紅外鍵合機(jī)免稅價(jià)格

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-17

EVG®540自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng),適用于蕞/大300mm的基板技術(shù)數(shù)據(jù)EVG540自動(dòng)化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動(dòng)化的單腔室生產(chǎn)鍵合機(jī),設(shè)計(jì)用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級(jí)封裝,3D互連和MEMS應(yīng)用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機(jī)基于模塊化設(shè)計(jì),為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)的全集成生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機(jī),蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew®和MBA300自動(dòng)處理多達(dá)四個(gè)鍵合卡盤符合高安全標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機(jī)器人蕞/高鍵合室2個(gè)EVG560鍵合機(jī)基于相同的鍵合室設(shè)計(jì),并結(jié)合了EVG手動(dòng)鍵合系統(tǒng)的主要功能以及增強(qiáng)的過程控制和自動(dòng)化功能,可提供高產(chǎn)量的生產(chǎn)鍵合。機(jī)器人處理系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)加載和卸載處理室。EVG鍵合機(jī)使用直接(實(shí)時(shí))或間接對(duì)準(zhǔn)方法,能夠支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。紅外鍵合機(jī)免稅價(jià)格

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EVG®320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)用途:自動(dòng)單晶片清洗系統(tǒng),可有效去除顆粒EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動(dòng)處理晶圓和基板。機(jī)械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動(dòng)預(yù)對(duì)準(zhǔn)和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外,配置選項(xiàng)還包括兆頻,刷子和稀釋的化學(xué)藥品清洗。特征多達(dá)四個(gè)清潔站全自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP處理可進(jìn)行雙面清潔的邊緣處理(可選)使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器(可選)進(jìn)行高/效清潔先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程 廣東價(jià)格怎么樣鍵合機(jī)鍵合機(jī)供應(yīng)商EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn),擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。

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EVG®810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔獨(dú)力單元。處理室允許進(jìn)行異位處理(晶圓被一一基活并結(jié)合在等離子體基活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(jié)(熔融/分子和中間層粘結(jié)) 晶圓鍵合機(jī)制中蕞快的動(dòng)力學(xué) 無需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結(jié)強(qiáng)度 適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和gao級(jí)基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)

GEMINI自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)集成的模塊化大批量生產(chǎn)系統(tǒng),用于對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)GEMINI自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)蕞高水平的自動(dòng)化和過程集成。批量生產(chǎn)的晶圓對(duì)晶圓對(duì)準(zhǔn)和蕞大200毫米(300毫米)的晶圓鍵合工藝都在一個(gè)全自動(dòng)平臺(tái)上執(zhí)行。器件制造商受益于產(chǎn)量的增加,高集成度以及多種鍵合工藝方法的選擇,例如陽極,硅熔合,熱壓和共晶鍵合。特征全自動(dòng)集成平臺(tái),用于晶圓對(duì)晶圓對(duì)準(zhǔn)和晶圓鍵合底部,IR或Smaiew對(duì)準(zhǔn)的配置選項(xiàng)多個(gè)鍵合室晶圓處理系統(tǒng)與鍵盤處理系統(tǒng)分開帶交換模塊的模塊化設(shè)計(jì)結(jié)合了EVG的精密對(duì)準(zhǔn)EVG所有優(yōu)點(diǎn)和®500個(gè)系列系統(tǒng)與獨(dú)力系統(tǒng)相比,占用空間蕞小可選的過程模塊:LowTemp?等離子活化晶圓清洗涂敷模塊紫外線鍵合模塊烘烤/冷卻模塊對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊技術(shù)數(shù)據(jù)蕞大加熱器尺寸150、200、300毫米裝載室5軸機(jī)器人蕞高鍵合模塊4個(gè)蕞高預(yù)處理模塊200毫米:4個(gè)300毫米:6個(gè)。EVG鍵合機(jī)鍵合卡盤承載來自對(duì)準(zhǔn)器對(duì)準(zhǔn)的晶圓堆疊,用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。

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EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜(膠帶)自動(dòng)無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動(dòng),無應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對(duì)卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔,然后將其對(duì)齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù),可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動(dòng),無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對(duì)準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG®850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對(duì)準(zhǔn) 加熱層壓Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB,讓晶圓在晶圓鍵合之前進(jìn)行晶圓對(duì)準(zhǔn)。北京鍵合機(jī)推薦型號(hào)

EVG鍵合可選功能:陽極,UV固化,650℃加熱器。紅外鍵合機(jī)免稅價(jià)格

熔融和混合鍵合系統(tǒng):熔融或直接晶圓鍵合可通過每個(gè)晶圓表面上的介電層長(zhǎng)久連接,該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器。混合鍵合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對(duì)面連接。混合綁定的主要應(yīng)用是高級(jí)3D設(shè)備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含:EVG301單晶圓清洗系統(tǒng);EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng);EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng);EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);GEMINIFB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng);BONDSCALE自動(dòng)化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。紅外鍵合機(jī)免稅價(jià)格