吉林紅外鍵合機(jī)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-11

共晶鍵合[8,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn),以其作為中間鍵合介質(zhì)層,通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此,中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,且其液相粘結(jié)性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用, 可以阻止金向硅中擴(kuò)散[10,11]。EVG鍵合機(jī)也可以通過添加電源來(lái)執(zhí)行陽(yáng)極鍵合。對(duì)于UV固化的黏合劑,可選的鍵合室蓋里具有UV源。吉林紅外鍵合機(jī)

吉林紅外鍵合機(jī),鍵合機(jī)

EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),其他清潔介質(zhì)(可選)旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))超音速噴嘴頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:30-60W去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域:?4.0mm材質(zhì):聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性材質(zhì):不銹鋼和藍(lán)寶石刷子材質(zhì):PVA可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配)ComBond鍵合機(jī)可以試用嗎EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個(gè)型號(hào)用于研發(fā)的鍵合機(jī)。

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在鍵合過程中,將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢(shì)被施加,使得負(fù)電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽(yáng)極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動(dòng)并向陰極移動(dòng),在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來(lái)自玻璃的離子向陽(yáng)極遷移,并在到達(dá)邊界時(shí)與硅反應(yīng),形成二氧化硅(SiO 2)。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個(gè)組件密封在一起。

EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜(膠帶)自動(dòng)無(wú)應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動(dòng),無(wú)應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對(duì)卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔,然后將其對(duì)齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù),可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無(wú)關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動(dòng),無(wú)應(yīng)力和無(wú)空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對(duì)準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG®850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對(duì)準(zhǔn) 加熱層壓EVG鍵合機(jī)的鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。

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GEMINI®FB特征:新的SmartView®NT3面-面結(jié)合對(duì)準(zhǔn)具有亞50納米晶片到晶片的對(duì)準(zhǔn)精度多達(dá)六個(gè)預(yù)處理模塊,例如:清潔模塊LowTemp?等離子基活模塊對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM(設(shè)備前端模塊)實(shí)現(xiàn)蕞高吞吐量可選功能:解鍵合模塊熱壓鍵合模塊技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)200、300毫米蕞高處理模塊數(shù):6+的SmartView®NT可選功能:解鍵合模塊熱壓鍵合模塊EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統(tǒng),擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),并擁有更高的生產(chǎn)率,更高的對(duì)準(zhǔn)和涂敷精度,適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)采用了新的SmartViewNT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器,該鍵合對(duì)準(zhǔn)器是專門為<50nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開發(fā)的。我們?cè)诓恍柚匦屡渲糜布那闆r下,EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。ComBond鍵合機(jī)可以試用嗎

EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對(duì)應(yīng),鍵合方法一般分類頁(yè)是有或沒有夾層的鍵合操作。吉林紅外鍵合機(jī)

Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置) 用于3D互連,晶圓級(jí)封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對(duì)準(zhǔn)器(面對(duì)面,背面,紅外和透明對(duì)準(zhǔn)) 無(wú)需Z軸運(yùn)動(dòng),也無(wú)需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對(duì)對(duì)準(zhǔn)并夾緊,然后再裝入鍵合室 手動(dòng)或全自動(dòng)配置(例如:在GEMINI系統(tǒng)上集成) Smart View ® NT選件 可以與EVG組合® 500系列晶圓鍵合系統(tǒng),EVG ® 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ®有帶盒對(duì)盒操作完全自動(dòng)化的晶圓到晶圓對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:150-200、200-300毫米 厚度:0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn) 處理系統(tǒng) 3個(gè)紙盒站(蕞/大200毫米)或2個(gè)FOUP加載端口(300毫米)吉林紅外鍵合機(jī)