安徽膜厚儀技術(shù)支持

F60系列包含的內(nèi)容：集成平臺(tái)/光譜儀/光源裝置（不含平臺(tái)）4",6"and200mm參考晶圓TS-SiO2-4-7200厚度標(biāo)準(zhǔn)真空泵備用燈型號(hào)厚度范圍*波長(zhǎng)范圍F60-t:20nm-70μm380-1050nmF60-t-UV:5nm-40μm190-1100nmF60-t-NIR:100nm-250μm950-1700nmF60-t-EXR:20nm-250μm380-1700nmF60-t-UVX:5nm-250μm190-1700nmF60-t-XT0:2μm-450μm1440-1690nmF60-t-s980:4μm-1mm960-1000nmF60-t-s1310:7μm-2mm1280-1340nmF60-t-s1550:10μm-3mm1520-1580nm額外的好處：每臺(tái)系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫,隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級(jí)計(jì)劃厚度范圍: 測(cè)量從 1nm 到 13mm 的厚度。 測(cè)量 70nm 到 10um 薄膜的折射率。安徽膜厚儀技術(shù)支持

非晶態(tài)多晶硅硅元素以非晶和晶體兩種形式存在,在兩級(jí)之間是部分結(jié)晶硅。部分結(jié)晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光學(xué)常數(shù)(n和k)對(duì)不同沉積條件是獨(dú)特的，必須有精確的厚度測(cè)量。測(cè)量厚度時(shí)還必須考慮粗糙度和硅薄膜結(jié)晶可能的風(fēng)化。Filmetrics設(shè)備提供的復(fù)雜的測(cè)量程序同時(shí)測(cè)量和輸出每個(gè)要求的硅薄膜參數(shù)，并且“一鍵”出結(jié)果。測(cè)量范例多晶硅被廣范用于以硅為基礎(chǔ)的電子設(shè)備中。這些設(shè)備的效率取決于薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性。隨著沉積和退火條件的改變，這些特性隨之改變，所以準(zhǔn)確地測(cè)量這些參數(shù)非常重要。監(jiān)控晶圓硅基底和多晶硅之間，加入二氧化硅層，以增加光學(xué)對(duì)比，其薄膜厚度和光學(xué)特性均可測(cè)得。F20可以很容易地測(cè)量多晶硅薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù)，以及二氧化硅夾層厚度。Bruggeman光學(xué)模型被用來測(cè)量多晶硅薄膜光學(xué)特性。中科院膜厚儀研發(fā)生產(chǎn)紫外光可測(cè)試的深度：有秀的薄膜（SOI 或 Si-SiGe）或者厚樣的近表面局部應(yīng)力。

測(cè)量有機(jī)發(fā)光顯示器有機(jī)發(fā)光顯示器(OLEDs)有機(jī)發(fā)光顯示器正迅速從實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)向大規(guī)模生產(chǎn)。明亮，超薄，動(dòng)態(tài)的特性使它們成為從手機(jī)到電視顯示屏的手選。組成顯示屏的多層薄膜的精密測(cè)量非常重要，但不能用傳統(tǒng)接觸型的輪廓儀，因?yàn)樗鼤?huì)破壞顯示屏表面。我們的F20-UV，F(xiàn)40-UV，和F10-RT-UV將提供廉價(jià)，可靠，非侵入測(cè)量原型裝置和全像素化顯示屏。我們的光譜儀還可以測(cè)量大氣敏感材料的化學(xué)變化。測(cè)量透明導(dǎo)電氧化膜不論是銦錫氧化物，氧化鋅，還是聚合物（3,4-乙烯基），我們獨(dú)有的ITO光學(xué)模型，加上可見/近紅外儀器，可以測(cè)得厚度和光學(xué)常數(shù)，費(fèi)用和操作難度瑾是光譜橢偏儀的一小部分。

TotalThicknessVariation(TTV)應(yīng)用規(guī)格:測(cè)量方式:紅外干涉(非接觸式)樣本尺寸:50、75、100、200、300mm，也可以訂做客戶需要的產(chǎn)品尺寸測(cè)量厚度:15—780μm(單探頭)3mm(雙探頭總厚度測(cè)量)掃瞄方式:半自動(dòng)及全自動(dòng)型號(hào),另2D/3D掃瞄(Mapping)可選襯底厚度測(cè)量:TTV、平均值、*小值、*大值、公差...可選粗糙度:20—1000?(RMS)重復(fù)性:0.1μm(1sigma)單探頭*0.8μm(1sigma)雙探頭*分辨率:10nm請(qǐng)?jiān)L問我們的中文官網(wǎng)了解更多關(guān)于本產(chǎn)品的信息。厚度變化 (TTV) ；溝槽深度；過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度。

F54包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置MA-Cmount安裝轉(zhuǎn)接器顯微鏡轉(zhuǎn)接器光纖連接線BK7參考材料TS-Focus-SiO2-4-10000厚度標(biāo)準(zhǔn)聚焦/厚度標(biāo)準(zhǔn)4",6"and200mm參考晶圓真空泵備用燈型號(hào)厚度范圍*波長(zhǎng)范圍F54:20nm-40μm380-850nmF54-UV:4nm-30μm190-1100nmF54-NIR:40nm-100μm950-1700nmF54-EXR:20nm-100μm380-1700nmF54-UVX:4nm-100μm190-1700nm*取決于材料與顯微鏡額外的好處：每臺(tái)系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫,隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級(jí)計(jì)劃F20-UV測(cè)厚范圍：1nm - 40μm；波長(zhǎng)：190-1100nm。浙江膜厚儀推薦型號(hào)

應(yīng)用：襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)，平整度。安徽膜厚儀技術(shù)支持

參考材料備用BK7和二氧化硅參考材料。BG-Microscope顯微鏡系統(tǒng)內(nèi)取背景反射的小型抗反光鏡BG-F10-RT平臺(tái)系統(tǒng)內(nèi)獲取背景反射的抗反光鏡REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率鋁基準(zhǔn)REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率鋁基準(zhǔn)REF-BK71?"x1?"BK7反射基準(zhǔn)。REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未經(jīng)處理的石英，用于雙界面基準(zhǔn)。REF-Si-22"單晶硅晶圓REF-Si-44"單晶硅晶圓REF-Si-66"單晶硅晶圓REF-Si-88"單晶硅晶圓REF-SS3-Al專為SS-3樣品平臺(tái)設(shè)計(jì)之鋁反射率基準(zhǔn)片REF-SS3-BK7專為SS-3樣品平臺(tái)設(shè)計(jì)之BK7玻璃反射率基準(zhǔn)片REF-SS3-Si專為SS-3樣品平臺(tái)設(shè)計(jì)之硅反射率基準(zhǔn)片安徽膜厚儀技術(shù)支持

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司坐落在金高路2216弄35號(hào)6幢306-308室，是一家專業(yè)的磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù) 公司。公司目前擁有專業(yè)的技術(shù)員工，為員工提供廣闊的發(fā)展平臺(tái)與成長(zhǎng)空間，為客戶提供高質(zhì)的產(chǎn)品服務(wù)，深受員工與客戶好評(píng)。公司以誠(chéng)信為本，業(yè)務(wù)領(lǐng)域涵蓋半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x，我們本著對(duì)客戶負(fù)責(zé)，對(duì)員工負(fù)責(zé)，更是對(duì)公司發(fā)展負(fù)責(zé)的態(tài)度，爭(zhēng)取做到讓每位客戶滿意。公司力求給客戶提供全數(shù)良好服務(wù)，我們相信誠(chéng)實(shí)正直、開拓進(jìn)取地為公司發(fā)展做正確的事情，將為公司和個(gè)人帶來共同的利益和進(jìn)步。經(jīng)過幾年的發(fā)展，已成為半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x行業(yè)出名企業(yè)。