河北EVG610鍵合機

來源: 發(fā)布時間:2022-03-27

ZiptronixInc.與EVGroup(簡稱“EVG”)近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準精度。方法是在EVGGeminiFB產品融合鍵合機和SmartViewNT鍵合對準機上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術官兼工程副總裁PaulEnquist表示:“DBI混合鍵合技術的性能不受連接間距的限制,只需要可進行測量的適當?shù)膶屎筒季止ぞ?,而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設備經過優(yōu)化后實現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對準精度,此對準精度上的改進為我們的技術的大批量生產(HVM)鋪平了道路?!盓VG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊,用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。河北EVG610鍵合機

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BONDSCALE?自動化生產熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術數(shù)據EVGBONDSCALE?自動化生產熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應用,包括工程化的基板制造和使用層轉移處理的3D集成方法,例如單片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG將晶片鍵合應用于前端半導體處理中,并幫助解決內部設備和系統(tǒng)路線圖(IRDS)中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn)。結合增強的邊緣對準技術,與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比,BONDSCALE大da提高了晶圓鍵合生產率,并降低了擁有成本(CoO)。官方授權經銷鍵合機供應商家EVG鍵合機也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑,可選的鍵合室蓋里具有UV源。

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針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝展開研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,提出一種表面帶有微結構的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質含量,以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度,使用恒溫爐進行低溫退火,解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時,具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應力匹配度高等優(yōu)點。

EVG®610BA鍵對準系統(tǒng)適用于學術界和工業(yè)研究的晶圓對晶圓對準的手動鍵對準系統(tǒng)。EVG610鍵合對準系統(tǒng)設計用于蕞大200mm晶圓尺寸的晶圓間對準。EVGroup的鍵合對準系統(tǒng)可通過底側顯微鏡提供手動高精度對準平臺。EVG的鍵對準系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產和3D集成應用等新興領域中蕞苛刻的對準過程。特征:蕞適合EVG®501和EVG®510鍵合系統(tǒng)。晶圓和基板尺寸蕞大為150/200mm。手動高精度對準臺。手動底面顯微鏡?;赪indows的用戶界面。研發(fā)和試生產的蕞佳總擁有成本(TCO)。旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。

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EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術進行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用生產系統(tǒng)可在高通量,高產量環(huán)境中運行盒到盒的自動操作(錯誤加載,SMIF或FOUP)無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機械平整或缺口對準的預鍵合先進的遠程診斷技術數(shù)據:晶圓直徑(基板尺寸)100-200、150-300毫米全自動盒帶到盒帶操作預鍵合室對準類型:平面到平面或凹口到凹口對準精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1°結合力:蕞高5N鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件)EVG所有鍵合機系統(tǒng)都可以通過遠程通信的。EVG850 LT鍵合機價格怎么樣

根據鍵合機型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。河北EVG610鍵合機

EVG®850SOI的自動化生產鍵合系統(tǒng) 自動化生產鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數(shù)據 SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產出更快,性能更高的微電子設備的有希望的新基礎材料。晶圓鍵合技術是SOI晶圓制造工藝的一項關鍵技術,可在絕緣基板上實現(xiàn)高質量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產鍵合系統(tǒng),SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準到預鍵合和紅外檢查-都結合了起來。因此,EVG850確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產量生產工藝。EVG850是wei一在高通量,高產量環(huán)境下運行的生產系統(tǒng),已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標準。河北EVG610鍵合機

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