SOI鍵合機(jī)研發(fā)生產(chǎn)

鍵合機(jī)特征 高真空，對(duì)準(zhǔn)，共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進(jìn)行處理 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過(guò)程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無(wú)應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動(dòng)化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個(gè)，蕞/大6個(gè) 加載：手動(dòng)，卡帶，EFEM 可選的過(guò)程模塊： 鍵合模塊 ComBond?激/活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對(duì)準(zhǔn)模塊（VAM） 晶圓直徑 高達(dá)200毫米EVG的 GEMINI系列，在醉小占地面積上，一樣利用EVG 醉高精度的Smart View NT對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。SOI鍵合機(jī)研發(fā)生產(chǎn)

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語(yǔ)，但由于涉及更多的變量，因此該過(guò)程實(shí)際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長(zhǎng)久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過(guò)程，但是由于項(xiàng)目的精致性，由于它們的導(dǎo)電性和相對(duì)鍵合溫度，通常僅應(yīng)用金，鋁和銅。通過(guò)使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量，超聲波能量和微量壓力的技術(shù)，可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng)，很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤，因此強(qiáng)烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進(jìn)行練習(xí)，然后再嘗試進(jìn)行引線鍵合。EVG805鍵合機(jī)代理價(jià)格EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有：陽(yáng)極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。

Abouie M 等人［4］針對(duì)金—硅共晶鍵合過(guò)程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開(kāi)研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。

EVG?501是晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) 應(yīng)用：適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng) EVG501技術(shù)數(shù)據(jù): EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從單個(gè)芯片(碎片)到150mm（200mm鍵合室為200mm）的基板尺寸。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝，例如陽(yáng)極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計(jì)允許對(duì)不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到5分鐘。這種多功能性是大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)的理想選擇。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設(shè)計(jì)相同，鍵合程序易于轉(zhuǎn)移，可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。晶圓級(jí)涂層、封裝，工程襯底智造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。

EVG®301特征

使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔

單面清潔刷（選件）

用于晶圓清洗的稀釋化學(xué)品

防止從背面到正面的交叉污染

完全由軟件控制的清潔過(guò)程

選件

帶有紅外檢查的預(yù)鍵合臺(tái)

非SEMI標(biāo)準(zhǔn)基材的工具

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開(kāi)室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）

超音速噴嘴

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：30-60W

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域：?4.0mm

材質(zhì)：聚四氟乙烯 EVG鍵合機(jī)通過(guò)在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。山西EVG560鍵合機(jī)

EVG鍵合機(jī)通過(guò)控制溫度，壓力，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過(guò)程。SOI鍵合機(jī)研發(fā)生產(chǎn)

EVG501晶圓鍵合機(jī)，先進(jìn)封裝，TSV，微流控加工?；竟δ埽河糜趯W(xué)術(shù)和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)。適用于：微流體芯片，半導(dǎo)體器件處理，MEMS制造，TSV制作，晶圓先進(jìn)封裝等。

一、簡(jiǎn)介：

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可處理從單芯片到150mm(200mm鍵合室的情況下為200mm)的基片。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝，如陽(yáng)極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì)，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移，這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。

二、特征：

帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨(dú)特的壓力和溫度均勻性與EVG的機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器兼容靈活的設(shè)計(jì)和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝(共晶，焊料，TLP，直接鍵合)可選渦輪泵(<1E-5mbar)可升級(jí)陽(yáng)極鍵合開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì)，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)試生產(chǎn)需求：同類產(chǎn)品中比較低擁有成本開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì)，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)程序與EVGHVM鍵合系統(tǒng)完全兼容。

三、參數(shù)：蕞大鍵合力：20kN，加熱器尺寸：150mm。 SOI鍵合機(jī)研發(fā)生產(chǎn)