實際上，可控硅模塊元件的結(jié)溫不容易直接測量，西藏反并聯(lián)可控硅模塊，因此不能用它作為是否超溫的判據(jù)。通過控制模塊底板的溫度（即殼溫Tc）來控制結(jié)溫是一種有效的方法。由于PN結(jié)的結(jié)溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度，知道了殼溫也就知道了結(jié)溫，而相當高殼溫Tc是限定的，由產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給出。借助溫控開關(guān)可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度（溫度傳感元件應(yīng)置于模塊底板溫度相當高的位置）。從溫控天關(guān)測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路，西藏反并聯(lián)可控硅模塊，分別控制風機的開啟或主回路的通斷（停機），西藏反并聯(lián)可控硅模塊，就可以有效地晶閘管模塊在額定結(jié)溫下正常工作。
需要指出的是，溫控開關(guān)測量到的溫度是模塊底板表面的溫度，易受環(huán)境、空氣對流的影響，與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc，還有一定的差別（大約低幾度到十幾度），因此其實際控制溫度應(yīng)低于規(guī)定的Tc值。用戶可以根據(jù)實際情況和經(jīng)驗決定控制的溫度。 淄博正高電氣有限公司以誠信為根本，以質(zhì)量服務(wù)求生存。西藏反并聯(lián)可控硅模塊
可控硅模塊又叫晶閘管，自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。現(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電：層P型半導體引出的電叫陽A，第三層P型半導體引出的電叫控制G，第四層N型半導體引出的電叫陰K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷�，關(guān)鍵是多了一個控制G，這就使它具有與二管完全不同的工作特性。西藏反并聯(lián)可控硅模塊誠信是企業(yè)生存和發(fā)展的根本。
可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下。
可控硅模塊的工作條件：
1.當可控硅模塊承受反向陽電壓時，不管門級承受哪種電壓，可控硅模塊都會處于斷開狀態(tài)。
2.當可控硅模塊經(jīng)歷正向陽電壓時，可控硅在門級受到正向電壓時接通。
3.當可控硅模塊導通時，只需要有一定的正電壓，不管門電壓怎樣，可控硅模塊都保持導通，如果可控硅導通后，門將失去其功能。
4..當可控硅模塊導通時，主電路電壓(或電流)減小到接近零時，可控硅模塊關(guān)斷。
可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時，如果從控制G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電直接與BG1的基相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。
由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。
由于可控硅只有導通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 淄博正高電氣有限公司是您可信賴的合作伙伴！
可控硅模塊特點：
1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。
2 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。
3 對通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。
4 對維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。
5 對電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 不斷開發(fā)新的產(chǎn)品，并建立了完善的服務(wù)體系。西藏反并聯(lián)可控硅模塊
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