內(nèi)蒙古EVG6200鍵合機(jī)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-04-09

ComBond自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺(tái)標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑,可滿足市場(chǎng)對(duì)更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底,堆疊的太陽(yáng)能電池和功率器件到膏端MEMS封裝,高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺(tái),可以針對(duì)研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,并通過(guò)其獨(dú)特的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環(huán)境中會(huì)迅速重新氧化。對(duì)于所有材料組合,都可以實(shí)現(xiàn)無(wú)空隙和無(wú)顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度。EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對(duì)應(yīng),鍵合方法一般分類頁(yè)是有或沒(méi)有夾層的鍵合操作。內(nèi)蒙古EVG6200鍵合機(jī)

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EVG®520IS晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng):?jiǎn)吻换螂p腔晶圓鍵合系統(tǒng),用于小批量生產(chǎn)。EVG520IS單腔單元可半自動(dòng)操作蕞大200mm的晶圓,適用于小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)行了重新設(shè)計(jì),具有EVGroup專有的對(duì)稱快速加熱和冷卻卡盤設(shè)計(jì)。諸如獨(dú)力的頂側(cè)和底側(cè)加熱器,高壓鍵合能力以及與手動(dòng)系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢(shì),為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻(xiàn)。特征:全自動(dòng)處理,手動(dòng)裝卸,包括外部冷卻站兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器單室或雙室自動(dòng)化系統(tǒng)全自動(dòng)的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動(dòng)集成式冷卻站可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量選項(xiàng):高真空能力(1E-6毫巴)可編程質(zhì)量流量控制器集成冷卻技術(shù)數(shù)據(jù)蕞大接觸力10、20、60、100kN加熱器尺寸150毫米200毫米蕞小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn):1E-5mbar可選:1E-6mbar三維芯片鍵合機(jī)微流控應(yīng)用業(yè)內(nèi)主流鍵合機(jī)使用工藝:黏合劑,陽(yáng)極,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。

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EVG鍵合機(jī)加工結(jié)果 除支持晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝,3D互連和MEMS制造外,EVG500系列晶圓鍵合機(jī)(系統(tǒng))還可用于研發(fā),中試或批量生產(chǎn)。它們通過(guò)在高真空,精確控制的準(zhǔn)確的真空,溫度或高壓條件下鍵合來(lái)滿足各種苛刻的應(yīng)用。該系列擁有多種鍵合方法,包括陽(yáng)極,熱壓縮,玻璃料,環(huán)氧樹(shù)脂,UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨(dú)特的模塊化鍵合室設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換。 模塊設(shè)計(jì) 各種鍵合對(duì)準(zhǔn)(對(duì)位)系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì)。使用直接(實(shí)時(shí))或間接對(duì)準(zhǔn)方法可以支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。

EVG®501鍵合機(jī)特征:獨(dú)特的壓力和溫度均勻性;兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器;靈活的研究設(shè)計(jì)和配置;從單芯片到晶圓;各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合);可選的渦輪泵(<1E-5mbar);可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合;開(kāi)室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù);兼容試生產(chǎn),適合于學(xué)校、研究所等;開(kāi)室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù);200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積:0.8平方米;程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG®501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)蕞大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米蕞小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn):0.1毫巴可選:1E-5mbarEVG鍵合機(jī)使用直接(實(shí)時(shí))或間接對(duì)準(zhǔn)方法,能夠支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。

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EVG®810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔獨(dú)力單元。處理室允許進(jìn)行異位處理(晶圓被一一基活并結(jié)合在等離子體基活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(jié)(熔融/分子和中間層粘結(jié)) 晶圓鍵合機(jī)制中蕞快的動(dòng)力學(xué) 無(wú)需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結(jié)強(qiáng)度 適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和gao級(jí)基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)EVG?500系列鍵合模塊-適用于GEMINI,支持除紫外線固化膠以外的所有主流鍵合工藝。河南鍵合機(jī)技術(shù)支持

除了支持3D互連和MEMS制造,晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝外,EVG的EVG500系晶圓鍵合機(jī)還可用于研發(fā),中試和批量生產(chǎn)。內(nèi)蒙古EVG6200鍵合機(jī)

EVG®850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途:自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級(jí)3D集成的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔,等離子活化和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-。因此,經(jīng)過(guò)實(shí)踐檢驗(yàn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300mm尺寸的無(wú)空隙SOI晶片的高通量,高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。內(nèi)蒙古EVG6200鍵合機(jī)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司辦公設(shè)施齊全,辦公環(huán)境優(yōu)越,為員工打造良好的辦公環(huán)境。專業(yè)的團(tuán)隊(duì)大多數(shù)員工都有多年工作經(jīng)驗(yàn),熟悉行業(yè)專業(yè)知識(shí)技能,致力于發(fā)展EVG,Filmetrics,MicroSense,Herz,Herzan,Film Sense,Polyteknik,4D,Nanotronics,Subnano,Bruker,FSM,SHB的品牌。公司堅(jiān)持以客戶為中心、磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理(拍賣除外)及其相關(guān)配套服務(wù),國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易,商務(wù)信息咨詢服務(wù) 市場(chǎng)為導(dǎo)向,重信譽(yù),保質(zhì)量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。誠(chéng)實(shí)、守信是對(duì)企業(yè)的經(jīng)營(yíng)要求,也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的半導(dǎo)體工藝設(shè)備,半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備,光刻機(jī) 鍵合機(jī),膜厚測(cè)量?jī)x。