聯(lián)電光刻機美元價格

EVG®610特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8''頂側(cè)和底側(cè)對準能力高精度對準臺自動楔形補償序列電動和程序控制的曝光間隙支持蕞新的UV-LED技術(shù)蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求分步流程指導(dǎo)遠程技術(shù)支持多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）便捷處理和轉(zhuǎn)換重組臺式或帶防震花崗巖臺的單機版EVG®610附加功能：鍵對準紅外對準納米壓印光刻（NIL）EVG®610技術(shù)數(shù)據(jù)：對準方式上側(cè)對準：≤±0.5μm底面要求：≤±2,0μm紅外校準：≤±2,0μm/具體取決于基板材料鍵對準：≤±2,0μmNIL對準：≤±2,0μmEVG620 NT / EVG6200 NT可從手動到自動的基片處理，能夠?qū)崿F(xiàn)現(xiàn)場升級。聯(lián)電光刻機美元價格

    EVG6200NT特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8''系統(tǒng)設(shè)計支持光刻工藝的多功能性在弟一次光刻模式下的吞吐量高達180WPH，在自動對準模式下的吞吐量高達140WPH易碎，薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理，更換時間短帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補償序列自動原點功能，用于對準鍵的精確居中具有實時偏移校正功能的動態(tài)對準功能支持蕞新的UV-LED技術(shù)返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)自動化系統(tǒng)上的手動基板裝載功能可以從半自動版本升級到全自動版本蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）先進的軟件功能以及研發(fā)與權(quán)面生產(chǎn)之間的兼容性便捷處理和轉(zhuǎn)換重組遠程技術(shù)支持和SECS/GEM兼容性臺式或帶防震花崗巖臺的單機版。 襯底光刻機推薦產(chǎn)品HERCULES以蕞小的占地面積結(jié)合了EVG精密對準和光刻膠處理系統(tǒng)的所有優(yōu)勢。

光刻機處理結(jié)果:EVG在光刻技術(shù)方面的合心競爭力在于其掩模對準系統(tǒng)（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設(shè)備平臺均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并輔以其用于從上到下側(cè)對準驗證的計量工具。高級封裝：在EVG®IQAligner®上結(jié)合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口；在EVG的IQAlignerNT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑；負側(cè)壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結(jié)構(gòu)的中間；用于LIGA結(jié)構(gòu)的高縱橫比結(jié)構(gòu)，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結(jié)果；西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了膏分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結(jié)構(gòu)在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結(jié)果。

EVG曝光光學(xué)：專門開發(fā)的分辨率增強型光學(xué)元件（REO）可提供高出50％的強度，并顯著提高/分辨率，在接近模式下可達到小于3μm的分辨率。REO的特殊設(shè)計有助于控制干涉效應(yīng)以獲得分辨率。EVG蕞新的曝光光學(xué)增強功能是LED燈設(shè)置。低能耗和長壽命是UV-LED光源的蕞大優(yōu)勢，因為不需要預(yù)熱或冷卻。在用戶軟件界面中可以輕松、實際地完成曝光光譜設(shè)置。此外，LED需要瑾在曝光期間供電，并且該技術(shù)消除了對汞燈經(jīng)常需要的額外設(shè)施（廢氣，冷卻氣體）和更換燈的需要。這種理想的組合不僅可以蕞大限度地降低運行和維護成本，還可以增加操作員的安全性和環(huán)境友好性。EVG100光刻膠處理系統(tǒng)可以處理多種尺寸的基板，直徑從2寸到300 mm。

EVG6200NT附加功能：鍵對準紅外對準納米壓印光刻（NIL）EVG6200NT技術(shù)數(shù)據(jù)：曝光源汞光源/紫外線LED光源先進的對準功能手動對準/原位對準驗證自動對準動態(tài)對準/自動邊緣對準對準偏移校正算法EVG6200NT產(chǎn)能：全自動：弟一批生產(chǎn)量：每小時180片全自動：吞吐量對準：每小時140片晶圓晶圓直徑（基板尺寸）：高達200毫米對準方式：上側(cè)對準：≤±0.5μm底側(cè)對準：≤±1,0μm紅外校準：≤±2,0μm/具體取決于基板材料鍵對準：≤±2,0μmNIL對準：≤±3.0μm曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式楔形補償：全自動軟件控制曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光系統(tǒng)控制操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實時遠程訪問，診斷和故障排除工業(yè)自動化功能：盒式磁帶/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理納米壓印光刻技術(shù)：SmartNIL新型的EVG120帶有通用和全自動光刻膠處理工具，能夠處理各種形狀和尺寸達200 mm / 8“的基片。芯片光刻機出廠價

HERCULES 全電動頂部和底部分離場顯微鏡支持實時、大間隙、晶圓平面或紅外對準，在可編程位置自動定位。聯(lián)電光刻機美元價格

EVG®610曝光源：汞光源/紫外線LED光源；楔形補償全自動軟件控制；晶圓直徑（基板尺寸）高達100/150/200毫米；曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式；曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光；先進的對準功能：手動對準/原位對準驗證手動交叉校正大間隙對準；EVG®610光刻機系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實時遠程訪問，診斷和故障排除使用的納米壓印光刻技術(shù)為“無紫外線”。聯(lián)電光刻機美元價格

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司位于金高路2216弄35號6幢306-308室，交通便利，環(huán)境優(yōu)美，是一家貿(mào)易型企業(yè)。公司是一家其他有限責(zé)任公司企業(yè)，以誠信務(wù)實的創(chuàng)業(yè)精神、專業(yè)的管理團隊、踏實的職工隊伍，努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品。以滿足顧客要求為己任；以顧客永遠滿意為標(biāo)準；以保持行業(yè)優(yōu)先為目標(biāo)，提供***的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機 鍵合機，膜厚測量儀。岱美中國順應(yīng)時代發(fā)展和市場需求，通過**技術(shù)，力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機 鍵合機，膜厚測量儀。