海京東方用的蝕刻液剝離液推薦貨源

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    技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法,可用于微納制造,光學(xué)領(lǐng)域,電學(xué),生物領(lǐng)域,mems領(lǐng)域,nems領(lǐng)域。技術(shù)背景:微納制造技術(shù)是衡量一個(gè)國(guó)家制造水平的重要標(biāo)志,對(duì)提高人們的生活水平,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng),保障**安全等方法發(fā)揮著重要作用,微納制造技術(shù)是微傳感器、微執(zhí)行器、微結(jié)構(gòu)和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎(chǔ)?;诎雽?dǎo)體制造工藝的光刻技術(shù)是**常用的手段之一。對(duì)于納米孔的加工,常用的手段是先利用曝光負(fù)性光刻膠并顯影后得到微納尺度的柱狀結(jié)構(gòu),再通過(guò)金屬的沉積和溶膠實(shí)現(xiàn)圖形反轉(zhuǎn)從而得到所需要的納米孔。然而傳統(tǒng)的方法由于光刻過(guò)程中的散焦及臨近效應(yīng)等會(huì)造成曝光后的微納結(jié)構(gòu)側(cè)壁呈現(xiàn)一定的角度(如正梯形截面),這會(huì)造成蒸發(fā)過(guò)程中的掛壁嚴(yán)重從而使lift-off困難。同時(shí)由于我們常用的高分辨的負(fù)膠如hsq,在去膠的過(guò)程中需要用到危險(xiǎn)的氫氟酸,而氫氟酸常常會(huì)腐蝕石英,氧化硅等襯底從而影響器件性能,特別的,對(duì)于跨尺度高精度納米結(jié)構(gòu)的制備在加工效率和加工能力方面面臨著很大的挑戰(zhàn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素::為了克服上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明公開了一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法。池州半導(dǎo)體剝離液銷售電話

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