四川鋁鉬鋁蝕刻液蝕刻液溶劑

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-02

    步驟一s1:設(shè)置一擋液板結(jié)構(gòu)10,其中該擋液板結(jié)構(gòu)10設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121;該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12,以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13,其中該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個(gè)貫穿該第二擋板12且錯(cuò)位設(shè)置的宣泄孔121,該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121呈千鳥(niǎo)排列的直通孔態(tài)樣,且位于同一列的宣泄孔121之間具有相同的距離,其中該宣泄孔121的孔徑a0比較好小于3mm,以使該宣泄孔121的孔洞內(nèi)產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象,若該第二擋板12的該上表面123有水滴出現(xiàn)時(shí),則該水滴不至于經(jīng)由該宣泄孔121落至下表面122,但仍舊可以提供空氣宣泄的管道,以借由該宣泄孔121平衡該第二擋板12上、下二端部的壓力。步驟二s2:使用一設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10下方的輸送裝置30輸送一基板20,以經(jīng)過(guò)一噴灑裝置50進(jìn)行一藥液51噴灑;在本實(shí)用新型其一較佳實(shí)施例中,該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部,且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間,其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上,以對(duì)該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程,該擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免該噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對(duì)已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程。蝕刻液的價(jià)格哪家比較優(yōu)惠?四川鋁鉬鋁蝕刻液蝕刻液溶劑

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    所述有機(jī)硫化合物具有作為還原劑及絡(luò)合劑(chelate)的效果。作為所述硫酮系化合物,例如可舉出硫脲、N-烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N'-二烷基硫脲、N,N,N'-三烷基硫脲、N,N,N',N'-四烷基硫脲、N-苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲、N,N'-二苯基硫脲及亞乙基硫脲等。烷基硫脲的烷基并無(wú)特別限制,推薦為碳數(shù)1至4的烷基。這些硫酮系化合物中,推薦使用選自由作為還原劑或絡(luò)合劑的效果及水溶性優(yōu)異的硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。作為所述硫醚系化合物,例如可舉出甲硫氨酸、甲硫氨酸烷基酯鹽酸鹽、乙硫氨酸、2-羥基-4-(烷硫基)丁酸及3-(烷硫基)丙酸等。烷基的碳數(shù)并無(wú)特別限制,推薦為碳數(shù)1至4。另外,這些化合物的一部分也可經(jīng)取代為氫原子、羥基或氨基等其他基。這些硫醚系化合物中,推薦為使用選自由作為還原劑或絡(luò)合劑的效果優(yōu)異的甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。有機(jī)硫化合物的濃度并無(wú)特別限制,推薦為%至10重量%,更推薦為%至5重量%。在有機(jī)硫化合物的濃度小于%的情況下,無(wú)法獲得充分的還原性及絡(luò)合效果,有鈦的蝕刻速度變得不充分的傾向,若超過(guò)10重量%則有達(dá)到溶解極限的傾向。四川鋁鉬鋁蝕刻液蝕刻液溶劑哪家的蝕刻液性價(jià)比比較高?

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    將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對(duì)應(yīng)的原料罐,備用;第三步:根據(jù)混酸配制表算出各個(gè)原料的添加量,按照純水→亞氨基二乙酸→氫氟酸→hno3→四甲基氫氧化銨→乙醇酸的順序依次將原料加入調(diào)配罐,將上述混料充分?jǐn)嚢?,攪拌時(shí)間為3~5h;第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,繼續(xù)攪拌混勻,攪拌時(shí)間為3~5h,用磁力泵將混合液通過(guò)過(guò)濾器循環(huán)過(guò)濾。作為推薦的技術(shù)方案,所述磁力泵出口壓力≤,過(guò)濾器入口壓力≤。根據(jù)制備銅蝕刻液的原料確定磁力泵的出口壓力和過(guò)濾器的入口壓力,包裝原料可以被充分過(guò)濾。作為推薦的技術(shù)方案,所述調(diào)配罐內(nèi)的溫度設(shè)定在30~35℃。調(diào)配罐的溫度不能超過(guò)35℃,由于過(guò)氧化氫的密度隨溫度的升高而減小,因此保證交底的反應(yīng)溫度有助于保證原料體系的穩(wěn)定作為推薦的技術(shù)方案,所述過(guò)濾器的微濾膜孔徑為~μm。作為推薦的技術(shù)方案,第三步中各種原料在~,調(diào)配罐內(nèi)填充氮?dú)?,攪拌速度?0~50r/min。作為推薦的技術(shù)方案,原料罐和調(diào)配罐大拼配量不超過(guò)罐容積的80%。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和有益效果在于:本發(fā)明在制備酸性銅蝕刻液的過(guò)程中,用低溫純水(10℃)替代常溫純水(25℃),將低溫純水加入反應(yīng)體系中,降低反應(yīng)體系的反應(yīng)溫度。

    所述液位計(jì)7安裝于所述分離器的外表面。液位計(jì)7安裝在方便工作人員查看的位置,有利于提高工作人員工作的效率。在一個(gè)實(shí)施例中,如圖1所示,所述液位開(kāi)關(guān)9為控制閥,設(shè)置于所述濾液出口2處??刂崎y為內(nèi)螺紋截止閥,通過(guò)旋轉(zhuǎn)操縱盤(pán)實(shí)現(xiàn)閥門的開(kāi)關(guān),這種閥結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,維修方便,工作行程小,啟閉時(shí)間短,使用壽命長(zhǎng)。在一個(gè)實(shí)施例中,如圖2所示,所述分離器的側(cè)壁上設(shè)有多個(gè)視鏡10。分離器側(cè)壁上設(shè)置的視鏡10可以幫助工作人員輔助判斷液位計(jì)7的工作狀況。在一個(gè)實(shí)施例中,如圖1所示,所述加熱器11為盤(pán)管式加熱器。盤(pán)管式加熱器的受熱更加均勻,加熱效率更高。在一個(gè)實(shí)施例中,如圖1所示,所述分離器底部為錐體形狀。分離器底部設(shè)置成錐體形狀更有利于濾液排出,不會(huì)殘留在分離器內(nèi)。以上所述是本實(shí)用新型的推薦實(shí)施方式,本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于上述實(shí)施例,凡屬于本實(shí)用新型思路下的技術(shù)方案均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型原理前提下的若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。蝕刻液適用于哪些行業(yè)。

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    所述液位計(jì)連接有液相氣相溫度傳感器和壓力傳感器。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述分離器的側(cè)壁上設(shè)有多個(gè)視鏡。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述液位計(jì)安裝于所述分離器的外表面。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述液位開(kāi)關(guān)為控制閥,設(shè)置于所述濾液出口處。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述加熱器為盤(pán)管式加熱器。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述分離器底部為錐體形狀。上述,利用加熱器對(duì)含銅蝕刻液進(jìn)行加熱,使其達(dá)到閃蒸要求的溫度,將加熱好的含銅蝕刻液輸送至分離器,經(jīng)過(guò)減壓閥及真空泵減壓,含銅蝕刻液在分離器內(nèi)發(fā)生閃蒸,產(chǎn)生大量蒸汽,蒸汽中攜帶著大小不等的液滴,通過(guò)除霧組件和除沫組件可以防止大液滴從蒸汽出口飛出,減小產(chǎn)品損失。附圖說(shuō)明圖1是本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本實(shí)施例的外觀示意圖。圖中:1、液體入口;2、濾液出口;3、除霧組件;4、除沫組件;5、蒸汽出口;6、液相氣相溫度傳感器;7、液位計(jì);8、壓力傳感器;9、液位開(kāi)關(guān);10、視鏡;11、加熱器;12、減壓閥;13、真空泵。具體實(shí)施方式在一個(gè)實(shí)施例中,如圖1所示,一種含銅蝕刻液氣液分離裝置,包括分離器及加熱器11,所述分離器設(shè)有液體入口1、蒸汽出口5及濾液出口2,所述液體入口1用于將加熱器11產(chǎn)生的液體輸入至分離器中。哪家的蝕刻液蝕刻效果好?南京天馬用的蝕刻液蝕刻液私人定做

質(zhì)量好的蝕刻液的公司聯(lián)系方式。四川鋁鉬鋁蝕刻液蝕刻液溶劑

    可以維持合適的蝕刻速度且提高sin/sio2選擇比。(b)硅烷系偶聯(lián)劑本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶聯(lián)劑作為防蝕劑可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化時(shí)使用。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以,更推薦滿足。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦按照蝕刻液組合物的蝕刻程度(etchingamount,e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來(lái)添加。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦為選自由原硅酸四乙酯(tetraethylorthosilicate)、雙(三乙氧基甲硅烷基)甲烷(bis(triethoxysilyl)methane)、雙(三乙氧基甲硅烷基)乙烷(bis(triethoxysilyl)ethane)、(三乙氧基甲硅烷基)甲醇((triethoxysilyl)methanol)和(三乙氧基甲硅烷基)甲烷((triethoxysilyl)methane)組成的組中的一種以上,更推薦為選自由雙(三乙氧基甲硅烷基)甲烷、(三乙氧基甲硅烷基)甲醇和(三乙氧基甲硅烷基)甲烷組成的組中的一種以上,**推薦為(三乙氧基甲硅烷基)甲烷和/或(三乙氧基甲硅烷基)甲醇。相對(duì)于組合物總重量,上述硅烷系偶聯(lián)劑的含量為~10重量%,推薦為~%。四川鋁鉬鋁蝕刻液蝕刻液溶劑